г,висимость статического коэф-Гиииента передачи тока от тока коллектора

25 20 15 10

213 253 293 333 373Т„,К Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса

40 30

100 50

213 253 293 333 373Т,,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока корпуса

О 10 20 30 чаоцв

Зависимость емкости котлекторного перехода от напряжения коллектор-база

\ 8 t В

Зав1

Ofi 0,8 1,г 1,В 1„А

1 г ЧБ810

щ. ""ость напряжения насы-я коллектор-эмиттер от тока базы

100 О,„8

2Т809А, КТ809А

Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п переключате низкочастотные мощные Ыe

Предназначены для работы в ключевых н импульсных

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими дами Обозначение типа приводится на корпусе лво.

Масса транзистора не более 22 г, накидного фланца не более

Эмиттер

База

Коллектор

1>23,5

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при

/к =2 А, /б = 0,4 А..........0,22*-0,6*-i,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /« =

= 2 А, /б = 0,4 А...........1,03*-1,3*-2,3 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«э = 5 В, /к = 2 А.

при Г = 298 К............ 15-100

при Г = 398 К........... 15-130

при Г= 213 К............ 10-100

Время включения * при /к = 2 А, /б = 0,5 А,

г„ = 10 мкс..............0,2-0,3 мкс

типовое значение............ 0,25 мкс

Время спада * при /к = 2 А, /б = 0,5 А, т„ =

= 10 мкс............... 0,2-0,3 мкс

типовое значение............ 0,2i мкс

Время рассасывания * при /к = 2 А, /б = 0,5 А,

т„ = 10 мкс.............. 0,5-3 мкс

типовое значение............ 2 мкс

Модуль коэффициента передачи тока при / =

= 3,0 МГц, (/кэ = 5 В,/к = 0,5 А не менее . . .

Обратный ток коллектор-эмиттер при 1/[э = 400 В, Лбэ = 10 Ом не более.

при Г= 298 К и Г= 213 К...... 3 мА

прн Г = 398 К, (/кэ = 300 В....... Ю

Обратный ток эмиттера при (/бэ = 4 В не более 50 м

Емкость коллекторного перехода* при 1/кэ = 5 В 190 -220--

K°<TiTk, Лбэ = 10 Ом

Предельные экеплуатациоиные данные

напряжение коллектор-эмиттер при

400 В

база-эмиттер при Г, =

при Гк = 213 - 398 К при Ти < 400 мкс.

5 А 1,5 А

40 Вт

постоянное напряжение

птоянный ток коллектора " ,1г-ньгй ток коллектор; О ". = 213- 398 К .

..Гбазьг при Г, = 213 398 К........

яиная рассеиваемая мощность коллектора при

4f°2I3- 323 К.............

* вое сопротивление переход-корпус..... 2,5 К/Вт

Тпература перехода............ 423 К

т».теоатура окружающей среды........От 213 К

до Г, = 398 К

Примечания: 1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 373 -f-423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.

2."Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при > 323 К снижается в соответствии с формулой

к макс II к Т п-к

- тепловое сопротивление переход-корпус,

определяемое

из области максимальных режимов.

В импульсных схемах допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 363 К.

В импульсных схемах допускается (Убэ < 8 В, при этом должно быть: < 1 А, Q>2, />20 кГц.

Допускается использование транзистора при Q • Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Q > 10.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемым и обратными токами во всем диапазоне температур окружающей среды.

0,6 0,8 Входные характеристики.

1,4 1,2

\ 1 0.8

0,6 ОЛ

О 0,2 0,4 0,6 0,81б,А

Зависимость напряжения насышения коллектор-эмиттер от тока базы.