с общим эмиттером при Сб = 20 В, /к = О, I А не

менее.................. 50 кГц

пбоатный ток коллектора при t/к б = 60 В не более:

при Г= 298 К.............. 6 мА

при Г= 343 К и Г= 218 К......... 30 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при t/кэ = 00 В,

j/gg = 1,5 В не более........... 50 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер..... 55 В

Пмпупьсное напряжение коллектор-эмиттер при tg =

= 6,5 В, т„= I мс, g> 10.......... 100 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Uj =

= 0,56 В, т„ = 0,3 мс, е> 10.......... 140 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 15 В

Постоянный ток колтектора.......... 12 А

Постоянный ток базы в режиме включения..... 0,15 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-

при Г = 298 К............... 50 Вт

при Г= 328 К.............. 25 Вт

при Г = 343 К.............. 8,3 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при т„ = 1 мс, е > 10-

при Г= 298 К.............. 1200 Вт

при Г = 348 К.............. 700 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус....... 1,2 К/Вт

Температура перехода ............. 358 К

Температура окружающей среды......... От 218 до

343 К

50 40

К 30

213 253 293 333 373Т.,К

273 293 313 333 353 Т,,К

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.

Зависимость максимально допустимой импульсной мощности рассеивания колзектора от температуры корпуса.

о о,г 0,4 0,6 0,8 и S3 Л

Входные характеристики

П 12 10 8 6

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные низкочастотные мощные

Предназначены для работы в усилителях мощности низкой частоты, в ключевых схемах преобразователей напряжения, в схемах управляемых регуляторов, в импульсных схемах

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 23 г

Эмиттер Коллектор

Электрические параметры

Граничное напряжеиие при = 2,5 А не менее при Г = 298 К

1Т702А, 1Т702Б............. 60 В

1Т702В................ 40 В

при Г = 343 К

1Т702А, 1Т702Б............. 45 В

1Т702Б................ 30 В

при Г=213 К

1Т702А, 1Т702Б............. 45 В

1Т702В................ 35 В

Напряженпе насыщения коллектор-эмнттер при /к = 30 А, /ь = 3 А не более

IT702A, 1Т702В............. 0,6 В

1Т702Б................ 1.2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кБ = 1,5 В, /к = 30 А

1Т702А, 1Т702Б.............. 15-100

IT702B, не менее............. 20

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при /= 10 кГц, Ukb = 1.5 В, /к = 4 А не менее................. 12

Обратный ток коллектора при Uks = 60 В не более

при Г = 298 К.............. 12 мА

при Г = 343 К.............. 30 мА

при Г = 213 К.............. 10 мА

Обратный ток эмиттера при иэ = 4 В не более .... 2 мА

Предельные экеплуатациоиные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при иэ = = 3 В, Гп = 213 - 348 К

1Т702А, 1Т702Б.............. 60 В

1Т702В................. 40 В

Постоянное напряжение коллектор-база при Гп = 213 -

348 К................. 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер при = 213-

- 348 К................. 4 В

Постоянный ток коллектора при = 213 - 348 К . . . 30 А Постоянный ток базы при = 213 - 348 К . . . . 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом

при Гк = 303 К.............150 Вт

при Гк = 323 К............. 80 Вт

при Гк = 338 К............. 30 Вт

без теплоотвода

при Г= 298 К............. 5 Вт

Температура перехода............. 348 К

Тепловое сопротивление переход-корпус.......0,3 К/Вт

Тепловое сопротивзение переход-окружающая среда .................... 10 К/Вт

Температура окружающей среды.........От 213 до

П = 343 К

Примечание Не допускается отсоединение цепи базы при Наличии напряжения между коллекторюм и эмиттером