СэПФ 500

О 1

80 ВО 10 20

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер

Зависимость емкости коллектоп ного перехода от напряженщ коллектор-база

20 10

j0,9 %0,8 0,7

213 253 293 333 373Тк,К

10 10 10 101 10Rb3,0m

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмнттер от сопротивления база-эмиттер

0,6-

0,2-

0,1-. 0,06 -0,04

. Вимпульсном режиме \ Oi3-1,SBumRs3100 пппк 950,г,=1-Юис,Гд,>10мнс--gggpgffl.y Ыс,т >10тс

0,002 0,001

1 г 4 61020 4060100 200 0/13,8

06 6,4

0,2 0,1 0,06 0,04 0,02 0,01 0,006

0,002 0,001

КТ704,

гТ704Б,

Б,!<гтв

На постоянном тоне

Г, =323К -Т„398К

В импульсном ре,киме 0з=-1,ВВили RssIOOm -Л > 50,T„=1-10Mc,Tf,i10MKC илиС110,т,1мс,Гд1»10мкс

2 4 610 20 40Б0100200 Ui3,B

ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д

Трап

• исторы германиевые ставные п-р-п уснтнтельные низко-

уе мошные

""" ПреД""*" Р"" схемах усилителей мошности

„кОЙ частоты

н пускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-и Обозначение типа приводится на корпусе "Масса транзистора не более 15 г

0 10, S 39,г

Эмиттер Коллектор JKIS.SS

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = = 15 А, /б = 0,1 Л не более.........

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1,5 А, 4 = 0,1 не более..............

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при СГэ = В, /э = 0,05 А

ГТ705А, ГТ705В..............

ГТ705Б, ГТ705Г..............50-100

ГТ705Д................. 90-250

Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = 2 В, /к = 0,5 А не менее ..................

Линейность статического коэффициента передачи тока = (/i2i3 при /э = 0,05 A)/(/i2i3 при /э = 1.5 А) . . .

Обратный ток коллектора при t/кБ = 20 В ГТ705А, ГГ705Б, ГТ705Д, при (/кб = 30 В ГТ705В, ГТ705Г не более..................0,5 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = 50 Ом, fK3 = 25 В ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д и при

}кэ = 36 В ГТ705В, ГТ705Г не более......1,5 мА

братный ток эмиттера при (/бэ = 10 В не более ... 0,3 мА

Предельные эксплуатационные данные

°?""ное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 50 Ом, = 233 - 328 К Т705А, ГТ705Б, ГТ705Д.......... 20 В

30-70

10 кГц

0,6-1,5

ГТ705В, ГТ705Г............. 30 в

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = 50 Ом, т„ < 3 мс, > Ю:

ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д.......... 2 л

ГТ705В, ГТ705Г.............. 35

Постоянный ток коллектора при = 233 328 К . . . 3 5 д Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

с теплоотводом при = 233 ч-313 К.....

без теплоотвода при Г= 233 - 308 К...... 1,6 в

Температура перехода............. 358

Тепловое сопротивление переход-корпус...... 3

Тепловое сопротивление переход-среда.......30

Температура окружающей среды.........233 до

= 328 К

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная pjj-сеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом т. = 313 328 К определяется по формуле

Рк макс = (358 - Г,)/3. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, без теплоотвода при Г = 308 328 К опредетяется по формуле 333 3

2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 6 мм от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружением и т. д.) при условии, что температура в любой точке корпуса не превыщает предельно допустимую температуру окружающей среды

При включении транзисторов в электрическую цепь коллекторный контакт должен присоединяться последним и отсоединяться первым. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами.

КТ801А, КТ801Б

Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные п-р-п мощные.

Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной разверток, вторичных источниках питания.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 4 г.

3Z 3 Намлентор Змиттер