Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-вода-ООозндчение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 28 г

12,2

Эмиттгр

База

Коллектор

Электрические параметры

Граничное напряжение при /3 = 3 А, т„ < 50 мкс, у = 20 50 Гц не менее

IT806A.................

1Т806Б.................

1Т806В .................

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер не более-при /к = 20 А, /б = 2 А 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В . . при /к =15 А, /б = 2 А ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В,

ГТ806Г, ГТ806Д.............

Напря-жение насыщения база-эмиттер не более

нри/к = 20А,/б = 2 А IT806A, 1Т806Б, 1Т806В. . . при /к = 15 А, /б = 2 А ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В,

ГТ806Г, ГТ806Д.............

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (на границе насыщения) 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В.

при Г, = 298 К, /к = 10 А........

при Гк = 343 К, /к = 5 А.........

при Г =213 К, /к =10 А........

ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д-.

при Гк = 298 К, /к = 10 А........

при Гк = 328 К, Гк = 5 А........

при Г= 218 К, /к =10 А........

Время выключения при Сэ = 45 В, /к = 5 А,

4 = 0,25 А не более............

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Скэ = 5 В, 4=1 А не

менее ..................

Обратный ток коллектор-эмиттер при С/дэ = 1 В, кэ = 75 В IT806A; при С/э = ЮО В 1Т806Б, при 1-кз= 120 В 1Т806В не более

при Г= 298 к и Г=213 к........

при Г = 343 К..............

при Г = 298 К t/o = «кэ макс Г1806А. ГТ806Б,

40 В

65 В

80 В

0,6 В

0.6 В

0,8 В

1,0 В

10-100 10- 100 10-150

10- 100 10-200 8-100

30 мкс

10 МГц

12 мА 25 мА

ГТ806В, ГТ806Г ГТ806Д.......... 15 мд

Обратный ток эмиттера не ботее

при г/бэ = 2 В 1Т806А, 1Т806Б 1Т806В .... <;

при С/бэ=1,5 в ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В ГТ806Г

ГТ806Д................: 8 мл

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коттектор-эмиттер при (Убэ = = 1 В

1Т806А, ГТ806А.............. 75 в

1Т806Б, ГТ806Б.............. 100 в

1Т806В, 1Т806В.............. 1Э0 В

ГТ806Г................. 50 в

ГТ806Д................. 140 В

Постоянное напряжение база-эмиттер

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В.......... 2 В

ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д ... I 5 В Постоянный ток коллектора в режиме насыщения

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В.......... 20 А

ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г ГТ806Д .... 15 Д Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при

Q>2, т„ = 1000 мкс, iir„a, = 1 1Т806А 1Т806Б, 1Т806В 25 А

Постоянный ток базы............ ЗА

Постоянная рассеиваемая мощность коттектора

с теплоотводом при Гк < 298 К....... 30 Вт

без теплоотвода при Т < 298 К........ 2 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус...... 2 К/Вт

Тепловое сопротивтение нереход-среда....... 30 К/Вт

Температура перехода............. 358 К

Температура окружающей среды

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В........От213до = 343К

ГТ806А ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . .От 218 до Г, = 328 К

Примечания 1 При = 298 - 343 К (при = 328 К ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д) максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом рассчитывается по формуле

К макс = (358 - Гк)/Л7- п-к

Не допускается отключение базы при наличии напряжения между коллектором и эмиттером Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур

Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей максимальных режимов, в том числе с учетом процессов, происходящих при включении н выключении, запрещается При работе в импульсном режиме при отсутствии открывающего импульса транзистор должен быть закрыт положительным смещением базы 0,5 в < t/БЭ < 2 в

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм корпуса транзистора. При включении транзистора в электри-ую цепь, находящуюся под напряжением, коллекторный онтакт должен подсоединяться последним и отсоединяться первым

Ч 6 10 20 40Uk3,B

4 6 10 20 40 03,8

Область максимальных режимов.

Область максимальных режимов

4 Б 10 20 ЧОид,

25 22,5

20 17,5

15 12,5

О 5 10 15 20 1,А