Импульсное напряжение коллектор-эмиттер.....

Постоянное напряжение эмиттер-база....... "„

Постоянный ток коллектора.......... Os*

Импульсный ток коллектора при т„ < 1 мс, Q > 2 . . . 1 5 д

Постоянный ток базы............. Од

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при Г = 233 - 343 К........... ,0 „

при Г= 358 К.............. J

Тепловое сопротивление переход-корпус....... g j.g

Температура перехода.............42з

Температура окружающей среды.........От 233

до 358 К

Примечание При температуре окружающей среды от ц- до 358 К рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле

К„акс = (423-Г)/Йт.-С

2J3 273 313 Т,К

0,2 0,4 1к,А

\0,8

О

гЗЗ 273 313 JS3T,K

Зона возможных пото/кенин зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры

Зона возможных положенпй зависимости статического коэффициента передачи тока от тока колтектора

Зона возможных потожений за-вис11\гости напряжения насышения колтектор-эмнттер от температуры

2Т808А, КТ808А

нзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п переключательные ,1чГстотные мощные

г\ едназначены для работы в ключевых схемах, генеразорах ной развертки, электронных регуляторах напряжения °ВыпУ<-а<тся в мета-злостекзянном корпусе с жесткими выводами.

начение тина приводится на корпусе "масса транзистора не более 22 г, накидного фланца 12 г

13,4jm.

Эмиттер 023,5

База

Коллектор

Электрические параметры

Напряжение насышения база-эмиттер при ~

/ = 06 А.................1*-25 В

типовое значение.............. 1.4* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U = 3 В, / = 6 А

при Г= 298 К .............. 10-50

типовое значение.............. 15*

прн Г= 398 К 2Т808А и Г= 373 К КТ808А . . . . 10-150

при Г=213 К.............. 6-50

Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Г = 398 К к статическому коэффициенту прп Т = 298 К не более .... 3 Время рассасывания при U = 15 В, / = 6 А не более 2 мкс Модуль коэффициента передачи тока при / = 3,5 МГц,

fK3=0 В, / = 0.5 Л не менее........ 2,4

Емкость коззекторкого перехода при (73=10 В,

/= 1 МГц ие бозее............. 500 пФ

Обратный ток коззектор-эмиттер при Лбэ = Ю Ом

при Г= 298 и 213 К, f/кэ = 200 В 2Т808А и

кэ = 120 В КТ808А не бозее......... 3 мА

Типовое значение.............0,1* мА

при Т= 398 К, Ькэ= 160 В 2Т808А не более ... 20 мА при Г= 373 К, С/кэ = 120 В КТ808А не более ... 20 мА ратный ток эмиттера при С/бэ = 4 В не более ... 50 мА типовое значение.............4* мА

50 40

•JO %20

ц1 2т808А, КТ808А

298 Згз 348 373 398Т„/

Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

0,2 0,4 0,6 0,8иэБ,В Входные характеристики

Постоянное напряжение коттектор-эмиттер при R =

= 10 Ом, Г„< 373 К........... ,20 R

Импульсное напряжение коттектор-эмиттер при f/gg = 2 В

ити «БЭ = 10 Ом т„ < 500 мкс. 2 > 6, < 373 К . . . 20)

Постоянное напряжение эмиттер-база при Г = 213 - 398 К 4 g

Постоянный ток колтектора при Г= 213 - 398 К . . . [q .

Ток базы при Г = 213 - 398 К.......... 4

Постоянная рассеиваемая мощность колтектора

при Г., = 213 - 323 К с тенюотводом.....50 Вт

при Г= 213 - 323 К без теплоотвода...... 5 g..

Teii ювое сопрогив юнне переход корпус.......2 К/Вт

Температура перехода............. 423

Температура окружающей среды

2Т808А................От 213 до

= 398 к

КТ808А................От Г = 213 К

до Г, = 373 К

Примечания 1 Постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при 1 = 373 - 423 К снижается линейно на 10"„ через каждые 10 К

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур

Для снижения контактного теплового сопротивления между корпусом и теплоотводом необходимо применять смазку из невысыхающего масла или тонкую фольгу из мягкого метатла

2 Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора