Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при f/кБ = ю В, /к = юо мА не

менее...................150 кГц

Плавающее напряжение эмиттера при г= 343 к: при 1/кб = 45 в:

П213 ие более.............. 0,3 в

П213А, П213Б не более.......... о5 в

при t/кБ = 60 в;

П214, П214А, П214Б не более........ 0,3 В

П214В, П214Г не более.......... 0*5 В

при t/B = 80 В П215 не более........ 0,3 В

Обратный ток коллектора не более: при г= 293 к: при t/кБ = 45 в:

П213................0,15 мА

П213А, П213Б.............1,0 мА

при = 60 в:

"П214, П214А.............0,3 мА

П214Б, П214В, П214Г..........1,5 мА

при С/кБ = 80 в П215...........0,3 мА

при Г = 343 К: при Uks = 45 В:

П213.................2,0 мА

П213А, П213Б..............4,5 мА

при Uks = 60 в:

П214, П214А..............2,5 мА

П214Б.................2,0 мА

П214В, П214Г..............5,0 мА

при t/кБ = 80 в П215...........2,5 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при /б = о не более:

при Uk3 = 30 в П213...........20 мА

при (/кэ = 45 в П214, П214А, П214Б.....30 мА

при f/кэ = 55 в П214В, П214Г........30 мА

при t/кэ = 60 в П215...........30 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = 50 Ом не более:

прн (/кэ = 30 в П213А, П213Б........ 10 мА

при (/кэ = 55 в П2)4В, П214Г........ 10. мА

Обратный ток эмиттера не более: при г= 293 к:

прн С/эБ=15 В П213, П214, П214А, П214Б,

П215.................0,3 мА

при (/эБ=ю В П213А, П213Б, П214В, П214Г 0,4 мА при Т= 343 к: при f/эБ = 15 В:

П213, П214Б.............. 2 мА

П214,П214А,П215............2,5 мА

при U-s = 10 В:

П213А, П213Б.............4,5 мА

П214В, П214Г............. 5 мА

Примечание. При эксплуатации транзистор с помощью накидного фланца должен быть жестко закреплен на металлическом щасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью.

Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать маслом.

Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм.

При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора от шасси или зеплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку из слюды. Суммарное Тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 К/Вт ка каждые 50 мкм слюдяной прокладки.

п стоянное напряжение коллектор-база:

П213, П213А, П213Б............ 45 В

П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г...... 60 В

П215.................. 80 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при g < 50 Ом:

П213А, П213Б............... ЗОВ

П213.................. 40 В

П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г..... 55 В

П215.................. 70 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при 1 = 0:

П213.................. 30 В

П214, П214Б............... 45 В

П215.................. 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база:

П213А, П213Б, П214В, П214Г........ 10 В

П213, П214, П214А, П214Б, П215....... 15 В

Постоянный ток коллектора........... 5 А

Постоянный ток базы............. 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность: при Гк < 318 К: П213А, П213Б, П214, П214А, П214В, П214Г,

П215................. 10 Вт

П213, П214Б.............. 11,5 Вт

при Гк= 343 К: П213А, П213Б, П214, П214А, П214В, П214Г,

П215................. 3,75 Вт

П213, П214Б.............. 4,3 Вт

Температура перехода ............. 358 К

Тепловое сопротивление перехоД-корпус:

П213, П214Б............... 3,5 К/Вт

П213А, П213Б, П214, П214А, П214В, П214Г, П215 4 К/Вт

Температура окружающей среды......... От 213 до

Г, = 343 К

Пайку к выводам транзистора необходимо производить

плоской части При пайке цилиндрическая часть вывода долж"" быть зажата теплоотводящими губками

Изгиб выводов допускается только на их плоской части

0,2 0,4 0,8 0,8 1,0 U3s,B Входные характеристики

29 J 303 313 323 333 343 Т, , К Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

О 10 20 30 40 50 Uks,8 О 0,2 0,4 0,8 0,8 1,01,А

Зависимость обратного тока Зависимость статического коэф-

коллектора от напряжения кол- фициента передачи тока от то-лектор-база ка коллектора

П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низкочастотные мощные

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усичителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г