„ [/g = 30 в и r= 213 к и r= 298 к.....10 мкА

п и (/кБ = 20 В и Г= 398 К........100 мк А

огть коллекторного перехода при Ub =10 В,

Т°10 МГц 2Т384А-2, 2Т384АМ-2........1,3 *-4 пФ

Сповое значение..............1,7* пФ

г- .гпсть эмиттерного перехода при (Уэб = 0,5 В,

""ю МГц 2Т384А-2, 2Т384АМ-2........7*-20 пФ

типовое значение..............8 * пФ

Предельные эксплуатациоииые даииые

постояннное напряжение коллектор-эмиттер при

jg3= 5,0 кОм КТ384А, КТ384АМ........ 30 В

Постоянное напряжение коллектор-база 2Т384А-2, 2Т384АМ-2

при Гк = 213- 373 К........... 30 В

при Гк = 398 К............. 20 В

КТ384А, КТ384АМ............. 30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база

2Т384А-2, 2Т384АМ-2............ 5,0 В

КТ384А, КТ384АМ............. 4,0 В

Постоянный ток коллектора 2Т384А-2, 2Т384АМ-2,

КТ384А, КТ384АМ............. 0,3 А

Импульсный ток коллектора при Хи 5 мкс, Q > 10

2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ..... 0,5 А

Постоянная рассеиваема мощность коллектора 2Т384А-2, 2Т384АМ-2

при Гк = 213 - 358 К........... 0,3 Вт

при Гк = 398 К............. 0,06 Вт

КТ384А, КТ384АМ

при Гк = 228 - 343 К........... 0,3 Вт

при Гк = 358 К............. 0,2 Вт

Тепловое сопротивление переход-подложка...... 110 К/Вт

Температура р-п перехода

2Т384А-2, 2Т384АМ-2 ............ 408 К

КТ384А, КТ384АМ............. 393 К

Температура окружающей среды

2Т384А-2, 2Т384АМ-2............ От 213

до 398 К

КТ384А, КТ384АМ............ От 228

до 358 К

Примечания 1 Для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Гк = - 358 - 398 к максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле

К макс = (408 - Гк)/(Лт п пд + Лт пд к)

2 Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется сле-УЮщим образом Место монтажа в микросхеме смачивается спирто-

канифольным флюсом (10-30% канифоли, 90-70% спирта) Зате укладывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщино" 30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мкм Допускается нагрев микросхем" до (473 + 5) К в течение 10 с В момент пайки транзистор жимается к месту монтажа пинцетом Усилие прилагается к боко вым поверхностям кристаллодержателя

Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы обеспечивающие надежный тепловой контакт подложки транзисюра с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора

При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие возможность перегиба выводов и соприкосновения их и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы Рекомендуется выводы транзисторов и место сварки или пайки закреплять лаками При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора

2Т38ЧА-2,2Т384АМ-2,

200\-KT38fA,KTJ84AM 160 120 80 40

f213

2T384A-2,2T384aM-2, 150\-КТ384А, КТ38ЧАМ-

О 100 200 300 400 5001ц,мА О 0,4 0,8 1,2 1,6 2/10кз,В

Зависимость статического коэф- Зависимость статического коэф-

фициента передачи тока от тока фициента передачи тока от коллектора напряжения коллектор-эмнттер

1,2 1,0

I0J6

io,4

1,3 1,2

2Т384А-2; JT384AM-2,

КТ384А, КТ384АМ.

О 100 200 300 400 5001к,мА О 100 200 300 400 5001к,А

\h2l3\

10 9

f -кт38ЧА,КТтАМ

очд 80 120 160 г60Тц,мА о

-1=100мА J = 100 МГц

гтз84А-2,гтз8ЧАм-г,

8\-КТ384А,1<Т38ЧАМ-

Ч 8 12 16 20 и кз, в

исимость модуля коэффи- Зависимость модуля коэффи-иента передачи тока от тока циента передачи тока от напря-

коллектора

жения котлектор-эмиттер

База,

Зматтер

Коллектор

1Т387А-2, 1Т387Б-2

Транзисторы германиевые планарные п-р-п СВЧ генераторные маломощные

Предназначены для усиления и генерирования СВЧ сигналов

Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой

Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике, обозначение типа приводится на таре На крышке транзистора наносится условная маркировка цветными точками 1Т387А-2 - черная, 1Т387Б-2 - белая

Масса транзистора не бо-lee О 1 г

Электрические параметры

Выходная мощность в режиму автогенератора ирн кБ = 7 В, /э = 50 мА не менее

1Т387А-2 при / = 3 ГГц...........50 мВт

1Т387Б-2 при/= 4 ГГц...........50 мВт

медианное значение не менее

1Т387А-2 при / = 3 ГГц...........75 мВт

1Т387Б-2 при /= 4 ГГц...........65 мВт

Раничная частота коэффициента передачи тока в схеме общим эмиттером при t/кБ = 3 В, 1=50 мА не менее

"87А-2................2,16 ГГц

"87Б-2.................3,0 ГГц