.3 г =<

~1-г

КТ3101А-2

-Г = 1ГГи,-

К1пра1э=гмАу/{ .

Kjj, при 1э = 5мА L

0 4 8 12 16 201э,мА

Приведенная зависимость коэффициента шума от тока эмиттера.

О г,5 5 I5l0l2jus

Приведенная зависимость

коэф.

фициента усиления по мощности от напряжения коллекзор-база

из Ч

II -ьг з -г,о

-2,2

О 0,4 0,8 1,2 1,6 20Г,ГГи,

Приведенная зависимость коэффициента шума от частоты.

О 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0Щ

Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты

КТ3106А-2

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 120 МГц.

Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.

Бескорпусный, на никелевом кристаллодержателе, с гибкими выводами и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака. Выпускается в сопроводительной таре. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не Шлечтор ЭиттЕр лее 0,003 г.

граничная частота при (.кБ = 2 В, /3 = 5 мА не

значение ! ! ! ! ! ! ! ! ! 1,6*-2,2* ГГц

ти"" времени цепи обратной связи при

Постоя" g 5 ,А, /= 30 МГц не более ... 10 пс "пвое значение............6,4*-9,0* пс

/"ьАиЦиент шума при t/кБ = 5 В, /3 = 5 мА,

({оэффин Ом /=120 МГц не более..... 2 дБ

пшовое значение............1,06*-1,8* дБ

.г.ЛФиНиент усиления но мощности* при Ukb = = 5 В h = 5 "А, /= 120 МГц, Лг = 50 Ом . . . 17-18 дБ этический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Ukr = 5 В, /3 = 5 мА не

менее................. 0

типовое значение ............. 100*

Граничное напряжение* при /3 = 5 мА..... 21-28 В

Обратный ток коллектора при (7кб=15 В не

более................. 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, иъ =

= 2,5 В не более............. 1 мкА

Емкость коллекторного перехода при Us = 5 В не

более................. 2 пФ

типовое значение............. 1,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/3Б = 1 В не

более................. 3,5 пФ

типовое значение.............. 3,0* пФ

Индуктивность вывода базы*......... 13 нГн

Индуктивность вывода эмиттера*....... 13 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 15 В

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при

ЭБ < 10 кОм............... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 2,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 20 мА

Постоянный ток эмиттера........... 20 мА

Импульсный ток коллектора т„ < 10 мкс,

.................. 40 мА

Импульсный ток эмиттера при t„ < 10 мкс,

..................40

остоянная рассеиваемая мощность:

при Г= 213- 323 К............30 мВт

при Г = 358 К..............16 мВт

Щее тепловое сопротивление.........2,5 К/мВт

температура перехода............. 398 К

емпература окружающей среды.........От 213 до

358 К

Примечание При эксплуатации транзисторов в

соста

микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от криста Рх < 2,5 К/мВг "" с

й 1,г

0,8 0,6

Ч 8 12 16 г01ц,мА О г,5 5 Ъ5 1012Щв

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость относите зьного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база

1,6 1,4

1,0 •0,8

0,6 0,4

1,15

1,05

1,0 0,95 0,9

о 4 8 12 16 201з,мА О 2,5 5 7,5 10 12,5Uks,B

1,50 1,25

% ьо

-0,75 i 0,5 0,25

-КТ3106А-2-

-икБ = 5В f =120 МГц

4 8 12 16 201э,мА

Зависимость относительной граничной частоты от тока эмиттера

Зависимость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-база