![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 181182183184185186187 ... 297 „ 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее «"мм При этом должны приниматься меры, исключающие воз-%жность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов j,e допускается. 0,8 А 0,6
10 20 Ч060Ю0 40010002-104-10 Rs3,0m Зависимость относительного напряжения коллектор-эмигтер от сопротивления база-эмиттер. 0,8 0,4 0,1 0,06 0,04 0,02 0,01 \ I III F=F КТ818А-КТ818Г, КТ818АМ-КТ818ГМ, -2ТВ18А -278185 Ы -1н/1б = 10 0,10,2 0,40,6 1 2 4 6 101к,А Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 0,9 0,8 1о,7 0,5 0,4 \КГ818А-КТ818Г, \ КТ818АМ- КТ818ГМ, \ у2Т818А-2ТВ18В 0,3=258 1, = 0,5А- 8 12 161к,А Зависимость времени выключения от тока коллектора. ![]() гг8т-2Т8т, КТ818А-КТ818Г.- КТ818АМ-КТ818ГМ -U.sSB 1к5А 21J 25S 29J JSS 373Тк,К Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 80 70 60 КТ818А-КТ819Г, -КТ818АМ-КТд18ГМ-2ТВт-278185 213 253 293 333 373 7, К 563 КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1 Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р ун„ версальные низкочастотные мощные Предназначены для применения в усилителях низкой частоты операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях импульсных схемах герметизированной аппаратуры Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару Обозначение типа транзистора приводится сопроводительной таре Масса транзистора не более 0,02 г ![]() Ij Коллектор Ф0,0 Электрические параметры Граничное напряжение при /к = 50 мА, т„ < 300 мкс, Q > 100 не менее КТ820А-1................ 40 В КТ820Б-1................ 60 В КТ820В-1................ 80 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 0,5 А, /б = 0,05 А не более............. 0,5 В Напряжение насыщения база-эмнттер при = 0,5 А, /б = 0,05 А не более............. 1,2 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кБ = 2 В, = 150 мА не менее КТ820А-1, КТ820Б-1............ 40 КТ820В-1................ 30 Граничная частота коэффициента передачи тока при f/кэ = 5 В, /к = 0,03 А не менее........3 МГц Емкость коллекторного перехода при Ьъ = 5 В, /= 465 кГц не более............. 65 пФ Емкость эмиттерного перехода прн С/бэ = 0,5 В, / = 465 кГц не более............. 65 пФ обратный 6oiee . 30 мкА Предельные эксплуатационные даииые „тоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ 00 Ом KT820A-I................ 50 В КТ820Б-1................ 70 В KT820B-I................ 100 В Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В Постоянный ток козлектора........... 05\ Импу1ьсный ток коллектора при т„ < 10 мс, Q > 100 1,5 А Постоянный ток базы............. 0,3 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе тибридной схемы при Г = 233 - 298 К...... 10 Вт Температура перехода............. 398 К Температура окружающей среды.......... От 233 до 358 К Примечания I Максима зьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, в составе гибридной схемы при Г= 298 - 358 К определяется по формуле к макс = 098- Г)/10 2 Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от защитного покрытия "213 160
; 2 ч 610 г 4 6 iq22 ч Ij,ma "213 40 35 30 25 20
213235 293 333 373 Т, К 0 ... 181182183184185186187 ... 297 |