Постоянный ток базы при г, = 233 -г 373 К . . . q Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

с теплоотводом при = 233 298 К......

без теплоотвода при г = 233 -f- 298 К.....

Температура перехода............. 398 к

Температура окружающей среды.........От

к- 373 к

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная

рассей-

мощность коллектора без теплоотвода при = 298 j. 371 тся линейно на 0,01 Вт через 1 К. К

ваемая снижается

2. Пайку выводов разрещается производить на расстоянии менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путем пог жения выводов не более чем иа 2 с в расплавленный припо-с температурой не выше 523 К.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при это должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

0/5 0,2

J 0,1 0,05 О

КТ815А-КТ815Г

h/h-

10 20 4060 100 200 mi,MA

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

80 60 40 20 О

%1 0,2 0,6 1 2 4 6 10 20 40601 О 4001к,мА 2JS 27J313353S93Th,K

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость максимально допустимой мошности рассеивания коллектора от температур»" корпуса.

КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г

Транзисторы кремниевые меза-таксиально-планарные п-р-п уни-альиые низкочастотные мощ-

"" Предназначены для примене-J, в усилителях низкой частоты, !ераш10нных и дифференциаль-усилителях, преобразователях и импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.

.03,05

Htcmo Т. -маркираВка

.Коллектор 0,38

Электричес1сие параметры

Граничное напряжение при /э = 100 мА, т„ < 300 мкс, g > 100 не менее:

КТ817А................. 25 В

КТ817Б................. 45 В

КТ817В................. 60 В

КТ817Г................. 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к =

= 1 А, /б = 0,1 А не более.......... 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А,

/б = 0,1 А не более............. 1,5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = 2 В, /3 = 1 А не менее:

при Г = 298 К и Г = 373 К......... 25

при Г = 233 К............... 15

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ = Ю В, /3 = 0,25 А

не менее..................3 МГц

Емкость коллекторного перехода при 1/кб = О В, /=

= 1 МГц не более.............60 пФ

Емкость эмиттерного перехода при f/эБ = 0,5 В не более 115 пФ Обратный ток коллектора при t/к б = 40 КТ817А; при КБ = 45 В КТ817Б, при t/к б = 60 В КТ817В; при t/кБ= 100 В КТ817Г не более-

при Г = 233 и 298 К............100 мкА

при Г = 373 К............... 3000 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = «, Г, = 233 -:- 373 К: КТ817А................. 25 В

КТ817Б................. 45 R

J<T817B................. 60 в

КТ817Г................. 80 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < 1 кОм, Г, = 233 - 373 К

1<Т817А................. 40 g

КТ817Б................. 45 g

KT8I7B................. 60 В

КТ817Г................. 100 g

Постоянное напряжение база-эмиттер при - 233 - 373 К 5 g

Постоянный ток коллектора при = 233 - 373 К . . . 3 д Импульсный ток коллектора при t„ < 20 мс, Q > 100,

Г, = 233 - 373 К.............. 6 А

Постоянный ток базы при 7 = 233 - 373 К . . . . [ д Постоянная рассеиваемая мощность колтектора

с теплоотводом при = 233 - 298 К . . , . 25 Вт

без теплоотвода при Г = 233 - 298 К...... 1 В

Температура перехода............. 423 к

Температура окружающей среды.........От 233 до

Т, = 373 К

Примечания 1 Постоянная рассеиваемая мощность при Гк > 298 К уменьщается тинейно на 0,2 Вт/К с теплоотводом и на 0,01 Вт/К без теплоотвода

2 Пайку выводов разрешается проводить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допускается

При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажатии не должен превышать 70 Н см

1,0 0,8 ч о,в

о,г

Ill} гоо

150 100

10 20 W 60100200 6001000 ЧОООТ.мА