Примечания: 1 Постоянная рассеиваемая мощность ко тора без теплоотвода при = 298 373 К снижается линейн" 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г и на 007 через 1 К КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии менее 5 мм от корпуса.

При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, KT819R КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии менее 2,5 мм от корпуса под углом 90% радиусом не менее О 8 При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допуска" ется.

100 80

4 60

го о

120 100

25i 295 353 373 4/3 Т;,,*

253 293 гЗЗ 373 4)3 L.H.

Зависимость максимально допустимой мошности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

Зависимость максимально допустимой мошности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

0,6 0,4-0,2

о/ 0,5 0,6 0,7 0,8Us3,B Входная характеристика.

30 60 30

0,010,02 0,06 0,10,20,40,61 2 4 61з,

Ь2 1

0,2 О

10 20 W 80100 WO 102 Ч-Нрм

0,1 0,06 0,04

0,02 0,01

0,10,2 0,4-0,61 2 4 61„,А

Зависимость напряжения коллектор-эмнттер от сопротивления база-эмиттер.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

20 10

213 253 293 333 373Т,.,К

Зависимость времени выключения от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса.

g. 90

J 80 70 60

215 253 295 333 373Т„,К

КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные низкочастотные мощные.

Коллектор 0,8

база, Змиттер

Предназначены для применет в усилителях низкой частоты рационных и дафференциаьн"*"

усилителях. Преобразователях j, импульсных схемах герметизиро. ванной аппаратуры

Бескорпускые, с гибкими выводам, без кристаллодержателя с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в инди-видуальную тару Обозначение типа приводится на сопроводительной таре

Масса транзистора не более 0,02 г

Электрические иараметры

Граничное напряжение при /к = 50 мА, т„ 300 мкс, Q> 100 не менее

KT82IA-1................ 40 В

КТ821Б-1................ 60 В

КТ821В-1................ 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0,5 А,

/б = 0,05 А не более............. 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0,5 А,

/б = 0,05 А не более............. 1,2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/кБ = 2 В, = 150 мА не менее

KT82IA-1, КТ821Б-1............ 40

К1821В-1................ 30

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/з =5 В, /э = 0,03 А не

менее...................3 МГи

Обратный ток коллектора при Uks = 40 В не более ... 30 мкА Емкость коллекторного перехода* при t/кэ =

= 5 В, /= 465 кГц........... 45-50-65 пФ

Емкость эмиттерного перехода* при (/эб = 0,5 В 45 - 50 - 65 пФ Входное сопротивление в режиме малого сигнала *

при f/кэ = 5 В, /э = 5 мА, /= 800 Гц . . . . 160-800 Ом Обратный ток колтектора при Us = 40 В не более 30 мкА

Предельные эксплуатациоииые даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ < 100 Ом

КТ821А-1................ 50 и

КТ821Б-1................ 70 В

КТ821В-1................ 100 И

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В