я улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью

!!,МСЛОО гост 13032-77

Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности нования корпуса со стороны держателя.

р-п-р

П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низкочастотные мощные

Предназначены для применения в схемах переключения, выгодных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 14 г

Коллектор-Змчттер ба.за.--=Те

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 2 А,

4 = 0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ не более 0,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Уэ =10 В, /к = 2 А

П4АЭ не менее.............. 5

П4БЭ.................. 15-40

П4ВЭ не менее.............. 10

П4ГЭ.................. 15-30

П4ДЭ не менее.............. 30

Коэффициент усиления по мощности при Pjx =10 Вт, КБ = 26 В, Л„ = 25 Ом, /= 1 кГц не менее:

П4АЭ.................. 20 дБ

П4БЭ.................. 23 дБ

П4ГЭ.................. 27 дБ

К П4ДЭ.................. 30 дБ

оэффициент нелинейных искажений при Pg„ = 10 Вт, кб = 26 В, R„ = 25 Ом, /= 1 кГц не более:

П4ЛЭ.................. ,5V

П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ............ Iqo°

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме "

с общей базой не менее........... 150 кГ

Обратный ток коллектора при [/кб =10 В не более

П4АЭ.................. 500 МКЛ

П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.......... 400 мкд

Обратный ток коллектор-эмнттер при Лбэ = 5 Ом

при [/кэ = 60 В П4БЭ не более........ 20 мкД

при [/кэ = 50 В

П4ГЭ, П4ДЭ не более.......... 20 мкД

П4АЭ не более.............. 50 мкА

при [/кэ = 35 В П4ВЭ не более....... 20 мкА

Предельные эксплуатацпоииые данные

Постоянное напряжение коллектор-база

П4АЭ, ПГЭ, П4ДЭ............ 60 В

П4БЭ.................. 70 В

П4ВЭ.................. 40 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ < 15 Ом

П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ............ 50 В

П4БЭ.................. 60 В

П4ВЭ.................. 35 В

Постоянный ток коллектора.......... 5 А

Постоянный ток базы............. 1,2 А

Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Гк < 313 К

П4АЭ................ 20 Вт

П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ........ 25 Вт

при Гк = 323 К

П4АЭ................ 15 Вт

П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ........ 20 Вт

при Гк = 343 К

П4АЭ................7,5 Вт

П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ........ Ю Вт

без теплоотвода при Г < 298 К

П4АЭ................ 2 Вт

П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ........ 3 Вт

Температура перехода............. 363 К

Тепловое сопротивление переход-корпус

П4АЭ..................2,67 К/Вт

П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ..........2 К/Вт

Температура корпуса..............От -1

343 К

150 100 50

? 0,9

4;0,8 < o,y

0,B

0 0,2 0,4 0,БОзБ,В

Входные характеристики

Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

29j 313 333 353 Тц,К

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

10 100 Rs3,0m

Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллек гор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э

Транзисторы германиевые спзавные р-п-р универсальные низко-Частотные мощные

Предназначены для применения в схемах переключения, выход-пых каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-и Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 12 г