2 2,5 3 3,5 Ч 4,5f,rrn 2 2,Ь 3 3,5 Ч ТЩгщ

Зависимость коэффициентов шума и усиления от частоты при настройке на максимум коэффициента усиления

Зависимость коэффициентов т\ ма и усиления от частоты пои настройке на максимум коэф-фициента усиления

КТ391А-2 1з=5мА,

5 f,rrn 213 243 273 303 333 363 Т,К

Зависимость коэффициентов шума и усиления в 50-омном тракте от частоты

Зависимость коэффициентов шума и усиления от температуры.

1,5 2 2,5 3 3,5f,ГГц

5f,rr4

Зависимость коэффициентов шума и усиления в 50-омном тракте от частоты

7 J6 5

2Т396А-2, КТ396А-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р илительные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены для усиления сигналов сверхвысоких частот.

Бескорпусные, на никелевом кристаллодержателе, с гибкими выводами и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака

Выпускаются в сопроводительной таре. Обозначение типа приводится на этикетке П Н \оо

Масса транзистора не более U \\~-

База \ Эмиттер 0,003 г Камектор

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при = 2 В, /э = 5 мА не

менее................... 2,1 ГГц

типовое значение 2ТЗ%А-2............ 2,75* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

С/кБ = 2 В, /э = 5 мА, /= 30 МГц не более .... 15 пс

типовое значение 2Т396А-2........... 7,7* пс

Время задержки включения в схеме дифференциального

усилителя * при /к = 20 мА.......... 0,6 не

Время нарастания в схеме дифференциального усилителя * при /к = 20 мА............ 0,8 НС

Время задержки выключения в схеме дифференциального усилителя * при /к = 20 мА........ 0,9 не

Время спада в схеме дифференциального усилителя *

при /к = 20 мА.............. 0,65 НС

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/кЕ = 2 В, /к = 5 мА:

при Г = 298 К.............. 40-250

при Г= 213 К.............. 20-250

при Г= 358 К КТ396А-2 .......... 40-500

при Г = 398 К 2Т396А-2 .......... 40-500

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее ... 10 В

Обратный ток коллектора при f/кБ = 15 В не более:

при Г = 298 К.............. 0,5 мкА

при Г = 358 К КТ396А-2.......... 5 мкА

при Г = 398 К 2Т396А-2.......... 5 мкА

оратный ток эмиттера при СэБ = 3 В не более ... 1 мкА

Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при (/«б = 2 В, /3 = 5 мА, /= 50 - 1000 Гц не более........... 11 Ом

типовое значение 2Т396А-2...........6,1* Ом

Емкость коллекторного перехода при [/б = 5 В не

более...................1,5 пф

Емкость эмиттерного перехода при [/эб = 1 В не

более.................. 2 пф

Емкость конструктивная между выводами коллектора и эмиттера* не более............0,52 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы * не более...................13 нГн

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

ЛэБ = 3 кОм............... 10 В

Посгоянное напряжение эмиттер-база....... 3 В

Постоянный ток коллектора...........40 мА

Постоянный ток эмиттера...........40 мА

Импульсный ток коллектора..........40 мА

Импульсный ток эмиттера...........40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность

при Г= 213 - 338 К 2Т396А-2........30 мВт

при Г= 213 - 323 К КТ396А-2........30 мВт

при Г = 358 К КТ396А-2..........16 мВт

при Г = 398 К 2Т396А-2..........10 мВт

Общее тепловое сопротивление

2Т396А-2................3 К/мВт

КТ396А-2................2,5 К/мВт

Температура перехода

2Т396А-2 ................ 423 К

КТ396А-2 ................ 398 К

Температура окружающей среды

2Т396А-2................От 213 до

398 К

2Т397А-2................От 213 до

358 К

Примечание При эксплуатации транзисторов в составе микросхем с тепловым сопротивлением участка между нижней поверхностью кристаллодержателя и окружающей средой R- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле

макс = (Гп„а.с- 7)/(0,15-ЬЛг),

но ие должна превышать 100 мВт для транзистора 2Т396А-2 и 80 мВт для транзистора КТ396А-2