h2l3.H

2/S 313 S53 T,K Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры

О 40 80 120 160 200 /1213 Зависимость коэффициента пе-педачи тока в импульсном режиме от статического коэффициента передачи тока

2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В

транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п высоковольтные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в импульсных модуляторах.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе. Вывод эмиттера маркируется условной точкой на корпусе.

Масса транзистора не более 20 т.

22 J2,S,

Таза

Эмиттер Условная точка

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при = = 2,5 А, /б = 1,5 А не более..........

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 2,5 А, б = 1,5 А не более.............

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: при Г = 298 К, t/кэ = 15 В, /к = I А:

2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б.......Ю - 100

КТ704В не менее............. 10

при Г = 373 К, t/кэ = 10 В, /к = 0,5 А 2Т704А, 2Т704Б.............6-300

при Г= 213 К, С/кэ = 15 В, /к = 1 А 2Т704А, 2Т704Б.............6-100

Модуль коэффициента передачи тока при / = 1 МГц,

f/кБ = 15 В, /к = 0,1 А не менее........ 3

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = Ю Ом не более при Г= 298 К

2Т704А, КТ704А при t/кэ = ЮОО В...... 5 мА

2Т704Б, КТ704Б при t/кэ = 700 В...... 5 мА

КТ704В при t/кэ = 500 В......... 5 мА

при Г= 373 К и Г= 213 К

2Т704А при t/кэ = 700 В.......... 10 мА

2Т704Б при t/кэ = 500 В.......... 10 мА

Обратный ток эмиттера при иэ = 4 В не ботее ... юо мА

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 10 Ом или f/Бэ = 1.5 В при Г = 213 - 373 К

2Т704А................ 500 В

2Т704Б................ 350 В

при = 263 - 333 К КТ704Б, КТ704В..... 400 В

при Г, = 228 - 358 К КТ704А......... 500 В

Импульсное наиряжение коллектор-эмнттер при Лбэ = = 10 Ом или Сбэ = 1.5 В, Ti, = 1 - 10 мс, Тф > 10 мкс, е > 50 и т„ < 1 мс, Тф > 10 мкс, Q> W при = 233 - 353 К

2Т704А, КТ704А............. 1000 В

2Т704Б, КТ704Б............. 700 В

КТ704В................ 500 В

при Г, = 213 - 373 К

2Т704А................ 700 В

2Т704Б................ 500 В

Постоянное наиряжение база-эмиттер при Г = 213-

- 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Г = 228 - 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В.......... 4 В

Постоянный ток коллектора при = 213 - 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Г, = 228 - 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В.................. 2 5 А

Импульсный ток колтектора при т,, < 10 мс Q > 2, Г, = 213 - 373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Г, = 223 -

- 353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В....... 4 А

Постоянный ток базы при = 213 - 373 К 2Т704А,

2Т704Б и при = 223 - 353 К КТ704А, КТ704Б,

КТ704В.................. 2 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при = = 213 - 323 К (при Г„ = 228 - 323 К КТ704А, КТ704Б,

КТ704В).................. 15 Вт

Температура перехода............. 398 К

Температура окружающей среды

2Т704А, 2Т704Б..............От 213 К до

Г, = 373 К

Jrr04A КТ704Б, КТ704В..........От 228 К до

Г, = 358 К

[Примечания I Максиматьно допустимая постоянная рассеи-„а мощность коллектора, Вт, при > 323 К определяется по

gaCMa*

е /?гп ктепловое сопротивление переход-корпус, определяемое области максимальных режимов За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 13 мм со стороны опорной поверхности

2 Пайяс! выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора

Ь5 Ь2 0,8 0,4

о 0,4 0,8 1,2 1,603,8 Входные характеристики

1э> 5

О 0,2 0,4 0,5 0,8Us3,B

Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер

"213 50

20 10

О 0,5 1 1,5 2 1„А

ависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

20 IS

8hlh