1,5 1,4

"213

0 0,1 0,2 0,3 0,4Is,A 0,5 1 1,5 2~~Щ

Зависимость статического koiA. фициента передачи тока от

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы

коллектора

Тока

0,8 0.4

213 253 293 333 373 7„К

Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса

1,9 1,8 1,7

О 0,4 0,8 1,2 1,61ц,А

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора

0,45 0,4

\о,35

0,25 0.2

213 253 293 333 373 7„К

Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса.

ас S

о 1

41к,

I- ваипцльснои I I IJ

-„ежаме приг„300мнс

3 Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора

2461013,3 ЮО и„з,8

Область максимальных режимов

2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В

транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п импульсные высоковольтные низкочастотные мощные

Предназначены для работы в выходных каскадах строчной развертки и телевизоров, в импульсных и ключевых схемах

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 20 г

13 3,8

10,3

Ko/i/iexmop

Змиттер R4,S5 2om8(tt,1

Электрические параметры

Граничное напряжение при /к = 0,1 А . . . . 350-450*-650* В апряжение насыщения коззектор-эмиттер прн

к = 8 А, /б = 1,6 А........... 1,0*-2,5 В

типовое значение ............ 1,35* В

Пряжение насыщения база-эмиттер при =

4 = 1,6 А.......... 1,8*-2,5 В

таповое значение........... 2,2* В

этический коэффициент передачи тока в схеме общим эмиттером

6* 483

при Гк = 298 К:

2T8I2A, 2Т812Б при t/кэ = 3 В, /к = 8 А 5-15*за KT8I2A, КТ812Б при (/кэ = 2,5 В, /к =

= 8 А не менее......... 4

KT8I2B при (/кэ = 5 В, /к=5 А . . . 10-80*-пс, прн Гк= 398 К 2Т812А, КТ812Б прн (/кэ = 3 В, /к = 5 А не менее .... 4

при Гк = 213 К 2Т812А, 2Т812Б при (/кэ =

= 3 В, /к = 8 А не менее..... 3

Модуль коэффициента передачи тока * прн

(/кэ= 10 В, /к = 0,2 А,/= 1 МГц . . . . 3,5-6,8-8,4 Время спада при (Укэ = 250 В, (Убэ = 4 В,

/к = 5 А, /б = 2,5 А.........0,22*-0,6*-1,3 мкс

Емкость коллекторного перехода * при (/кб =

= 100 В............. 70-85-100 пФ

Емкость эмиттерного перехода* при t/эБ = О 1300- 1700-2300 пФ Обратный ток коллек юра не более:

при Г= 298 К, (/кБ = 700 В 2Т812А, КТ812А, (/кБ= 500 В 2Т812Б, 2Т812Б,

(/КБ = 300 В КТ812В........ 5 мА

типовое значение*.......... ©,5 мА

при Г= 398 К, (/кБ = 400 В 2Т812А,

(/КБ= 300 В 2Т812Б......... 10 мА

при Г=213 К, (/кБ= 500 В 2T8I2A,

С/кБ = 400 В 2Т812Б......... 10 мА

Обратный ток эмиттера не более:

при (/эБ = 6 В 2Т812А, 2Т812Б .... 50 мА

типовое значение*......... 5 мА

при (/эБ=7 В КТ812А, КТ812Б, КТ812В 150 мА

Предельные эксплуатационные данньк

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = 10 Ом, т„ < 20 мкс, Тф > 3 мкс, е > 3, Гк = 233 - 358 К 2Т812А, 2Т812Б и т„ < I мс, Q> ]0 или т„ < 50 мкс, Q> 2 КТ812А, КТ812Б, КТ812В

2Т812А, KT8I2A......... 700 В

2Т812Б, КТ812Б......... 500 В

КТ812В............ 300 В

Импульсное наиряжение коллектор-эмнттер при Лбэ == Ю Ом, т„ < 500 мкс, Тф > 3 мкс, Q>2, Г= 233 358 К: для 2Т812А,

2Т812Б............. 350 В

Постоянное напряжение база-эмиттер:

2Т812А,2Т812Б.......... 6 В

KT8I2A, КТ812Б, KT8I2B..... 7 В

Постоянный ток коллектора:

2Т812А, 2Т812Б......... Ю А

КТ812А, КТ812Б, КТ812В..... 8 А