яннЫЙ ток коллектора.......... 0,5 А

П" ный ток коллектора при t„ < 10 мс, g > 100 . . 1,5 А

&шьш ток базы............. 0,3 А

янная рассеиваемая мощность коллекгора в составе

"""бридной схемы прн Г = 233 - 298 К...... 10 Вт

овое сопротивление переход-кристалл..... 10 К/Вт

температура перехода............. 398 К

Температура окружающей среды......... От 233 до

Примечания: I. Максимально допустимая постоянная рассеи-емая мощность коллектора, Вт, в составе гибридной схемы при f= 298 h- 358 К определяется по формуле

/кмакс = (398 - 7)/10,

2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от защитного покрытия.

КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах.

Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару. Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.

Масса транзистора не более 0,03 г.

Ноллектор 0,8

Ваза Змиттер

Электрические параметры

Граничное напряжение при / = 100 мА, т < 300 мкс, е> 100 не менее:

КТ823А-1................ 45 В

КТ823Б-1................ 60 В

КТ823В-1................ 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 1 А,

6 = 0.1 А не более............. 0,6 В

напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А,

4 = 0,1 А не более............. 1,5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/э = 2 В, /к = 1 А не менее

П = 298 и 358 К.......... 25

Г= 233 К............. 15

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (/«э =5 В,

/к = 0,05 А не менее.......... 3 \\х-ц

Емкость коллекторного перехода при = 5 В,

/= " МГц.............. 35*-60*-75 ПФ

Емкость эмиттерного перехода при (/эв = 05 В80*- 115* jjq Входное сопротивление в режиме малого сигнала *

при [/кэ = 5 В, /э = 30 мА, /= 800 Гц . . . .250-500- 1500 Ом Обратный ток коллектора не более

при Г = 298 К и [/кб = 45 В...... 50 мкА

при Г = 358 К и [/кБ = 40 В...... 100 мкА

Предельные эксплуатациоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < 1 кОм

КТ823А-1.............. 45 В

КТ823Б-1.............. 60 В

КТ823В-1.............. 100 В

Постоянное напряжение база-эмиттер..... 5 В

Постоянный ток коллектора........ 2 А

Импульсный ток коллектора при т„ < 20 мс,

Q> т............... 4 А

Постоянный ток базы........... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

в составе гибридной схемы при Г = 233 - 298 К 20 Вт

Температура перехода ........... 398 К

Тепловое сопротивление переход-кристалл .... 5 К/Вт

Температура окружающей среды.......От 233 до 358 К

Примечание Рассеиваемая мощность коллектора Вт, в составе гибридной схемы при Г = 298 - 398 К рассчитывается по формуле

iK макс = (398-Г,)/5

2Т824А, 2Т824АМ, 2Т824Б, 2Т824БМ

Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п импульсные иизкочастотные мощные высоковольтные

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами (2Т824А, 2Т824Б - вариант 1) и в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами (2Т824АМ, 2Т824БМ - вариант Обозначение типа приводится на корпусе Вывод эмиттера -1° 2Т824Б маркируется твумя условными точками на корпусе

Масса транзистора не более 20 г

ушбные точки x 72 гг

Вариант 1

Коллектор

Электрические параметры

Модуль коэффициента передачи тока при t/g = 10 В,

4 = 0,2 А, /= I МГц не менее ....... 3,5

типовое значение.............. 6*

Время спада при (/«э = ЮО В, /к = 5 А, 4 = 2,5 А не более...................1,8 мкс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

при Г = 298 К, f/кэ = 2,5 В, /к = 8 А не менее 5

типовое значение.............. 15 *

при Г =213 К, t/кэ = 2,5 В, /к = 8 А не менее 3 при Г = 398 К, t/кэ = 2,5 В, /к = 5 А не менее 4 Граничное напряжение при /к = 100 мА, т„ < 200 мкс

ие менее.................. 350 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

при /к = 8 А, /б = 1,6 А не более....... 2,5 В

типовое значение..............1,1 * В

при /к = 17 А, /б = 5 А типовое значение.....1,9 * В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 8 А,

4= 1,6 А не более............. 2,5 В

типовое значение............... 1,8*В

братный ток коллектора не более при Г= 298 К

при t/кБ = 700 В 2Т824А, 2Т824АМ...... 5 мА

при t/кБ = 500 В 2Т824Б, 2Т824БМ..... 5 мА

при Г= 213 К