2Т827Б, КТ827Б............ 80-100*3

типовое значение ........... 90* о

2Т827В, КТ827В............ 60-80* в

типовое значение ........... 70* в

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

при /к =10 А, /б = 40 мА....... 1* -2 В

типовое значение........... 1 45* в

при /к = 20 А /б = 200 мА...... 1,8*-з* в

типовое значение........... 2 4* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при =

= 20 мА /б = 200 мА.......... 2,6*-4 В

типовое значение ............ 3* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ufo = 3 В, = 10 А

при Г = 298 К............ 750-18 000

типовое значение ........... 6000*

при Г = макс не менее........ 750

при Г=213 К не менее........ 100

Статический коэффициент передачи тока в схеме

с общим эмиттером при 03 = 3 В, 1 = 20 А 100-750*-35оо*

Время вктючения * при /« = 10 А, /б = 40 мА . . . 0 3-1 мкс

типовое значение............ 0,5 мкс

Время выключения* при /к = Ю А, /б = 40 мА 3 - 6 мкс

типовое значение............ 4 мкс

Время рассасывания* при /к = Ю А, /б = 40 мА 2-4,5 мкс

типовое значение............ 3 мкс

Модуль коэффициента передачи тока при (/«э =

= 3 В, /к = Ю А, /= 10 МГц не менее ... 0,4

Емкость коллекторного перехода* при [/«б = Ю В . . .200 - 400 пФ типовое значение.............. 260 пФ

Емкость эмиттерного перехода* при (/э = 5 В . . . .160-350 иФ типовое значение..............180 пФ

Входное напряжение база-эмнттер* при /«=10 А,

С/кэ = 3 В.................1,6-2,8 В

типовое значение .............. 2 В

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = кОм не более

при Г= 298 и Г= 213 К.......... ЗмА

при Г= Гк ,акс.............. 5 мА

Обратный ток эмиттера при [/бэ = 5 В не более ... 2 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 1 кОм и постоянное напряжение колтекор база

2Т827А, КТ82А............. ЮО В

2Т827Б, КТ827Б.............. 80 В

2Т827В, КТ827В............. 60 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер прн Тф = = 0,2 мкс

КТ827А................. 100 В

КТ827Б................. 80 В

КТ827В................. 60 В

янное напряжение база-эмиттер....... 5 В

П стоянный ток коллектора.......... 20 А

2°„оянный ток базы............. 0,5 А

импульсный ток коллектора........... 40 А

импульсный ток базы............ 0,8 А

п стоянная рассеиваемая мощность коллектора при

f = 2I3 - 298 К..............125 Вт

Тетовое сопротивление при С/кэ = Ю В, 4 = 2,5 А . . 1,4 К/Вт

Температура перехода ............. 473 К

Температура окружающей среды

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В..........От 213 до

Гк = 398 К

КТ827А, КТ827Б, КТ827В..........От 213 до

Гк = 373 К

Примечания I Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность козлектора, Вт, при Гк > 298 К определяется по формуле

к макс = (Тп- Гк)/Лт п к-

где Rt „ к ~ тепловое сопротивление переход-корпус, опредезяется из области максима зьных режимов

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора

ЧОООО

20000

10000 6000 ЧООО

2000 1000 600 400

200 100

4 6 8 10 Ik,А

Зона возможных позожений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

/213

4000

2000

1000 600 400

200 100 60 40

20 10

~1-т~

-КТ827А-КТ827В, 27827А -2Т827В

03=38-

-L=21JK

4 6 8 10 Iif,A

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

KT827A -KT827R, 2T8Z7A -2TB27B

0 5 10 15 20Iif,A

Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора.

г.25КТ827А~/(т27В 2T827A~27S27H

1,75

Ь5

2 1,25

0.75

о 50 100 150 г007мА

Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока базы.

175 150

125 100 75 50

О 1 г Z цяэ,кОм

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

0,1 0,2 0,40,8 1 г 4 SIi<,A

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора.