80 60 40 20

213 253 293 333 373 L,K

OjB 0,5

0,4-0,3

0,2 0,

213 253 293 333 373т.,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры корпуса

213 253 293 333 373Т„,К

Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса

КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Транзисторы кремниевые меза-энитаксиально-нланарные р-п-р универсальные низкочастотные мощные

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Змиттер Коментор, База.

0 3,05

1в,5

11,1

Предельные экеплуатациоиные даииые

Постоятшое напряжение коллектор-эмит lep при Яз < 100 Ом

КТ814А................. 40 В

КТ814Б................. 50 В

КТ814В................. 70 В

КТ814Г................. 100 В

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при /g = О

КТ814А................. 25 В

КТ815Б................. 40 В

КТ815В................. 60 В

КТ815Г................. 80 В

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В

Постоянный ток коллектора........... 1,5 А

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мс, g > 100 . . . ЗА

Постоянный ток базы............. 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

с теплоотводом при Г < 298 К........ 10 Вт

без теплоотвода при Г= 233 - 298 К...... I Вт

Температура перехода ............. 298 К

Температура окружающей среды......... От 233 до

Гк = 373 К

Граничное напряжение при /3 = 50 мА, т„ < 300 мкс, g > 100 не менее:

KT8I4A................. 25 В

КТ814Б................. 40 В

КТ814В................. 60 В

КТ814Г................. 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 0,5 А,

/g = 0,05 А не более............. 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /« = 0,5 А,

/5 = 0,05 А не более............. 1,2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при [/«б = 2 В, /э = 0,15 А не менее:

КТ814А, КТ814Б, КТ814В.......... 40

КТ814Г................. 30

Граничная частота коэффициента передачи тока при

f/кэ = 5 В, /э = 0,03 А не менее.........3 МГц

Емкость коллекторного перехода при t/кэ = 5 В.

f = 465 кГц не более.............60 пФ

Емкость эмиттерного перехода при t/эБ = 0.5 В,

f = 465 кГц не более............. 75 пФ

Обратный ток коллектора при бкБ = 40 В не более

при Гк < 298 К...............50 мкА

прн Гк= 373 К...............1000 мкА

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Г= 298 -373 снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К и с тепюотводом при Гк= 298 - 373 К на 0,1 Вт через 1 К

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса При пайке жало паяльника должно быть заземлено.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 - 2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

10 20 40ВО 100 т 1к,мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока коллектора

"213

W 20

0,10,20,401 2 4 610 20 4060100 400Ik,A 233273 313 353393T„,K

10 В

<fe 6

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Транзисторы кремниевые меза-эиитаксиалыю-планарные р-п-р универсальные Низкочастотные мощные.