1/-Т326Б...............От 0,3 значении

при Г= 298 К до 160

г= 398 К

пр" ~j-(,a 2Т326Б, не более.........2 значения при

Г = 298 К

КТ326А...............От 10 до 2

значений при Г = 298 К

КТ326Б...............От 22 до 2

значений при Г = 298 К

UnavTb коэффициента передачи тока при t/кБ = 5 В, , = 10 мА, / = 100 МГц не менее

Т326А................. 2,5

2Т326Б ................. 4

КТ326А, КТ326Б............. 4

Обратный ток коллектора при Ukb = Ю В не более

при 7"= 298 К..............0,5 мкА

при Г = 398 К..............10 мкА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 4 В не более

прц Г = 298 К..............0,1 мкА

при Г = 398 К 2Т326А, 2Т326Б........10 мкА

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 10 мА

/б = I мА не более.............. 1,2 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при =

= 10 мА, /б = 1 мА не более........ 0,3 В

Постоянная времени цепи обратной связи при [/«б = 5 В,

/э = 10 мА, /= 5 МГц не более........ 450 пс

Емкость коллекторного перехода при [/б = 5 В не более 5 пФ Емкость эмиттерного перехода при [/эб = О не более 4 пФ

Предельные эксплуатациоииые даииые

Постоянное напряжение колтектор-база....... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер..... 15 В

С)ммарное постоянное и переменное напряжение колтектор-эмиттер в режиме уси тения при Лэб ЮО кОм 20 В

Постоянный ток колтектора.......... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность колтектора

при Г= 213 - 298 К 2Т326А, 2Т326Б..... 250 мВт

при Г = 398 К 2Т326А, 2Т326Б....... 83,3 мВт

при Г= 213 -ЗОЗ К КТ326А, КТ326Б..... 200 мВт

при Г= 398 К КТ326Л, КТЧ26Б....... 41,7 мВт

температура перехода

2Т326А, 2Т326Б.............. 448 К

КТ326А, КТ326Б.............. 423 К

емпература окружающей среды.......От 213 до 398 К

2T326A, 2Т326Б- KT326A, КТ326Б-

100 80 60 40 20

Зависимость тока базы от напряжения эмиттер-база

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока козлектора

.to 0,8

i 0,8 = 0,4 0,2

10 20 30 40 501ц,мА

1,2 1,0

<й 0,8

\ 0,6

0,4

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока козлектора

2 4 6 8 101к,мА

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

1,2 1,0 0,8

io,6

="0,4 0,2

120 100 80 60

40 20

О 1 2 3 4 5Is,ma

5,0 4,0 3,0 2,0 1,0

, исимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

03,f 2,5

Ь5 1,0 0,5

О

1 2 3 4 5изБ,В

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база

ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц

Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин BOTH с автоматической регулировкой усиления

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса

Масса транзистора не более 2 г

Эмиттер

Коллектор

База

Электрические параметры

Граничная частота

при С/кБ = 10 В, /э = 2 мА не менее

ГТ328А................ 400 МГц

ГГ328Б, ГТ328В............. 300 МГц

При с/кБ = 5 В, /э = 10 мА не более......90 МГц

остоянная времени цепи обратной связи при Е/б = Ю В, ~1У /= 15 МГц не ботее

[128А................ 5 ПС

Коэл/" ~Г328В............. 10 пс

оэффициент шума при [/кб = Ю В, /д = 2 мА, г-"5 Ом, /= 180 МГц не более....... 7 дБ