40 20

213 253 293 333 373Т„К О 0,5 1 1,5 2 2,51,А

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы

0,550 0,525

0,475

0,45

0,425 0,4

1к 2,5

О 0,5 1 1,5 21, А

Зависимость напряжения насышения база-эмиттер от тока базы

О 0,1 0,2 0,3 0,4U3,B

Зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер

0,5 О

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5иэ,В Входные характеристики.

ГТ810А

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р низкочастотные усилительные мошные

Предназначены дзя применения в выходных каскадах блоков очной развертки телевизионных приемников р Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Обозн

ачение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 15

Коллектор

12 г

Змииттер

Ваза,

ФП,1

Электрические параметры

Модузь коэффициента передачи тока на высокой

частоте при бэ = Ю В, /э = 0,5 А, /= 5 МГц,

не менее............... 3

Напряжение насыщения козлектор-эмиттер при

/к= 10 А. 4=1 А..........0,2*-0,4*-0,7 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при 4 =

= 10 А, 4=1 А...........0,44*-0,5*-0,8 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме

с общим эмиттером при t/o = Ю В, 4 =

= 5 А не менее............ 15

Обратный ток коллектора при t/B = 200 В не более 20 мА

Обратный ток эмиттера при t/gs = 1,4 В . . . 0,5*-4*-15 мА Время рассасывания при (/кэ = 30 В, 4 = 5 А,

4 = 0,5 А, не более.......... 5 мкс

Предельные эксплуатациониые даииые

Постоянное напряжение колзектор-база при Т -

= 218 - 303 К............... 200 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при (/эб <

< 1,4 В Г = 218 - 303 К........... 200 В

Импульсное напряжение коллектор-эмнттер при

ЭБ 1,4 В, т„ = 20 мкс, е = 3, Г= 218 - 303 К . . . 250 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 1,4 В

Постоянный (импульсный) ток коллектора при Т =

= 298 К................. 10 А

Постоянный ток базы при Г = 298 К...... 1,5 А

Импупьсный ток базы при т„ = 500 мкс, Q > 2 . . . . 1,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

с теплоотводом при Г < 300,5 К...... 15 Вт

без теплоотвода при < 300,5 К......0,75 Вт

Тепловое сопротивление

перехот-корпус..............2 5 К/Вт

переход-среда...............50 К/Вт

Температура перехода............. 33g

Температура окружающей среды.......От 218 до 328

Примечание Максимально допустимая постоянная рассеивае мая мощность, Вт, при > 300,5 К с теплоотводом и п Т > 300,5 К без теплоотвода рассчитываются по формулам макс = (328-Г J/2,5 (с теплоотводом), м,,кс = (328- 7)/50 (без теплоотвода)

1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переключательные низкочастотные мощные

Предназначены для работы в схемах переключающих устройств

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 28 г

/5,4 12,2

Эмиттер Ф23,5

База

Коллектор

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 3 А, t„ < 50 мкс, /= 20 - 50 Гц не менее

1Т813А................. 60 В

1Т813Б................. 75 В

1Т813В................. 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 30 А,

/б = 3 А не более.............. 0,8 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 30 А,

/б = 3 А не более.............. 0,8 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером (на границе насыщения)

при Г= 298 К, /к = 20 А......... 10-60

при Г = 343 К, /к = 10 А........... 10-60

при Г= 213 К, /к = 20 А.........10-120

Время выключения при t/кэ = 30 В, /к = 30 А,