Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кэ = 0,3 В, /э = 10 мА, не менее

КТ337А................ 30

КТ337Б................ 50

КТ337В................ 70

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /« = 10 мА, /ь = 1 мА не более............. 0,2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 10 мА,

/б = 1 мА не более............. [ g

Емкость коллекторного перехода при t/кБ = 5 В, /= 10 МГц не более............. 6 пф

Емкость эмиттерного перехода при t/эБ = О, / = 10 МГЦ не более.................. g

Обратный ток коллектора при [/«б = 6 В не более ] мкА

Обратный ток коллектор-эмнттер при С/э = 6 В, Лбэ = 10 кОм не более.............5 ,,д

Обратный ток эмиттера при (/эб = 4 В не более ... 5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмнттер при Лбэ 10 кОм.......... 6 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора...........30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Г < 333 К...............150 мВт

при Г = 358 К..............108 мВт

Температура перехода............. 423 К

Тепловое сопротивление.............0,6 К/мВт

Температура окружающей среды.........От 233

до 358 К

ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц.

Предназначены для усиления сигналов, в дециметровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 1 г.

Эмиттер

База Коппектор

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 20 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

при ЛэБ = О............... 20 В

при = 5 кОм............. 15 В

остоянное напряжение эмиттер-база........ 0,3 В

остоянный ток котлектора........... 10 мА

остоянная рассеиваемая мощность....... 50 мВт

емпература перехода............. 358 К

емпература окружающей среды......... От 233

до 328 К

ничная частота при Ukb =10 В, Ij = 2 мА не

"?.46А................. 700 МГц

ГТ346Б, ГТ346В.............. 550 МГц

яиная времени цепи обратной связи при Us = Ю В, Tt 2 мА не ботее

Vt346A................. 3 пс

ГГ346Б................. 5,5 пс

ГТ346В................. 6 пс

Коэффициент ш>ма при 6кб = Ю В, /э = 2 мА, D = 75 Ом не более

ГТ346А при /= 800 МГц.......... 7 дБ

ГТ346Б при /= 800 МГц.......... 8 дБ

ГГ346В при /= 200 МГц.......... 7 дБ

Коэффициент усиления по мощности при Ub = Ю В,

/э = 2 мА. /"= 800 МГц не менее.......10,5 дБ

Коэффициент обратного усиления по мощности при = 10 В, /э = 2 мА, / = 800 МГц не менее

ГТ346А................. 20 дБ

ГТ346В................. 12 дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ukb = О В, /э = 2 мА при Г = 298 К

ГТ346А, ГТ346Б..............10-150

ГТ346В.................15-150

при Г = 233 К не менее.......... 3,5

при Г = 328 К не более..........3 значения

приГ= 298К

Обратный ток коллектора при С/кб =5 В не более

при Г = 298 К..............10 мкА

при Г = 328 К..............100 мкА

Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, (Уэб = 0,3 В

не ботее..................100 мкА

Емкость коллекторного перехода при Uks = 5 В не более...................1,3 пФ

Зависимость постоянной вор ии цепи обратной связи от т " эмиттера.

1 2 3 Ч- 5 В1ч.мА

КТ347А, КТ347Б, КТ347В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ универсальные маломошные

Предназначены дзя работы в переключающих, импутьсных и усилительных схемах высокой частоты

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 0,5 г

Коннектор

Электрические параметры

Граничная частота при t/кБ = 5 В, /э = 10 мА не менее 500 МГц Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при/к = ЮмА,

/б = 1 мА не бозее............. 0,3 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/б = 0,3 В, /э = 10 мА

КТ347А, КТ347Б.............. 30 - 400

КТ347В................. 50-400

Время рассасывания при = 10 мА, /б = 1 мА не более

КТ347А, КТ347Б.............. 25 не

КТ347В................. 40 нс