г к, ПС

ость постоянной време-Зависим , ой связи от тока ниэмиттера.

10 30 50 701з,мА

КТ633Б

транзистор кремниевый эпитаксиальио-планарный п-р-п СВЧ универсальный.

Предназначен для работы в усилительных и и\1пульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 3 г.

П7СЗ

□ at

Эмиттер

Кол/гектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при С/кв = 1 В, /э = 10 мА...... 20-160

Раничное напряжение* при = 10 мА не менее ... 15 В ряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

~ 100 мА, /б = 10 мА не более......... 0,6 В

апряжение насыщения база-эмиттер при = 100 мА,

fi= 10 мА не более............. 1,5 В

типовое значение.............. 0,85* В

Время рассасывания при = 10 мА, /б = Ю мА не более зд

типовое значение.............. 6 * "

Время выключения* при (Уэб = 1,5 В, /=10 мА ""

/б = 3 мА................[ g

Время выключения* при (Уэб = 1,5 В, 1=10 мА,

/б = 3 мА................. 13 Не

Модуль коэффициента передачи тока на /= 100 МГц,

при t/o = 10 В, /к = 100 мА не менее...... 5

Постоянная времени цепи обратной связи * при/= 5 МГц,

t/K = 10 В, /э = 30 мА............ 10

Емкость коллекторного перехода при (Уб = 10 В не более 4,5 Емкость эмиттерного перехода при (Уэб = 0,5 В не более 25 пф Обратный ток коллектора при Скб = 30 В не более ... ю Обратный ток эмиттера при (Уэб = 4,5 В fie бозее . . . ю кд Обратный ГОК коллектор-эмиттер при (Уэ = 30 В не более 3 мд Коэффициент шума* при/=20 МГц, (Уб = 5 В, /3 = 5 мА 5

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряженке коллектор база...... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4,5 В

Постоянный ток коллектора.......... 0,2 Д

Импульсный ток коллектора при т,, < 10 мкс, Q > 50 0 5 А

Постоянный ток базы.............О 12 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г, = 228 - 298 К............ 1,2 Вт

при = 358 К..............0,24 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при т„ < 10 мкс, Q > 50

при Г = 228 - 298 К............0,72 Вт

при Г = 358 К...............О 15 Вт

Тепловое сопротивзение переход-окружающая среда 347 К/Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус.......104 К/Вт

Температура окружающей среды.........От 228 до

358 К

Примечание Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки не бозее 523 К в течение не более 10 с при наличии теплоотвода в месте пайки Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мМ от корпуса транзистора Допустимая величина электростатического потенциала 1000 В

д sfmisoгоогвозоо i,ma о so 100isoгоогвозоо Ii,ma

симость статического коэф- Зависимость напряжения насы-

Jj,u" ента передачи тока от тока

коллектора

щения коллектор-эмиттер от тока коллектора

1к,мА

180 150 120 90 во 30

"213

90 80 70 60 50 Ю 30 20

о f 8 12 16 20 24- Uks,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

О 2 Ч В 8 10 12 Uf(e,B

Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база

За -

фщ"°сть статического коэф-ч"чиента передачи тока от тока коллектора

1,6 1,4 1,2 1

0,8 0,6 0,4 0,2

100 гоо 300 Ii,ma