![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 124125126127128129130 ... 297 „ая зависимость коэф- nP"ur усиления по мощно-Фи""! напряжения коллектор-сти 0 база
О 2,5 5 7,5 10 12,5Uks,B o 12 10 о
КТ399А Uks5B 1з = 5мА ![]() 10 ЮЧОЧ 10 10f,Mru, 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9Т,ГГц Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты Приведенная зависимость коэффициента усиления по мошности от частоты КТ3101А-2 Транзистор кремниевый энитаксиально-плаиарный п-р-п СВЧ >силитетьный с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот Бескорпусный, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической •Фышкой Обозначение типа приводится на этикетке Масса транзистора не более 0,04 г ![]() 0,1 Z 0,5- Электрические параметры Граничная частота при (/кб = 5 в, = 10 мА не менее................. 4,0 ГГц типовое значение.............. 4,5* ГГц Постоянная времени цепи обратной связи при [/кб = 5 в, /э = 5 мА, /=30 МГц не более ... 10 пс типовое значение.............. 5* пс Минимальный коэффициент шума при (7кБ = 5 в, /э = 5 мА, /= 2,25 ГГц не более................. 4,5 дБ типовое значение............3,3* -4,1* дБ при [/кб = 2 в, /э = 2 мА, /= 1 ГГц не более................. 3,0 дБ типовое значение............1,8*-2,2*дБ Максимальный коэффициент усиления по мощности при [/кБ = 5 в, /э=10 мА, /=2,25 ГГц не менее ................ 6 дБ типовое значение............8,2* -9,8* дБ при [/кБ = 2 в, /э = 2 мА, /= 1 ГГц.....13,0- 17,5 дБ Оптимальный коэффициент усиления по мощности * при [/кб = 5 в, /э = 5 мА,/= 2,25 ГГц . . . . 6,3-8,7 дБ при [/кб = 2 в, /э = 2 МА, /= 1 ГГц.....8,0-9,1 дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кб =1 в, /к = 5 мА, Г = 298 К............... 35-300 Обратный ток коллектора при С/кб = 5 в, Г = 298 в не более............ 0,5 мкА Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, [/эб = = 2,5 в не более............ 1 мкА . коллекторного перехода при (Укб = 5 В не Емко<:ть ............... J 5 "повое значение........... 0,65* нФ . эмиттерного перехода при С/эб = 1 В не EMKOJj"................. 2,5 пФ ""типовое значение............ 1,0* пФ Индуктивность вывода базы*. . ....... 2 нГн Индуктивность вывода эмиттера*....... 2 нГн Предельные эксплуатациоииые данные Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при (/35= 10 кОм.............. 15 В Постоянное напряжение э\и1ттер-база....... 2,5 В Постоянный ток коллектора.......... 20 мА Постоянный ток эмиттера........... 20 мА Импульсный ток котлектора при т„ < 10 мкс, Q>1.................. 40 мА Импульсный ток эмиттера при т„ < 10 мкс, Q>1.................. 40 мА Постоянная рассеиваемая мощность при Г = 213 - 318 К........... 100 мВт при Г = 358 К.............. 50 мВт Общее тепловое сопротивтение......... 0,8 К/мВт Температура перехода............ 39g к Температура окружающей среды........ От 213 до 358 К Примечание При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с Лг<0,8 К/мВт
![]() тера 8 12 18 201з,мА Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от тока эмиттера 0 ... 124125126127128129130 ... 297 |