50 W

253 23J J33 J73T„K

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

1 2 4 610 го 4060100 400 800

рассасы-

Зависимость времени

вания от тока коллек7ора

Область максимальных

режи-

0,85 0,8

0,75

}о,7

0,65 0,6

2Г828А, гтвгзБ

\-KT828A,KT828B-

Uj=500B -Is=1,8A

О 1 г 3 4 1к,А

Зависимость времени спада от тока коллектора.

КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

10,4 03,7s 4,8 -И 7,37

Коллектор

0,85

Змиттер

II 0,55

Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п составные универсальные низкочастотные мошные

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 2 г

ujoe напряжение при /к = 100 мА не менее:

nTs29A................. 00 В

КТ829Б................. 80 В

КТ829В................. 60 В

КТ829Г.............

и пяжение насыщения коллектор-эмнттер при = 3,5 А,

14 мА не более............. 2 В

.1 ппяжение насыщения база-эмиттер при /к = 3,5 А,

= 14 мА не более............. 2,5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим миттером при С/кэ = 3 В, /к = 3 А не менее

Г, = 298 К и Г, = 358 К........ 750

ири Г, = 233 К.............. 100

Модуль коэффициента передачи тока при /=10 МГц,

= 3 В, /к = 3 А не менее......... 0,4

Обратный ток коллектор-эмиттер при С/кэ = кэ мако Кп = 1 кОм не более

при Гк = 298 К и Г= 233 К.........1,5 мА

при Гк = 358 К.............. 3 мА

Обратный ток эмиттера при С/бэ = 5 В не более 2 мА

Предельные экснлуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Ябэ < < 1 кОм, постоянное напряжение козлектор-база

КТ829А................. 100 В

КТ829Б................. 80 В

КТ829В................. 60 В

КТ829Г................. 45 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 5 В

Постоянный ток коллектора.......... 8 А

Импу1ьсный ток коллектора при т„ < 500 мкс, g > 10 . . 12 А

Постоянный ток базы............ 0,2 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Тк < 298 К................. 60 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус......2,08 К/Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 233 до

Гк = 358 К

Примечания I Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Гк = 298 ~ 358 К рассчи-тьпается по формуле

К макс = (423 - Гк)/2,08.

oj, Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм Корпуса зранзисгора, при этом температура корпуса не должна превышать 358 К.

Т Полупроводниковые приборы 513

5000

4000

3000

2000 1000

Входные характеристики

Зависимость статического коэф фициента передачи тока от rd-ка коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от

i 60

S 40 s

о? 20

10 20 40 60100 1000 Rs3,0m

273 293 313 333 353 Т/

"б 4

0,6 0,4

0,1 0,06 0,04

0,02 0,01

1 2 4 в 10 20 40 60100 Ою,В

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.