фаза.................. -104°

Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмиттером * прн t/кБ = 3,2 В, /3 = 5 мА, /= 2,25 ГГц;

модуль................. 0,195

фаза.................. 68°

Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером * при Скб = 3,2 В, J-= 5 мА, /= 2,25 ГГц;

модуль................. 1,29

фаза.................. 67,5°

Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером * при (/кб = 3,2 В, /3 = 5 мА, /= 2,25 ГГц:

модуль................. 0,655

фаза.................. -35°

Предельные эксплуатациониые данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 5 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэв <

< 1 кОм................. SB

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 0,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Г = 328 К..............25 мВт

при Г = 343 К 1Т383А-2, 1Т383Б-2, 1Т383В-2 16 мВт Импульсная СВЧ мощность, падающая на вход транзистора при Г = 298 К, т„ < 100 мкс, Q > 20 . . . . 50 мВт

Общее тепловое сопротивление.........1,25 К/мВт

Температура перехода............. 363 К

Температура окружающей среды:

1Т383А-2, 1Т383Б-2, 1Т383В-2.........От 213

до 343 К

ГТ383А-2, ГТ383Б-2, ГТ383В-2.........От 233 до

328 К

-1-1-1-;-г-

1тз83А-г-1тз83в~г,

51к,мА

Зависимость коэффициента шума от тока коллектора.

4,0 ,

0 12 3 4 51к,А

-гтз83А-г-гтз83в-г

5 Ik-2mA

12 10

Ik~2mA

УП383А-2-1T383B-2, П383А-2-ГТ383В-2

о 0,5 1 1,5 2 2,5f,rrn 0 0,5 1 1,5 2 2,5f,rrii,

Зависимость коэффициента шума от частоты

Зависимость коэффициента усиления ио мошности от частоты

1Т383А-2--%5\-1Т383В-2; ГТ383А-2 -

"/ггтзвзв-г

4,3 4,2

4,1 4,0

5,2 5,1

1Г383А-2-1Т383В-2, ГТЗВЗА-2- ГТ383В-2-

4,7 4,6

ииБ=з,гв\

-1з = 2мА f=2,25rrn

293303 313 323 333 343 Т,К 293303 313 323 333343Т,К

Зависимость коэффициента шума от температуры

Зависимость коэффициента усиления по мошности от температуры

2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п СВЧ переключательные маломощные

Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ, в импульсных, переключающих каскадах наносекундного диапазона герметизированной аппаратуры

Бескорпусные, с гибкими выводами, защитным покрытием на керамическом (2Т384А-2, КТ384А) и металлическом (2Т384АМ-2, КТ384АМ) кристаллодержателях

Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из нее транзисторов проводить измерение их электрических параметров Обозначение типа приводится на сопроводительной таре

Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более

0,015

г, на металлическом не более 0,004 г

2T38iAг, KT3S4A

Коллектор База

2Т384АМ-2, КТ384АМ

Электрические параметры

Граничное напряжение при /к = 10 мА, т„ < 30 мкс

и е > 50 2Т384А-2, 2Т384АМ-2,........15-34* В

типовое значение............. 24* В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = = 150 мА, /б = 15 мА

2Т384А-2, 2Т384АМ-2 ............0,25*-0,53 В

типовое значение.............0,28* В

КТ384А, КТ384АМ не более......... 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 150 мА, /б= 15 мА

2Т384А-2, 2Т384АМ-2............0,81*-1,15 В

типовое значение..............0,91 * В

Время рассасывания при /к = 150 мА, /б1 = /б2 = 15 мА

2Т384А-2, 2Т384АМ-2........... 12 не

КТ384А, КТ384АМ............. 15 не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/э = 1 В, = 150 мА . . . . 30-180

типовое значение.............. 90 *

Модуль коэффициента передачи тока при [/э =10 В,

/к = 100 мА,/= 100 МГц...........4 5-13*

типовое значение.............. 11,5*

Обратный ток коллектора не более 2Т384А-2, 2Т384АМ-2

при С/кб = 30 В и Г= 213 - 298 К......10 мкА

при [/кб = 20 В и Г= 398 К........100 мкА

КТ384А, КТ384АМ при [/кб = 30 В и Г = 298 К 10 мкА Обратный ток эмитттера не более

2Т384-2, 2Т384АМ-2 при f/эБ = 5 В

при Г = 213 - 298 К............10 мкА

при Г = 398 К...............100 мк А

КТ384А, КТ384АМ при [/эб = 4 В и Г = 298 К 10 мкА Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = О 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 не более