НПО Системы Безопасности
(499)340-94-73 График работы:
ПН-ПТ: 10:00-19:00
СБ-ВС: выходной

Главная » Периодика » Безопасность

0 ... 119120121122123124125 ... 297


Постоянная времени цепи обратной связи при [/кб = 5 В, /э = 30 мА, /=30 МГц не более

1Т387А-2................ 6,5 пс

1Т387Б-2................ 40 пс

Коэффициент усиления по мощности * при [/кб = 7 В не менее

IT387A-2 в схеме с общей базой при / = 2,25 ГГц,

П. = 30%................ 2

1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при

/= 0,5 ГГц, /э = 20 мА........... 1Q

Минимальный коэффициент шума * при [/кб = 7 В

IT387A-2 в схеме с общим эмиттером при /э = 5 - 30 мА

при /=0,1 ГГц.............2 5 дБ

при f=l ГГц............. 5 д2

1Т387Б-2 при /э = 10 - 20 мА при / = 0,5 ГГц в схеме с общим эмиттером ... з дБ

при / = 1 ГГц в схеме с общей базой.....4 8 дБ

при f = 2,5 ГГц в схеме с общей базой.....7 5 дБ

Граничное напряжение при /э = 50 мА не менее .... 8 В Обратный ток коллектора при [/кб = 10 В не более

при Г= 213 К и Г= 298 К.........10 мкА

при Г = 343 К..............100 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 0,2 В не более

при Г= 213 К и Г= 298 К......... 10 мкД

при Г = 343 К..............100 мкЛ

Сопротивление базы * при [/кб = 7 В, /э = 50 мА не

более................... 9 Ом

Сопротивление коллектор-база * при [/кб = 7 В,

/э = 50 мА не более.............4,5 Ом

Емкость коллекторного перехода при [кб = 5 В не

более .................. 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода * при [/эб = О В не

более ..................4 5 пФ

Индуктивность базы в режиме насыщения * при [/кб = О В,

/к = 50 мА, / = I ГГц не более.........0,45 нГн

Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером * при (7кэ = 5 В при /к = 10 мА, /= 0,5 ГГц

модуль................. 1,78

фаза.................. -140°

при /к = 30 мА, /"= 0,5 ГГц

модуль................ 155

фаза................. -150°

при /к = 10 мА, / = 1 ГГц

модуль................ 2

фаза................. -65

при /к = 30 мА, /= 1 ГГц

модуль................ 1;° „

фаза................. 175



ент обратной передачи напряжения в схеме °"Тп" эмиттером* при t/кэ = 5 В °Г/!=10 мА,/=0,5 ГГц

при К ......... -14 5 дБ

модуль................ 14,э дь

* = 30мА,>=0,5ГГц

"Jy.................-«

фаза.....• •..........

при/к=0-А,/=.ГГц

модуль................ -10,5 дБ

фаза................. 60 °

при /к = 30 мА, /= 1 ГГц

модуль................ -10 дБ

фаза................. 61

Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с обшим эмиттером * при t/кэ = 5 В

при /к= 10 мА,/=0,5 ГГц

модуль................ 8дБ

фаза................. 81°

при /к = 30 мА,/=0,5 ГГц

модуль................ 95дБ

фаза................. 75 °

при /к = 10 мА, /= 1 ГГц

модуль................ 4 дБ

фаза................. 60 °

при /к = 30 мА, / = 1 ГГц

модуль................ 4,5 дБ

фаза................. 59 °

Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером * при t/кэ = 5 В

при /к = 10 мА, /= 0,5 ГГц

модуль................ 1,79

фаза................. - 55 °

при /к = 30 мА, /= 0,5 ГГц

модуль................ 1,45

фаза................. -40°

при /к = 10 мА, /= 1 ГГц

модуль................ 1,67

фаза................. -57°

при /к = 30 мА, /= 1 ГГц

модуль................ 1,38

фаза................. 61 о

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 10 В

тоянное напряжение коллектор-эмиттер при

ПГОО Ом............ . . 8 В

оянное напряжение эмиттер-база....... 0,2 В



Импульсный ток коллектора при 298 К, Ти < 10 мкс

Q>ioo.................;

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Гк = 213 - 303 К...........,75

при Гк = 343 К.............1

Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиления мощности

"Р« !:< = 23 - 303 К........... 300 МВт

при Гк = 343 К.............120

Температура перехода............. 373 к

Температура кристаллодержателя.........От 213

343 t(

При эксплуатации обязательно применение теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход-окружающая среда не более.......... 250 К/Вт

3,5 3,25

3,0 Ь 2,75 2,5 2,25 2,0

1 1 1

1Т387А-2

1 1 Uuc = зв

- п

150 125

100 "в

I 75 cj 50 25

1 1 1з = 50м/

1 1 1Т387А-2

= ЗГ

1Т387

и гп

11 1 l

О Ю 20 30 W 501з,мА О 2 4-6 8 10 0,,8

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера

Зависимость выходной мощности в режиме автогенератора от напряжения коллектор-база


I Г 17387А-2

Oks-78 1д=50мА f = ЗГГц

10 20 30 40 50 Б01з,мА О 10 20 30 40 50Рд,*

Зависимость выходной мощности в режиме автогенератора от тока эмиттера

Зависимость выходной мошн сти от входной в усилите класса С в схеме с общей базо



0 ... 119120121122123124125 ... 297