2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б

нзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п импульсные вы-oibTHbie низкочастотные мощные °Г1 едназначены для работы в схемах источников питания, вы-

оволътных ключевых схемах с"" дыпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 20 г

Колпектор

R,{ 2отВ.ф4,1

Эмиттер

Электрнческне параметры

Граничное напряжение при /к- = 0,1 А не менее

2Т828А, КТ828А.............. 700 В

2Т828Б, КТ828Б.............. 600 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 4,5 А, /б = 2 А

при Гк = 298 К..............0,5*-3 В

типовое значение.............. 1* В

при Г = 213 К и Г = Гк макс не более..... 5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 4,5 А,

4 = 2 А.................0,95*-3 В

типовое значение .............. I* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим Эмиттером при t/кэ = 5 В, /к = 4,5 А не менее . . . 2,25

Типовое значение .............. 4*

Модупь коэффициента передачи тока* при /=1 МГц,

<кэ = 20 В, /к = 100 мА не менее....... 4

Типовое значение .............. 7

Время включения * при t/кэ = 500 В, 4 = 45 А,

h = 1,8 А не более............0,55 мкс

типовое значение..............0,4 мкс

Ремя рассасывания* при t/кэ = 500 В, /к = 4,5 А Е=1,8 А не более............10 мкс

типовое значение

Время спада прн [/o = 500 В, /к =4,5 А, /g =

= 1,8 А не более.............j 2

типовое значение..............

Обратный ток коллектора при С/б = 1400 в, 2Т828А,

КТ828А, Ukb = 1200 в, 2Т828Б, КТ828Б не более ... 5 Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = Ю Ом не более

при Гк = 398 К

2Т828А, [/кэ = 500 в и 2Т828Б, [/кэ = 400 в . . . ю . при Т= 213 К

2Т828А, (/кэ = 800 В и 2Т828Б, [/кэ = 600 В . . . 5 Обратный ток эмиттера при (/бэ = 5 В не более ... 10 мД типовое значение..............I*

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение котлектор-эмиттер при Лбэ = = 10 Ом, Гк = 213 - 353 К

2Т828А, КТ828А............. 800 В

2Т828Б, КТ828Б.............. 600 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 10 Ом, Тп < 40 мкс, е > 10, Тф > 3 мкс, du/di < <0,46 В/нс 2Т828А, КТ828А и 0,4 В/нс 2Т828Б, КТ828Б при Г= 233 -Гк= 358 К и 0,3 и 0,26 В/нс соответственно при Г=213К - Гк=Гк„акс

2Т828А, КТ828А..............1400 В

2Т828Б, КТ828Б..............1200 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 5 В

Постоянный ток коллектора.......... 5 А

Импульсный ток коллектора при Ти < 10 мс, Q > 2 . . . 7,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Гк = 213 - 323 К.............. 50 Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т828А, 2Т828Б..............От 213 до

Гк = 398 К

КТ828А, КТ828Б..............От 213 до

Гк= 373 К

Примечание Постоянное напряжение коллектор-эмнттер 2Т828А, КТ828А при Гк > 358 К снижается линейно до 500 В и 2Т828Б, КТ828Б до 400 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер 2Т828А, КТ828 при изменении Гк от 233 до 213 К и увеличение Гк от 358 ДО Гк макс снижается линейно до 1000 В, 2Т828Б, КТ828Б до 800 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Тф > 0,3 мкс Q>2, т„ < 40 мкс {dUK3/dt < 2,3 В/нс и 2 В/нс 2Т828А, КТ828А и 2Т828Б, КТ828Б соответственно) снижается пинейно до 700 2Т828В, КТ828А и до 600 В 2Т829Б КТ828Б при L в При Гк = 358 - 398 К это напряжение снижается линейно до 5UU

„л КТ828А и до 400 В КТ828Б < 1,65 В/нс

2Т828Л, j.j-g28A и (/(/кэМ т < 1,33 В/нс 2Т828Б, КТ828Б). 2Т8 улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ffc-lOO гост 13032-77.

0,6 о; 0,8 0,9 1Us3,B Входные характеристики.

Sh/h

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от /к б-

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от /к б.

"213

40 30

0,010,02 0,060,10,20,4-0,61 2 41,А

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

20 40 60 80Ukb,B

3000 2500 2000 1500 1000

О 1