![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 118119120121122123124 ... 297 „ [/g = 30 в и r= 213 к и r= 298 к.....10 мкА п и (/кБ = 20 В и Г= 398 К........100 мк А огть коллекторного перехода при Ub =10 В, Т°10 МГц 2Т384А-2, 2Т384АМ-2........1,3 *-4 пФ Сповое значение..............1,7* пФ г- .гпсть эмиттерного перехода при (Уэб = 0,5 В, ""ю МГц 2Т384А-2, 2Т384АМ-2........7*-20 пФ типовое значение..............8 * пФ Предельные эксплуатациоииые даииые постояннное напряжение коллектор-эмиттер при jg3= 5,0 кОм КТ384А, КТ384АМ........ 30 В Постоянное напряжение коллектор-база 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Гк = 213- 373 К........... 30 В при Гк = 398 К............. 20 В КТ384А, КТ384АМ............. 30 В Постоянное напряжение эмиттер-база 2Т384А-2, 2Т384АМ-2............ 5,0 В КТ384А, КТ384АМ............. 4,0 В Постоянный ток коллектора 2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ............. 0,3 А Импульсный ток коллектора при Хи 5 мкс, Q > 10 2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ..... 0,5 А Постоянная рассеиваема мощность коллектора 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Гк = 213 - 358 К........... 0,3 Вт при Гк = 398 К............. 0,06 Вт КТ384А, КТ384АМ при Гк = 228 - 343 К........... 0,3 Вт при Гк = 358 К............. 0,2 Вт Тепловое сопротивление переход-подложка...... 110 К/Вт Температура р-п перехода 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 ............ 408 К КТ384А, КТ384АМ............. 393 К Температура окружающей среды 2Т384А-2, 2Т384АМ-2............ От 213 до 398 К КТ384А, КТ384АМ............ От 228 до 358 К Примечания 1 Для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2 при Гк = - 358 - 398 к максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле К макс = (408 - Гк)/(Лт п пд + Лт пд к) 2 Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется сле-УЮщим образом Место монтажа в микросхеме смачивается спирто- канифольным флюсом (10-30% канифоли, 90-70% спирта) Зате укладывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщино" 30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мкм Допускается нагрев микросхем" до (473 + 5) К в течение 10 с В момент пайки транзистор жимается к месту монтажа пинцетом Усилие прилагается к боко вым поверхностям кристаллодержателя Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы обеспечивающие надежный тепловой контакт подложки транзисюра с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора При монтаже транзисторов в микросхемы должны быть приняты меры, исключающие возможность перегиба выводов и соприкосновения их и кристалла транзистора с острыми краями элементов микросхемы Рекомендуется выводы транзисторов и место сварки или пайки закреплять лаками При этом не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора 2Т38ЧА-2,2Т384АМ-2, ![]() 200\-KT38fA,KTJ84AM 160 120 80 40 f213 2T384A-2,2T384aM-2, 150\-КТ384А, КТ38ЧАМ- ![]() О 100 200 300 400 5001ц,мА О 0,4 0,8 1,2 1,6 2/10кз,В Зависимость статического коэф- Зависимость статического коэф- фициента передачи тока от тока фициента передачи тока от коллектора напряжения коллектор-эмнттер 1,2 1,0 I0J6 io,4
1,3 1,2
2Т384А-2; JT384AM-2, КТ384А, КТ384АМ. О 100 200 300 400 5001к,мА О 100 200 300 400 5001к,А ![]() \h2l3\ 10 9 f -кт38ЧА,КТтАМ очд 80 120 160 г60Тц,мА о -1=100мА J = 100 МГц гтз84А-2,гтз8ЧАм-г, 8\-КТ384А,1<Т38ЧАМ- Ч 8 12 16 20 и кз, в исимость модуля коэффи- Зависимость модуля коэффи-иента передачи тока от тока циента передачи тока от напря- коллектора жения котлектор-эмиттер База, Зматтер ![]() Коллектор 1Т387А-2, 1Т387Б-2 Транзисторы германиевые планарные п-р-п СВЧ генераторные маломощные Предназначены для усиления и генерирования СВЧ сигналов Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике, обозначение типа приводится на таре На крышке транзистора наносится условная маркировка цветными точками 1Т387А-2 - черная, 1Т387Б-2 - белая Масса транзистора не бо-lee О 1 г Электрические параметры Выходная мощность в режиму автогенератора ирн кБ = 7 В, /э = 50 мА не менее 1Т387А-2 при / = 3 ГГц...........50 мВт 1Т387Б-2 при/= 4 ГГц...........50 мВт медианное значение не менее 1Т387А-2 при / = 3 ГГц...........75 мВт 1Т387Б-2 при /= 4 ГГц...........65 мВт Раничная частота коэффициента передачи тока в схеме общим эмиттером при t/кБ = 3 В, 1=50 мА не менее "87А-2................2,16 ГГц "87Б-2.................3,0 ГГц 0 ... 118119120121122123124 ... 297 |