Ь1 г ЬО \0,9

0,1 0,6

5 ьг < 1,1

8 1S гч 32 Ч01к,мА о 2,5 5 1,5 10 12,50,0

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллек- тора

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база

Ь5 1,25

0,75 0,5 0,25

1,05 1,00 0,95

О 8 16 24 32 401з,мА

Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера

0,90

О 2,5 5 1,5 10 12,5 Uks,в

Зависимость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-база

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

1,3 1,2

г If \1,0

0,9 0,8 0,1

213 243 213 303 333 363 7, К 387

2Т397А-2, КТ397А-2

База. Комептпр Змиттер

Транзисторы кремниевые эпи таксиазьно-планарные п-р-п СВЦ усизительные с ненормированным коэффициентом шума

ПpeднaJHaчeны дзя усизения сигназов высокой частоты

Бескорпусные, на керамиче ском кристаллодержателе, с гибкими выводами и защитным искры-тием на основе кремнийорганического зака Выпускаются в сопроводитезьной таре Обозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не бозее 0,02 г

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером при (/б =5 В, /э = 2 мА не

менее.................. 500 МГц

типовое значение КТ397А-2......... 1 06* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при (/«б =

= 5 В, /э = 2 мА, /=30 МГц не более .... 40 пс

типовое значение 2Т397А-2.......... 18* не

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кб =5 В, /к = 2 мА

при Г = 298 К............. 40-300

при Г =213 К............. 20-300

при Г= 358 К КТ397А.......... 40-600

при Г= 398 К 2Т397А........... 40 - 600

Граничное напряжение при /э = 2 мА не менее ... 25 В Обратный ток коллектора при U, = 40 В не более

при Г = 298 К............. 1 мкА

при Г = 358 К КТ397А.......... 10 мкА

при Г = 398 К 2Т397А.......... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/эб = 4 В не более ... 1 мкА Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при С/б =5 В, /э = 2 мА,

/= 50 - 1000 Гц не более.......... 25 Ом

типовое значение 2Т397А-2.......... 17,5* Ом

Емкость коллекторного перехода при (/б = 5 В не

более................... 1,3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при [/эб =1 В не

более .................. 1,5 пФ

Емкость конструктивная между выводами коллектора

и эмиттера*............... 0,1 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы* ... 13 нГн

Г = 213 - 363 К 2Т397А-2

Г= 213 - 338 К КТ397А-2 при Г = 358 К КТ397А-2 . . при 7"= 398 К 2Т297А-2 . . Обшее тетовое сопротивление . . Температура перехода

2Т397\-2.........

КТ397А-2.........

Температура окружающей среды

2Т397А-2.........

КТ397А-2.............От 2

423 К 398 К

От 213 до

398 К !3 до 358 К

Примечание При эксплуатации транзисторов в составе микросхем с тепловым сопротивлением участка между чижней поверхностью кристаллодержателя и окружающей средой Rf при общем тентовом сопротивлении не более 0,5 К/мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле

/мас = (Г„макс-Л/(0,1+Лг),

но не должна превышать 225 мВт для транзистора 2Т397А-2 и 180 мВт для транзистора КТ397А-2

5 0,9 0,8 0,7 0,6

0 2 4 6 8 101к,мА

8 16 24 32 40Ukb,B

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база

тоянное напряжение коллектор-база......

Л" днное напряжение коллектор-эмнттер при <

""Гю кОм................

Постоянное напряжение эмиттер-база.......

Постоянный ток коттектора...........

Постоянный ток эмиттера..........

Импутьснш ток котлектора при т„ < 10 мкс,

о>г..................

Импутьсный ток эмиттера при т,, < 10 мкс, 0> 2 . . . Постояннач рассеиваемая мощность

40 В 4 В 10 мА 10 мА

20 мА 20 мА

120 мВт 120 мВт 80 мВт 50 мВт 0,5 К/мВт