„ 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее «"мм При этом должны приниматься меры, исключающие воз-%жность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов j,e допускается.

0,8 А 0,6

10 20 Ч060Ю0 40010002-104-10 Rs3,0m

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмигтер от сопротивления база-эмиттер.

0,8 0,4

0,1 0,06 0,04

0,02 0,01

\ I III F=F КТ818А-КТ818Г, КТ818АМ-КТ818ГМ, -2ТВ18А -278185 Ы

-1н/1б = 10

0,10,2 0,40,6 1 2 4 6 101к,А

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

0,9 0,8 1о,7

0,5 0,4

\КГ818А-КТ818Г, \ КТ818АМ-

КТ818ГМ, \ у2Т818А-2ТВ18В 0,3=258 1, = 0,5А-

8 12 161к,А

Зависимость времени выключения от тока коллектора.

гг8т-2Т8т,

КТ818А-КТ818Г.-

КТ818АМ-КТ818ГМ -U.sSB 1к5А

21J 25S 29J JSS 373Тк,К

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

80

70 60

КТ818А-КТ819Г, -КТ818АМ-КТд18ГМ-2ТВт-278185

213 253 293 333 373 7, К 563

КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р ун„ версальные низкочастотные мощные

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях импульсных схемах герметизированной аппаратуры

Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару Обозначение типа транзистора приводится сопроводительной таре

Масса транзистора не более 0,02 г

Ij Коллектор

Ф0,0

Электрические параметры

Граничное напряжение при /к = 50 мА, т„ < 300 мкс, Q > 100 не менее

КТ820А-1................ 40 В

КТ820Б-1................ 60 В

КТ820В-1................ 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при = 0,5 А,

/б = 0,05 А не более............. 0,5 В

Напряжение насыщения база-эмнттер при = 0,5 А,

/б = 0,05 А не более............. 1,2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кБ = 2 В, = 150 мА не менее

КТ820А-1, КТ820Б-1............ 40

КТ820В-1................ 30

Граничная частота коэффициента передачи тока при

f/кэ = 5 В, /к = 0,03 А не менее........3 МГц

Емкость коллекторного перехода при Ьъ = 5 В,

/= 465 кГц не более............. 65 пФ

Емкость эмиттерного перехода прн С/бэ = 0,5 В, / = 465 кГц не более............. 65 пФ

обратный 6oiee .

30 мкА

Предельные эксплуатационные даииые

„тоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ 00 Ом

KT820A-I................ 50 В

КТ820Б-1................ 70 В

KT820B-I................ 100 В

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В

Постоянный ток козлектора........... 05\

Импу1ьсный ток коллектора при т„ < 10 мс, Q > 100 1,5 А

Постоянный ток базы............. 0,3 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе

тибридной схемы при Г = 233 - 298 К...... 10 Вт

Температура перехода............. 398 К

Температура окружающей среды.......... От 233 до

358 К

Примечания I Максима зьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, в составе гибридной схемы при Г= 298 - 358 К определяется по формуле

к макс = 098- Г)/10

2 Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от защитного покрытия

"213 160

; 2 ч 610 г 4 6 iq22 ч Ij,ma

"213 40

35 30 25 20

213235 293 333 373 Т, К