гный ток коллектора HoSlZA. 2Т812Б

при и<20 мкс, при т„<20 мкс, "gP,2A КТ812Б. КТ812В при Q]0 или т„<50 мкс, Q>2

Q>2 .

т„ < 1 мс.

базы

2Т812А, 2Т812Б .

17 12

J(T8I2A, КТ812Б, КТ812Б......

при т„ < 20 мкс, Q>10.....

при т„ < 20 мкс, Q>2......

КТ812А, КТ812Б, КТ812В при т„ < 1 мс, g > 10 или т„ < 50 мкс, е > 2 . . . . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т812А, 2Т812Б при Г, = 213 - 323 К и КТ812А, КТ812Б, КТ812В при Г, =

= 228 - 323 К..........

Температура перехода........

Температура окружающей среды

2Т812А, 2Т812Б.........От 213

КТ812А, КТ812Б, КТ812В.....От 228

12 А

50 Вт 423 К

К до К до

Гк = 398 К Гк = 358 К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г, > 323 К снижается линейно на 0,5 Вт через I К

2 При применении транзисторов в схемах строчной развертки допускается эксплуатация при предельных значениях напряжения коллектор эмиттер и тока коллектора, при этом температура корпуса ие должна нревыщать 373 К

Ч j 2 1 О

0,15 0,1 0.05

о 0,5 1 1,5 2Us3,B Входная характеристика 485

80 ВО 10 20

Iq,i

2 4 6 8Ik,K

mm-KieizB

Зависимость статического коэА фициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость модуля коэффи-циента передачи тока от тока коллектора

Зависимость напряжений насыщения коллектор-эмигтер и база-эмиттер от тока коллектора

КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более I г

7,8 Ф3,1

дичное напряжение при = 50 мА, = 300 мкс, Гр*" 100 не менее

KTSISA................. 25 В

,Т815Б................. 40 В

КТ815В................. 60 В

КТ815Г................. 80 В

ппяжение насыщения коллектор-эмиттер при / = 0,5 А,

, = 0,05 А не более............. 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при / = 0,5 А,

/ =0,05 А не более............. 1,2 В

(Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/э = 2 В, /к = 0,15 А не менее при Г = 298 К

КТ815А, КТ815Б, KT8I5B......... 40

КТ815Г................ 30

„ри Г = 233 К

КТ815А, КТ815Б, КТ815В......... 30

КТ815Г................ 20

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ =5 В, /э = 0,03 А не

менее..................3 МГц

Емкость коллекторного перехода при t/кэ = 5 В, / =

= 465 кГц не более.............60 пФ

Емкость эмиттерного перехода при t/эБ = 0,5 В не более 75 пФ Входное сопротивление в режиме малого сигнала при

1/кэ = 5 В, /к = 5 мА, /= 800 Гц не менее .... 800 Ом Обратный ток коллектора при t/кБ = 40 В не более

при Гк = 233 - 298 К........... 50 мкА

при Гк = 373 К.............. 1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмигтер при Rs3

« 100 Ом г, = 233 - 373

КТ815А................. 40 В

КТ815Б................. 50 В

КТ815В................. 70 В

КТ815Г................. 100 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

KT8I5A................. 25 В

КТ815Б................. 40 В

КТ815В................. 60 В

КТ815Г................. 80 В

Постоянное напряжение база-эмиттер при Гк = 213-

-373 К................ 5 В

Постоянный ток коллекгора при Г = 233 - 373 К . . . 1,5 А

•импульсный ток коллектора при т„ < 10 мс, Q > 100,

= 233 - 373 К.............. ЗА