при [/кБ = 500 в 2Т824А, 2Т824АМ..... jq

при [/кБ = 400 в 2Т824Б, 2Т824БМ..... щ

при Г = 398 К: " "

при [/кб = 400 в 2Т824А, 2Т824АМ....... Ю

при [/кб = 300 в 2Т824Б, 2Т824БМ...... Ю

Обратный ток эмиттера при (/эБ = 6 в не более 5о Емкость коллекторного перехода при (/кб = ЮО в,

/= I МГц не более............. 250 пф

Емкость эмиттерного перехода при (/эб = 0,/=1 МГц

не более.................. 8000 пф

Предельные эксплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лэб < 10 Ом, t„p > 3 мкс, =213 373 К:

2Т824А, 2Т824АМ............. 400 В

2Т824Б, 2Т824БМ............. 350 в

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = 10 Ом, = 233 -г 358 К: при т„ < 20 мкс, Тф S= 3 мкс, Q > 3:

2Т824А, 2Т824АМ............. 700 В

2Т824Б, 2Т824БМ............. 500 В

при т„ < 500 мкс, Тф > 0,5 мкс, Q> 2 ...... 400 В

Постоянное напряжение эмнттер-база при = 213 - 398 К 7 В Постоянный ток коллектора при = 213 ~ 398 К 10 А Импульсный ток коллектора при t„ < 20 мкс, Гк = 213 398 К:

при g > 10................ 17 А

при е > 2................ 12 А

Постоянный ток базы при Гк= 213 398 К..... 4 А

Импульсный ток базы при Ти < 20 мкс, Г = 213 398 К:

при е > 10................ 7 А

при g > 2................ 5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Гк = 213- 323 К...............50 Вт

Температура окружающей среды..........От 213 до

Гк = 398 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Гк > 323 К определяется по формуле

К макс = (423 - Гк)/2.

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер (при Тф > 3 мкс) при понижении температуры корпуса от 233 до 213 К и повышении температуры корпуса от 358 до 37 снижается линейно до 500 В 2Т824А, 2Т824АМ и до 400 В 2Т824Ь, 2Т824БМ; при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К напряжение снижается линейно до 400 В 2Т824А, 2Т824АМ и 300 В 2Т824Б, 2Т824БМ. Максимально допустимое импульсное напр "

оллектор-эмиттер (при Тф S= 0,5 мкс) при понижении темпера-жен" "орпуса от 233 до 213 К и при повышении температуры гур 358 до 373 К снижается линейно до 350 В; при по-

орпУ температуры корпуса от 373 до 398 К это напряжение рЫИе" линейно до 300 В. Максимально допустимое постоянное сяи* jj„e коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса ""373 до снижается линейно до 300 В. При подаче на

"Т g транзистор импульса напряжения с (/кэ > /кэогр амплиту-тока при переходном процессе не должна превышать 0,4 В/Лэб-Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1,5 мм от корпуса.

2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В

транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п переключательные высоковольтные низкочастотные мошные.

Предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 17 г.

Коллектор

10,3

Эмиттер

Электрические параметры

Граничное напряжение при /к = 100 мА не менее:

2Т826А, 2Т826В, КТ826А, КТ826В....... 500 В

2Т826Б, КТ826Б.............. 600 В

апряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к =

= 0.5 А, /б = 0,2 не более.......... 2,5 В

"апряжение насыщения база-эмиттер при /к = 0,5 А,

4 = 0,2 А не более............. 2 В

атический коэффициент передачи тока в схеме с об-HiHM эмиттером при (/кэ= 10 В, /к = 0,1 А:

"Ри Г = 298 К.............. 10-120

при Г, = 398 К 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В .... 5-300

Гк = 373 К, КТ826А, КТ826Б, КТ826В .... , ,

при Г =213 К.............; 5~ЗОо

Время спада при (/кэ = 500 В, (/бэ = 5 В, = 0

= 0,5 А, /б = 0,2 А не более.

2Т826А, КТ826А............. ,5

2Т826Б, КТ826Б..............о? ""

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общи.м эмиттером при /=1 МГц, (7кэ=5 В, /к = 0,1 А

не менее................. g

Емкость коллекторного перехода * при (/кб = ЮО В,

/= МГц не более..............25 пф

типовое значение..............20 пФ

Емкость эмиттерного перехода * при (/бэ =5 В, f=

= 1 МГц не более............. 250 пф

типовое значение.............. 200 пф

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = Ю Ом не более:

при = 298 К, (/кэ = 700 В........ 2 мА

при Гк = 398 К, (/кэ = 300 В 2Т826А, 2Т826Б,

2Т826В................. 5 мд

при Гк = 373 К, (7кэ = 300 В КТ826А, КТ826Б

<Т826В.................5 мкА

при Г=213 К, (7кэ = 500 В........ 4 мА

Обратный ток эмиттера при иэ = 5 В не более ... 3 мА

Предельные эксплуатациоииые даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

Лбэ < Ю Ом, Гк = 213 - 348 К......... 700 В

Импульсное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ < Ю Ом, т„ < 20 мс, Q > 50: при Тф > 0,2 (скорость нарастания переднего фронта

не более 3,5 В/нс), Г = 213 - 348 К...... 700 В

при Тф > 1,5 мкс (скорость нарастания переднего фронта не более 0,66 В/нс), Г = 298 К КТ826Б 1000 В Постоянный и импульсный токи коллектора .... 1 А

Постоянный и импульсный токи базы.......0,75 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Гк < 323 К................. 15 Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды:

2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...........От 213 до

Гк = 398 К

КТ826А, КТ826Б, КТ826В..........От 213 до

Г. = 373 К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рас сеиваемая мощность, Вт, при > 323 К рассчитывается по форму

К макс = (423 - Гк)/6,6.

Пайка выводов допускаем основания корпуса.

7S0 600 500

21253 29S 37ZJ„.K

тявисимость максимально допустимого постоянного и импульсного напряжении коллек-р-эмиттер от температуры корпуса.

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

Ш SO 10

2Т82ВА , ZTS26B, I :КТВ26АЬ КТ826В

Ю 20 4060 100200 Ч001к,А

висимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.