fg,5.

Эмиттер p/j

база

Коллектор

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока

в схеме с общим эмиттером при t/кБ = Ю В,

/э = 0,5 А не более.......... 20 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме

с общим эмиттером при t/кБ = 10 В, /« = 5 А:

2Т803А............... 10-50

КТ803А .............. 10-70

при Г=213 К 2Т803А........ 6-50

при Гк = 233 К КТ803А не менее..... 6

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при

/к = 5 А, /б = 1 А............0,5*-1,75*-2,5 В

Статическая крутизна прямой передачи в схеме

с общим эмиттером при t/кэ = Ю В, /к = 5 А

не менее............... 2 А/В

Время включения * при f/кэ = 40 В, /к = 6 А,

т„ = 0,5-10 мкс............ 0,1-0,3 мкс

Время вь!ключения * при бкэ = 40 В, /к = 6 А,

т„ = 0,5-10 мкс............ 0,1-0,4 мкс

Время рассасывания* при /к = 1,5 А, Лиас = 2,

Л„ = 10 Ом, т„= 10 мкс......... 0,6-2,5 мкс

Емкость коллекторного перехода* при бкБ = Ю В 300 - 400 - 500 пФ Обратный ток коллектор-эмиттер при Лэб

< 100 Ом:

при Гк = 213 К и 298 К, бкэ = 70 В . . . . 5 мА

при Гк = 398 К, tfK3 = 60 В...... 15 мА

Обратный ток эмиттера при бэБ = 4 В ие более:

2Т803А............... 20 мА

КТ803А............... 50 мА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн Лэб . g

< 100 Ом.................

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при 1/эб ~

= 2 В, т„ < 10 мкс, Q>2.......... 80 В

Постоянное напряжение эмнттер-база.......

посто""""" (.Сбиваемая мощность транзистора ПостоИ"*7-213- 323 К 2Т803А.....

ток коллектора.......... 10 А

"р" f = 233 - 323 К КТ803А "р" т = 373 К КТ803А . .

60 Вт 60 Вт 30 Вт

"р" / = 398 К 2т803а.......... 15 Вт

"р" сопротивление переход-корпус......1,66 К/Вт

"Гратура перехода............. 423 К

„ятуоа окружающей среды

TSa..............От 213 до г, = 398 К

{т-803а.............От 233 до г, = 373 К

Примечание. При температуре корпуса более 323 К рассеи-мощиость транзистора, Вт, рассчитывается по формуле:

макс = 60 - (г, - з23)/Лгп к

о 5 10 15 го 25Uk3,B Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмнттер

т-1-1-1-

гТ803А,КТ803А

ОКБ = 10 В Г = 10МГи,

0 12 3 4 51з,А

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Cif,n<P 600

"213 30

Ю го 30 40 50Uns,B

Hof"ocTb емкости коллектор-перехода от напряжения коллектор-база

0 2 4 6 8 Ю1ц,А

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ КТ805ВМ

Транзисторы кремниевые эиитаксиальные п-р-п переключат низкочастотные мошные. ельнь

Предназначены для применения в схемах выходных

строчной развертки телевизоров, систем зажигания двигателей

каскадов

ВНут.

реннего сгорания.

Транзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в металлостек ном корпусе с жесткими выводами.

Транзисторы КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ выпускаются пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24 г в пластмассовом не более 2,5 г.

Эмиттер

Коллектор

кттл, ктао5Б

10 у

1,ZS

10,7

ui LJLLjLJ

-База

-Коллектор -Змиттер

КТа05Ш,КТВ05бМ, НТ805ВМ