![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 125126127128129130131 ... 297 .3 г =< ~1-г КТ3101А-2 -Г = 1ГГи,- К1пра1э=гмАу/{ . ![]() Kjj, при 1э = 5мА L 0 4 8 12 16 201э,мА Приведенная зависимость коэффициента шума от тока эмиттера. ![]() О г,5 5 I5l0l2jus Приведенная зависимость коэф. фициента усиления по мощности от напряжения коллекзор-база из Ч II -ьг з -г,о -2,2
О 0,4 0,8 1,2 1,6 20Г,ГГи, Приведенная зависимость коэффициента шума от частоты.
О 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0Щ Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты КТ3106А-2 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 120 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты. Бескорпусный, на никелевом кристаллодержателе, с гибкими выводами и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака. Выпускается в сопроводительной таре. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не Шлечтор ЭиттЕр лее 0,003 г. ![]() граничная частота при (.кБ = 2 В, /3 = 5 мА не значение ! ! ! ! ! ! ! ! ! 1,6*-2,2* ГГц ти"" времени цепи обратной связи при Постоя" g 5 ,А, /= 30 МГц не более ... 10 пс "пвое значение............6,4*-9,0* пс /"ьАиЦиент шума при t/кБ = 5 В, /3 = 5 мА, ({оэффин Ом /=120 МГц не более..... 2 дБ пшовое значение............1,06*-1,8* дБ .г.ЛФиНиент усиления но мощности* при Ukb = = 5 В h = 5 "А, /= 120 МГц, Лг = 50 Ом . . . 17-18 дБ этический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Ukr = 5 В, /3 = 5 мА не менее................. 0 типовое значение ............. 100* Граничное напряжение* при /3 = 5 мА..... 21-28 В Обратный ток коллектора при (7кб=15 В не более................. 0,5 мкА Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, иъ = = 2,5 В не более............. 1 мкА Емкость коллекторного перехода при Us = 5 В не более................. 2 пФ типовое значение............. 1,5* пФ Емкость эмиттерного перехода при С/3Б = 1 В не более................. 3,5 пФ типовое значение.............. 3,0* пФ Индуктивность вывода базы*......... 13 нГн Индуктивность вывода эмиттера*....... 13 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при ЭБ < 10 кОм............... 15 В Постоянное напряжение эмиттер-база....... 2,5 В Постоянный ток коллектора.......... 20 мА Постоянный ток эмиттера........... 20 мА Импульсный ток коллектора т„ < 10 мкс, .................. 40 мА Импульсный ток эмиттера при t„ < 10 мкс, ..................40 остоянная рассеиваемая мощность: при Г= 213- 323 К............30 мВт при Г = 358 К..............16 мВт Щее тепловое сопротивление.........2,5 К/мВт температура перехода............. 398 К емпература окружающей среды.........От 213 до 358 К Примечание При эксплуатации транзисторов в соста микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от криста Рх < 2,5 К/мВг "" с й 1,г 0,8 0,6
![]() Ч 8 12 16 г01ц,мА О г,5 5 Ъ5 1012Щв Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость относите зьного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база 1,6 1,4 1,0 •0,8 0,6 0,4
1,15 1,05 1,0 0,95 0,9
о 4 8 12 16 201з,мА О 2,5 5 7,5 10 12,5Uks,B 1,50 1,25 % ьо -0,75 i 0,5 0,25 -КТ3106А-2- -икБ = 5В f =120 МГц 4 8 12 16 201э,мА Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера Зависимость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-база 0 ... 125126127128129130131 ... 297 |