200 WO

I 80

40 0

2,5 2

273 293 313 333 353T„,K

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры перехода

1213

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока базы

50 45 40 35 30

5 10 15 20 251и, А

35 30 25 20 15

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

293 313 333 353 373Т,,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д

Транзисторы германиевые сплавные р-п-р усилительные низкочастотные мощные

Предназначены для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты

Выпускаются в метал тостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 15 г

10,3 ге

Коллектор

Эпаттер готВ.

пряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 3 А,

/g = 0,225 А не более............ 0,6 В

апряжение насыщения база-эмиттер при /к = 3 А,

-ц = 0,225 А не более............ IB

»тичсский коэффициент передачи тока в схеме с бщим эмиттером прн (/«э =1 В, /э = 0,05 А при Г = 298 К

ГТ703Л, ГТ703В............30-70

КТ703Б, ГТ703Г.............50-100

ГТ703Д................20-45

при Г = 328 К

ГТ703А, ГТ703В.............30-100

ГТ703Б, ГТ703Г.............50-150

ГТ703Д................20-70

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/o = 2 В, 1 = 0,5 А не

менее................... 10 кГц

Линейность статического коэффициента передачи тока

К, = (Л21Э при /э = 0,05 А)/(Л2э при h = 1,5 А) . . . 0,6- 1,5 Обратный ток коллектора при (/«в = 20 В ГТ703А, ГТ703В и при С/кБ = 30 В ГТ703В, ГТ703Г,

ГТ703Д не более..............0,5 мА

Обратный ток эмиттера при иэ = 10 В......0,5 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Лбэ = = 50 Ом

ГТ703А, ГТ703Б.............. 20 В

ГТ703В, ГТ703Г.............. 30 В

ГТ703Д................. 40 В

Импузьсное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 50 Ом, т„ = I мс, е > 10

ГТ703А, ГТ703Б.............. 25 В

ГТ703В, ГТ703Г.............. 35 В

ГТ703Д................. 50 В

Постоянный ток коллектора . ......... 3,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

с теплоотводом при 7" = 233 - 313 К..... 15 Вт

без теплоотвода при Г = 233 - 308 К...... 1,6 Вт

Температура перехода ............. 358 К

Тепловое сопротивление переход-корпус....... 3 К/Вт

Тепловое сопротивление переход-среда....... 30 К/Вт

Температура окружающей среды.........От 233 до

Гк = 328 К

Примечания I Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность козлектора, Вт, с теплоотводом при Г = = 313 - 328 К опредезяется по формуле

Рк M.u=(358-rj/3

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мош коллектора, Вт, без теплоотвода при Г = 308 - 328 К определ"" по формуле >тся

Рк макс = (358-D/30

2 Допускается пайка выводов на расстоянии не менее б от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружен и т д) при условии, что температура в любой точке коп " не превышает предельно допустимую температуру окружаю среды

При включении транзисторов в электрическую цепь колтект ный контакт должен присоединяться последним и отсоединяться первым

Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах соизмеримых с неуправляемыми обратными токами

Ig,MA

SO 40

1213

80 60 40

го о

О 0,г 0,4 0,6 0,803,8

hzi3

60 40

гЗЪ 253 273 293 313 Т,К

О 0,3 0,6 0,9 1,2Is,A Входные характеристики

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, IТ806Д

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переключательные низкочастотные мощные

Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения