КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п сВц

""преГазначены для применения в «еме с общей базой в у,,, тельных и генераторных устройствах в диапазоне 1-7,2 ГГц в гер,, тизируемой аппаратуре Бескорпусные, на метатюк.р,

мическом держателе, с позосковы ми выводами Условное обозна чение типа приводится на верхней части держателя КТ640А-2 - мер пая по зоска, КТ640Б-2 - белая по-лоска, КТ640В-2 - синяя noiocta Обозначение типа приводится в этц. кетке

Масса транзистора не бо-лее 0,2 г

Зми-ттер

Электрические параметры

Выходная мощность при /= 7 ГГц, (Укб = 5 В, = = 45 мА, Р, = 25 мВт

КТ640А-2, КТ640Б-2 не менее.........80 мВт

типовое значение.............100 мВт

КТ640В-2, типовое значение.........80 мВт

Коэффициент усиления по мощности при /= 7 ГГц, (7кБ=15 В, /к = 45 мА, /вх = 25 мВт КТ640А-2,

КТ640Б-2, типовое значение.......... 6 дБ

Фаза коэффициента передачи тока при /= 1 ГГц, t/кБ = 5 В не более КТ640А-2

при /к = 30 мА.............0,33 рад

при /к = 50 мА..............0.47 рал

КТ640Б-2, КТ640В-2

при /к = 30 мА.............О 26 рад

прн /к = 50 мА..............0,44 рад

Граничная частота коэффициента передачи тока при t/кБ = 5 В не менее КТ640А-2

при /к = 30 мА.............3,0 ГГц

прн/к = 50 мА..............2,1 ГГц

КТ640Б-2, КТ640В-2

при /к = 30 мА.............3,8 ГГЦ

при /к = 50 мА..............2,3 1 1 "

типовое значение

при/к = 30мА..............5,0 П

при/к = 50мА..............4,0

Критический ток* при f/кБ = 5 В, типовое значение зим

ффициента обратной передачи напряжения в МоД""с обшей базой при Uks =15 В, /к = 30 мА, cjToO МГЦ не более

SSSsi КТ640В.: : :::::::::: й!;-

ная времени цепи обратной связи на высокой 1Постоян [/кБ=15 В, /к = 30 мА, типовое зна-

частоте н

-ГтиА-г................ 0,6 пс

КТ640Б-2, КТ640В-2............ 1,0 пс

ггъ коллекторного перехода при t/кБ = 15 В не

Е"" ................1,3 пФ

5„°повое зн;чение.............. 0,9* пФ

Активная емкость коллектора* при (7кб=15 В, типовое значение................ 0,15 пФ

Г ткмарная активная и пассивная емкость коллектора *

при Скб = 15 В, типовое значение....... 0,50 пФ

Емкость коллектор-эмиттер*, типовое значение . . . . 0,12 пФ

Емкость коллекторного вывода*, типовое значение 0,28 пФ

Емкость эмиттерного вывода*, типовое значение . . . 0,16 пФ Емкость эмиттерного перехода при [/эб = О не более 3 пФ

типовое значение.............. 1,8* пФ

Сопротивление базы*, типовое значение...... 4 Ом

Последовательное сопротивление коллектора *, типовое

значение.................. 2 Ом

Индуктивность вывода эмиттера внутренняя *, типовое

значение.................. 0,5 нГн

Индуктивность вывода базы внутренняя *, типовое значение ................... 0,3 нГн

Индуктивность вывода коллектора внутренняя *, типовое

значение................. 0,5 и Гн

Обратный ток коллектора при [/«б = 25 В не более 1 мА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 3 В не более 0,1 мА Минимальный коэффициент шума * при Кур = 8 дБ КТ640А-2, типовое значение

при С/кБ = 15 В, /к = 10 мА, /= 4 ГГц......5,5 дБ

при Ukb = 10 в, /к = 15 мА, /= 6 ГГц......8,0 дБ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 25 В

остоянное напряжение эмиттер-база....... 3 В

достоянный ток коллектора.......... 60 мА

остоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г от 213 К до Гк = 333 К...... 600 мВт

Х "Р" к = 398 К.............. 165 мВт

ловое сопротивление переход-корпус....... 150 К/Вт

I мпература перехода............. 423 К

мпература корпуса.............. От 213

до 398 К

Примечание. Монтаж транзисторов в схему осущест припайкой металлизированного основания держателя к теп ""ч ду при Т < 423 К. Допускается пайка выводов на расстоя менее 2 мм от держателя при Т < 533 К, допускается пайка" водов на расстоянии 0,5 мм от держателя при Г < 423 К в т не более 3 с. """Ие

Не рекомендуется напряжение питания более 15 В.

О 10 20 30 40 501к,мА

3 6 9 Щв,8

Зависимость фазы коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость фазы коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база

Зависимость модуля коэффициента обратной передачи напряжения от тока коллектора.

Зависимость модуля «оэффид ента обратной передачи й»Р жения от напряжения колл тор-база.