НПО Системы Безопасности
(499)340-94-73 График работы:
ПН-ПТ: 10:00-19:00
СБ-ВС: выходной

Главная » Периодика » Безопасность

0 ... 158159160161162163164 ... 297


Примечания: 1 Постоянная рассеиваемая мощность ко тора без теплоотвода при = 298 373 К снижается линейн" 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г и на 007 через 1 К КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии менее 5 мм от корпуса.

При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, KT819R КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии менее 2,5 мм от корпуса под углом 90% радиусом не менее О 8 При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допуска" ется.

100 80

4 60

го о

КТ819АМ-1<Тв19ГМ

VifT теплоот Ьодом

-о -

Без . тепле

2Г8Ш-2Г81ЯГ

тбос

а\ S

120 100

25i 295 353 373 4/3 Т;,,*

КТа19А-КТ819Г

-g 1

С теплоотбодо» в /

.дез теплоот \убода

<0

253 293 гЗЗ 373 4)3 L.H.

Зависимость максимально допустимой мошности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

Зависимость максимально допустимой мошности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

0,6 0,4-0,2

КТ -2Т

319А S10A

-1-1

-КТВ19

-гтгт

0,3 = 0

о/ 0,5 0,6 0,7 0,8Us3,B Входная характеристика.

30 60 30

КТ819А -

г -1 II - КТВШ ,

п-1-m ZT813A-2T3

гг 13В

0,010,02 0,06 0,10,20,40,61 2 4 61з,



Ь2 1

0,2 О

КГВт -кт819в

10 20 W 80100 WO 102 Ч-Нрм

0,1 0,06 0,04

0,02 0,01

1 1 III 1 1

ктзш-ктэв,

~2TS19A-2T819B X

Г /Т Af\

0,10,2 0,4-0,61 2 4 61„,А

Зависимость напряжения коллектор-эмнттер от сопротивления база-эмиттер.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.


20 10

-К1 27

81В А 819А

1198, 19В

213 253 293 333 373Т,.,К

Зависимость времени выключения от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса.

g. 90

J 80 70 60

ю гт

819А 8т

813В,

215 253 295 333 373Т„,К

КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные низкочастотные мощные.



Коллектор 0,8


база, Змиттер

Предназначены для применет в усилителях низкой частоты рационных и дафференциаьн"*"

усилителях. Преобразователях j, импульсных схемах герметизиро. ванной аппаратуры

Бескорпускые, с гибкими выводам, без кристаллодержателя с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в инди-видуальную тару Обозначение типа приводится на сопроводительной таре

Масса транзистора не более 0,02 г

Электрические иараметры

Граничное напряжение при /к = 50 мА, т„ 300 мкс, Q> 100 не менее

KT82IA-1................ 40 В

КТ821Б-1................ 60 В

КТ821В-1................ 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 0,5 А,

/б = 0,05 А не более............. 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0,5 А,

/б = 0,05 А не более............. 1,2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при f/кБ = 2 В, = 150 мА не менее

KT82IA-1, КТ821Б-1............ 40

К1821В-1................ 30

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/з =5 В, /э = 0,03 А не

менее...................3 МГи

Обратный ток коллектора при Uks = 40 В не более ... 30 мкА Емкость коллекторного перехода* при t/кэ =

= 5 В, /= 465 кГц........... 45-50-65 пФ

Емкость эмиттерного перехода* при (/эб = 0,5 В 45 - 50 - 65 пФ Входное сопротивление в режиме малого сигнала *

при f/кэ = 5 В, /э = 5 мА, /= 800 Гц . . . . 160-800 Ом Обратный ток колтектора при Us = 40 В не более 30 мкА

Предельные эксплуатациоииые даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ < 100 Ом

КТ821А-1................ 50 и

КТ821Б-1................ 70 В

КТ821В-1................ 100 И

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В



0 ... 158159160161162163164 ... 297