![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 156157158159160161162 ... 297 Постоянный ток базы при г, = 233 -г 373 К . . . q Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом при = 233 298 К...... без теплоотвода при г = 233 -f- 298 К..... Температура перехода............. 398 к Температура окружающей среды.........От к- 373 к Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассей- мощность коллектора без теплоотвода при = 298 j. 371 тся линейно на 0,01 Вт через 1 К. К ваемая снижается 2. Пайку выводов разрещается производить на расстоянии менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путем пог жения выводов не более чем иа 2 с в расплавленный припо-с температурой не выше 523 К. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при это должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. 0/5 0,2 J 0,1 0,05 О КТ815А-КТ815Г h/h- 10 20 4060 100 200 mi,MA Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 80 60 40 20 О
%1 0,2 0,6 1 2 4 6 10 20 40601 О 4001к,мА 2JS 27J313353S93Th,K Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. Зависимость максимально допустимой мошности рассеивания коллектора от температур»" корпуса. КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г Транзисторы кремниевые меза-таксиально-планарные п-р-п уни-альиые низкочастотные мощ- "" Предназначены для примене-J, в усилителях низкой частоты, !ераш10нных и дифференциаль-усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 г. ![]() .03,05 Htcmo Т. -маркираВка .Коллектор 0,38 Электричес1сие параметры Граничное напряжение при /э = 100 мА, т„ < 300 мкс, g > 100 не менее: КТ817А................. 25 В КТ817Б................. 45 В КТ817В................. 60 В КТ817Г................. 80 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 1 А, /б = 0,1 А не более.......... 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А, /б = 0,1 А не более............. 1,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = 2 В, /3 = 1 А не менее: при Г = 298 К и Г = 373 К......... 25 при Г = 233 К............... 15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = Ю В, /3 = 0,25 А не менее..................3 МГц Емкость коллекторного перехода при 1/кб = О В, /= = 1 МГц не более.............60 пФ Емкость эмиттерного перехода при f/эБ = 0,5 В не более 115 пФ Обратный ток коллектора при t/к б = 40 КТ817А; при КБ = 45 В КТ817Б, при t/к б = 60 В КТ817В; при t/кБ= 100 В КТ817Г не более- при Г = 233 и 298 К............100 мкА при Г = 373 К............... 3000 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = «, Г, = 233 -:- 373 К: КТ817А................. 25 В КТ817Б................. 45 R J<T817B................. 60 в КТ817Г................. 80 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < 1 кОм, Г, = 233 - 373 К 1<Т817А................. 40 g КТ817Б................. 45 g KT8I7B................. 60 В КТ817Г................. 100 g Постоянное напряжение база-эмиттер при - 233 - 373 К 5 g Постоянный ток коллектора при = 233 - 373 К . . . 3 д Импульсный ток коллектора при t„ < 20 мс, Q > 100, Г, = 233 - 373 К.............. 6 А Постоянный ток базы при 7 = 233 - 373 К . . . . [ д Постоянная рассеиваемая мощность колтектора с теплоотводом при = 233 - 298 К . . , . 25 Вт без теплоотвода при Г = 233 - 298 К...... 1 В Температура перехода............. 423 к Температура окружающей среды.........От 233 до Т, = 373 К Примечания 1 Постоянная рассеиваемая мощность при Гк > 298 К уменьщается тинейно на 0,2 Вт/К с теплоотводом и на 0,01 Вт/К без теплоотвода 2 Пайку выводов разрешается проводить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допускается При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажатии не должен превышать 70 Н см 1,0 0,8 ч о,в о,г
Ill} гоо 150 100 10 20 W 60100200 6001000 ЧОООТ.мА
0 ... 156157158159160161162 ... 297 |