„ая зависимость коэф-

nP"ur усиления по мощно-Фи""! напряжения коллектор-сти 0 база

О 2,5 5 7,5 10 12,5Uks,B

o 12

10 о

КТ399А

Uks5B 1з = 5мА

10 ЮЧОЧ 10 10f,Mru, 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9Т,ГГц

Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты

Приведенная зависимость коэффициента усиления по мошности от частоты

КТ3101А-2

Транзистор кремниевый энитаксиально-плаиарный п-р-п СВЧ >силитетьный с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц

Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот

Бескорпусный, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической •Фышкой Обозначение типа приводится на этикетке

Масса транзистора не более 0,04 г

0,1 Z

0,5-

Электрические параметры

Граничная частота при (/кб = 5 в, = 10 мА не

менее................. 4,0 ГГц

типовое значение.............. 4,5* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

[/кб = 5 в, /э = 5 мА, /=30 МГц не более ... 10 пс

типовое значение.............. 5* пс

Минимальный коэффициент шума

при (7кБ = 5 в, /э = 5 мА, /= 2,25 ГГц не

более................. 4,5 дБ

типовое значение............3,3* -4,1* дБ

при [/кб = 2 в, /э = 2 мА, /= 1 ГГц не

более................. 3,0 дБ

типовое значение............1,8*-2,2*дБ

Максимальный коэффициент усиления по мощности при [/кБ = 5 в, /э=10 мА, /=2,25 ГГц не

менее ................ 6 дБ

типовое значение............8,2* -9,8* дБ

при [/кБ = 2 в, /э = 2 мА, /= 1 ГГц.....13,0- 17,5 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощности *

при [/кб = 5 в, /э = 5 мА,/= 2,25 ГГц . . . . 6,3-8,7 дБ

при [/кб = 2 в, /э = 2 МА, /= 1 ГГц.....8,0-9,1 дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/кб =1 в, /к = 5 мА,

Г = 298 К............... 35-300

Обратный ток коллектора при С/кб = 5 в,

Г = 298 в не более............ 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, [/эб =

= 2,5 в не более............ 1 мкА

. коллекторного перехода при (Укб = 5 В не

Емко<:ть ............... J 5

"повое значение........... 0,65* нФ

. эмиттерного перехода при С/эб = 1 В не

EMKOJj"................. 2,5 пФ

""типовое значение............ 1,0* пФ

Индуктивность вывода базы*. . ....... 2 нГн

Индуктивность вывода эмиттера*....... 2 нГн

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

(/35= 10 кОм.............. 15 В

Постоянное напряжение э\и1ттер-база....... 2,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 20 мА

Постоянный ток эмиттера........... 20 мА

Импульсный ток котлектора при т„ < 10 мкс,

Q>1.................. 40 мА

Импульсный ток эмиттера при т„ < 10 мкс,

Q>1.................. 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность

при Г = 213 - 318 К........... 100 мВт

при Г = 358 К.............. 50 мВт

Общее тепловое сопротивтение......... 0,8 К/мВт

Температура перехода............ 39g к

Температура окружающей среды........ От 213 до

358 К

Примечание При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с Лг<0,8 К/мВт

тера

8 12 18 201з,мА

Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от тока эмиттера