![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 160161162163164165166 ... 297 при [/кБ = 500 в 2Т824А, 2Т824АМ..... jq при [/кБ = 400 в 2Т824Б, 2Т824БМ..... щ при Г = 398 К: " " при [/кб = 400 в 2Т824А, 2Т824АМ....... Ю при [/кб = 300 в 2Т824Б, 2Т824БМ...... Ю Обратный ток эмиттера при (/эБ = 6 в не более 5о Емкость коллекторного перехода при (/кб = ЮО в, /= I МГц не более............. 250 пф Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0,/=1 МГц не более.................. 8000 пф Предельные эксплуатациоиные данные Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лэб < 10 Ом, t„p > 3 мкс, =213 373 К: 2Т824А, 2Т824АМ............. 400 В 2Т824Б, 2Т824БМ............. 350 в Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = 10 Ом, = 233 -г 358 К: при т„ < 20 мкс, Тф S= 3 мкс, Q > 3: 2Т824А, 2Т824АМ............. 700 В 2Т824Б, 2Т824БМ............. 500 В при т„ < 500 мкс, Тф > 0,5 мкс, Q> 2 ...... 400 В Постоянное напряжение эмнттер-база при = 213 - 398 К 7 В Постоянный ток коллектора при = 213 ~ 398 К 10 А Импульсный ток коллектора при t„ < 20 мкс, Гк = 213 398 К: при g > 10................ 17 А при е > 2................ 12 А Постоянный ток базы при Гк= 213 398 К..... 4 А Импульсный ток базы при Ти < 20 мкс, Г = 213 398 К: при е > 10................ 7 А при g > 2................ 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк = 213- 323 К...............50 Вт Температура окружающей среды..........От 213 до Гк = 398 К Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Гк > 323 К определяется по формуле К макс = (423 - Гк)/2. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер (при Тф > 3 мкс) при понижении температуры корпуса от 233 до 213 К и повышении температуры корпуса от 358 до 37 снижается линейно до 500 В 2Т824А, 2Т824АМ и до 400 В 2Т824Ь, 2Т824БМ; при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К напряжение снижается линейно до 400 В 2Т824А, 2Т824АМ и 300 В 2Т824Б, 2Т824БМ. Максимально допустимое импульсное напр " оллектор-эмиттер (при Тф S= 0,5 мкс) при понижении темпера-жен" "орпуса от 233 до 213 К и при повышении температуры гур 358 до 373 К снижается линейно до 350 В; при по- орпУ температуры корпуса от 373 до 398 К это напряжение рЫИе" линейно до 300 В. Максимально допустимое постоянное сяи* jj„e коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса ""373 до снижается линейно до 300 В. При подаче на "Т g транзистор импульса напряжения с (/кэ > /кэогр амплиту-тока при переходном процессе не должна превышать 0,4 В/Лэб-Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1,5 мм от корпуса. 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п переключательные высоковольтные низкочастотные мошные. Предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 17 г. Коллектор 10,3 Эмиттер ![]() Электрические параметры Граничное напряжение при /к = 100 мА не менее: 2Т826А, 2Т826В, КТ826А, КТ826В....... 500 В 2Т826Б, КТ826Б.............. 600 В апряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = = 0.5 А, /б = 0,2 не более.......... 2,5 В "апряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0,5 А, 4 = 0,2 А не более............. 2 В атический коэффициент передачи тока в схеме с об-HiHM эмиттером при (/кэ= 10 В, /к = 0,1 А: "Ри Г = 298 К.............. 10-120 при Г, = 398 К 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В .... 5-300 Гк = 373 К, КТ826А, КТ826Б, КТ826В .... , , при Г =213 К.............; 5~ЗОо Время спада при (/кэ = 500 В, (/бэ = 5 В, = 0 = 0,5 А, /б = 0,2 А не более. 2Т826А, КТ826А............. ,5 2Т826Б, КТ826Б..............о? "" Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общи.м эмиттером при /=1 МГц, (7кэ=5 В, /к = 0,1 А не менее................. g Емкость коллекторного перехода * при (/кб = ЮО В, /= МГц не более..............25 пф типовое значение..............20 пФ Емкость эмиттерного перехода * при (/бэ =5 В, f= = 1 МГц не более............. 250 пф типовое значение.............. 200 пф Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = Ю Ом не более: при = 298 К, (/кэ = 700 В........ 2 мА при Гк = 398 К, (/кэ = 300 В 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В................. 5 мд при Гк = 373 К, (7кэ = 300 В КТ826А, КТ826Б <Т826В.................5 мкА при Г=213 К, (7кэ = 500 В........ 4 мА Обратный ток эмиттера при иэ = 5 В не более ... 3 мА Предельные эксплуатациоииые даииые Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < Ю Ом, Гк = 213 - 348 К......... 700 В Импульсное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ < Ю Ом, т„ < 20 мс, Q > 50: при Тф > 0,2 (скорость нарастания переднего фронта не более 3,5 В/нс), Г = 213 - 348 К...... 700 В при Тф > 1,5 мкс (скорость нарастания переднего фронта не более 0,66 В/нс), Г = 298 К КТ826Б 1000 В Постоянный и импульсный токи коллектора .... 1 А Постоянный и импульсный токи базы.......0,75 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк < 323 К................. 15 Вт Температура перехода............. 423 К Температура окружающей среды: 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...........От 213 до Гк = 398 К КТ826А, КТ826Б, КТ826В..........От 213 до Г. = 373 К Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рас сеиваемая мощность, Вт, при > 323 К рассчитывается по форму К макс = (423 - Гк)/6,6. Пайка выводов допускаем основания корпуса. 7S0 600 500
21253 29S 37ZJ„.K тявисимость максимально допустимого постоянного и импульсного напряжении коллек-р-эмиттер от температуры корпуса. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. Ш SO 10 2Т82ВА , ZTS26B, I :КТВ26АЬ КТ826В Ю 20 4060 100200 Ч001к,А висимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 0 ... 160161162163164165166 ... 297 |