![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 119120121122123124125 ... 297 Постоянная времени цепи обратной связи при [/кб = 5 В, /э = 30 мА, /=30 МГц не более 1Т387А-2................ 6,5 пс 1Т387Б-2................ 40 пс Коэффициент усиления по мощности * при [/кб = 7 В не менее IT387A-2 в схеме с общей базой при / = 2,25 ГГц, П. = 30%................ 2 1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при /= 0,5 ГГц, /э = 20 мА........... 1Q Минимальный коэффициент шума * при [/кб = 7 В IT387A-2 в схеме с общим эмиттером при /э = 5 - 30 мА при /=0,1 ГГц.............2 5 дБ при f=l ГГц............. 5 д2 1Т387Б-2 при /э = 10 - 20 мА при / = 0,5 ГГц в схеме с общим эмиттером ... з дБ при / = 1 ГГц в схеме с общей базой.....4 8 дБ при f = 2,5 ГГц в схеме с общей базой.....7 5 дБ Граничное напряжение при /э = 50 мА не менее .... 8 В Обратный ток коллектора при [/кб = 10 В не более при Г= 213 К и Г= 298 К.........10 мкА при Г = 343 К..............100 мкА Обратный ток эмиттера при [/эб = 0,2 В не более при Г= 213 К и Г= 298 К......... 10 мкД при Г = 343 К..............100 мкЛ Сопротивление базы * при [/кб = 7 В, /э = 50 мА не более................... 9 Ом Сопротивление коллектор-база * при [/кб = 7 В, /э = 50 мА не более.............4,5 Ом Емкость коллекторного перехода при [кб = 5 В не более .................. 3 пФ Емкость эмиттерного перехода * при [/эб = О В не более ..................4 5 пФ Индуктивность базы в режиме насыщения * при [/кб = О В, /к = 50 мА, / = I ГГц не более.........0,45 нГн Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером * при (7кэ = 5 В при /к = 10 мА, /= 0,5 ГГц модуль................. 1,78 фаза.................. -140° при /к = 30 мА, /"= 0,5 ГГц модуль................ 155 фаза................. -150° при /к = 10 мА, / = 1 ГГц модуль................ 2 фаза................. -65 при /к = 30 мА, /= 1 ГГц модуль................ 1;° „ фаза................. 175 ент обратной передачи напряжения в схеме °"Тп" эмиттером* при t/кэ = 5 В °Г/!=10 мА,/=0,5 ГГц при К ......... -14 5 дБ модуль................ 14,э дь * = 30мА,>=0,5ГГц "Jy.................-« фаза.....• •.......... при/к=0-А,/=.ГГц модуль................ -10,5 дБ фаза................. 60 ° при /к = 30 мА, /= 1 ГГц модуль................ -10 дБ фаза................. 61 Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с обшим эмиттером * при t/кэ = 5 В при /к= 10 мА,/=0,5 ГГц модуль................ 8дБ фаза................. 81° при /к = 30 мА,/=0,5 ГГц модуль................ 95дБ фаза................. 75 ° при /к = 10 мА, /= 1 ГГц модуль................ 4 дБ фаза................. 60 ° при /к = 30 мА, / = 1 ГГц модуль................ 4,5 дБ фаза................. 59 ° Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером * при t/кэ = 5 В при /к = 10 мА, /= 0,5 ГГц модуль................ 1,79 фаза................. - 55 ° при /к = 30 мА, /= 0,5 ГГц модуль................ 1,45 фаза................. -40° при /к = 10 мА, /= 1 ГГц модуль................ 1,67 фаза................. -57° при /к = 30 мА, /= 1 ГГц модуль................ 1,38 фаза................. 61 о Предельные эксплуатациоииые данные Постоянное напряжение коллектор-база...... 10 В тоянное напряжение коллектор-эмиттер при ПГОО Ом............ . . 8 В оянное напряжение эмиттер-база....... 0,2 В Импульсный ток коллектора при 298 К, Ти < 10 мкс Q>ioo.................; Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк = 213 - 303 К...........,75 при Гк = 343 К.............1 Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления мощности "Р« !:< = 23 - 303 К........... 300 МВт при Гк = 343 К.............120 Температура перехода............. 373 к Температура кристаллодержателя.........От 213 343 t( При эксплуатации обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход-окружающая среда не более.......... 250 К/Вт 3,5 3,25 3,0 Ь 2,75 2,5 2,25 2,0
150 125 100 "в I 75 cj 50 25
О Ю 20 30 W 501з,мА О 2 4-6 8 10 0,,8 Зависимость граничной частоты от тока эмиттера Зависимость выходной мощности в режиме автогенератора от напряжения коллектор-база ![]() I Г 17387А-2 Oks-78 1д=50мА f = ЗГГц 10 20 30 40 50 Б01з,мА О 10 20 30 40 50Рд,* Зависимость выходной мощности в режиме автогенератора от тока эмиттера Зависимость выходной мошн сти от входной в усилите класса С в схеме с общей базо 0 ... 119120121122123124125 ... 297 |