;я на расстоянии не менее 5 мм

0,5 0,6 0,7 0,8 0,0 0s3,8 Входные характеристики.

15 12

21S 253 293 333 373 Ч13\,К

О 100 гоо 300 ти,мА

Зависимость напряжения иасы-1ектор-эм1 ка базы.

800 600 Ш

гоо о

0,6 0,7 0,8 0,9 г/5э,8

Зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер.

Зависимость граничной част от тока коллектора. "

50 40 J0 20 10

О 20 40 SO BOUuR.B

240 220

180 160

ктвгбА-

-КТ82ВВ,

гтвгоА-. ггвгвв

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер

700 600 500 400 Ш

1000

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

8hlh

Зависимость напряжения наС№ щения коллектор-эмиттер

КГ82БА-КТ826В

40 В

21J 253 293 333 373 Т,,,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

ч 610 го човоюогоо Uk,,8

Область максимальных режимов.

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п составные универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях кизкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 20 г.

- Эмиттер

Электрические параметры

Граничное напряжение при /к = 100 мА:

2Т827А, КТ827А..........

типовое значение ..........

100-140* В 110* В

50 40