Обратный ток эмиттера при t/эБ = 0,4 В не более

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В...........30

ГТЗ 1 ЗА, ГТЗ 13Б, ГТЗ 13В..........50

Емкость коплекторного перехода при (/«б = 5 В не более 2 5 пФ

типовое значение* 1ТЗПА, 1Т313Б, IT3I3B . . . . Постоянная времени цепи обратной связи при С/кб= 5 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц не более

IT313A, ГТ313А, ГТ313В.......... 75

1Т313Б, 1Т313В, ГТ313Б.......... 40 „с

типовое значение*

1Т313А................ 38 пс

1Т313Б................ 17 пс

1T3I3B................ 20 пс

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к= 15 мА,

/б =1,5 мА не более............ 07в

типовое значение *

1Т313А, IT313B............. 04 В

1Т313Б................0,45 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к=15 мА,

/б= 1,5 мА не более............ 0,6 В

типовое значение *

IT313A, 1Т313Б.............0,46 В

1Т313В................0,48 В

Граничное напряжение при /э=10 мА 1T3I3A, 1Т313Б,

1T3I3B не менее.............. 7 В

типовое значение*............. 10 2 В

Коэффициент шума при С/кб= 5 В, /э= 5 мА, Rf= 75 Ом,

/=60 МГц 1Т313В не более.......... 8 дБ

типовое значение *........... . . . 5 2 дБ

Емкость эмиттерного перехода при С/эб = 0,26 В, /=10 МГц не более

1Т313А................ 18 иФ

1Т313Б, 1Т313В............. 14 пФ

типовое значение *

1Т313А................11 6 пФ

1Т313Б................ 10 пФ

1Т313В................10,7 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база при Г<318 К

1Т313А, 1Т313Б, 1T3I3B.......... 12 В

ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В.......... 1* В

при Г= 343 К 1Т313А, 1Т313Б, IT313B..... 7 В

при Г= 328 К ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В..... П В

Импузьсное напряжение коллектор-база прп т„ < 1 мкс и коэффициенте заполнения не бозее 0,1 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В

при Г < 318 К.............. 20 В

при Г= 343 К.............. 15 В

гное напряжение коллектор-эмиттер "при Лб/э < 10 ТЗИА 1Т313Б, 1Т313В

при при

Г< 318 К Г = 343 К

, Лэ>500 Ом Лб<2 кОм ГТЗПА, ГТ313Б,

гтзпв.................

при Лбэ = 500 Ом ГТЗПА, ГТ313Б, ГТ313В . . .

Постоянное напряжение эмиттер-база........

постоянный ток колтектора

Т13А, 1Т313Б, 1Т313В...........

РТИЗА ГТ313Б, ГТ313В...........

стоянная рассеиваемая мощность коттектора " при Г= 213 - 315 К 1Т313А, 1Т313Б 1Т313В. . . .

ПРИ Г= 343 К 1Т313А 1Т313Б 1Т313В......

при Г= 213 - 293 К ГТЗПА, ГТ313Б, ГТ313В . . .

при Г= 328 К ГТЗПА ГТ313Б, ГТЗПВ......

Температура перехода

1Т313А 1Т313Б, 1Т313В...........

ГГ313А ГТЗПБ ГТЗПВ...........

12 В 7 В

15 В 12 В 0,7 В

50 мА 30 мА

100 мВт 35 мВт 100 мВт 50 мВт

358 К 343 К

Температура окр> лающей среды

IT313A, 1Т313Б, 1Т313В.........От 213 до 343 К

ГТЗПА, ГТЗПБ, ГТЗПВ........От 233 до 328 К

S 0,1 0,01 0ftO1

40 20

Зона возможных потожений зависимости обратного тока коллектора от температуры

Зона возможных положений зависимости модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

213 233 253 273 293 313 7,К

Зависимость коэффициента передачи тока от температуры

5 Ч-3

О 8 16 24 32 Ч01з,мА 421

8 7 В 5 Ч 3

О 40 80 120 1ВО 200 f, МГц

Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты

О 100 200 300 чтооТТмгц

Зона возможных положении зависимости модузя коэффициен! та передачи тока от частоты

2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р высокочастотные и СВЧ усилительные Предназначены для усиления высокочастотных и сверхвысокочастотных сигналов и для работы в схемах переключения

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 0,5 г

Т3,5

«о

Ба.за.

Коллектор

Змиттер

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при = 2 В, /э = 10 мА при Г = 298 К

2Т326А, КТ326А.............20-70

2Т326Б, КТ326Б.............45-160

при Г=213 К

2Т326А, 2Т326Б не менее........0,3 значения при

Г= 298 К

КТ326А...............От 0,3 значения

при Г = 298 К до 70