== 0,7 0,6

0,5 0,4 0,3

io,2

0,1 0

KT820A тагов-)

I,/Is =10

10 2 4 8,02 2 fS,o3 2 4 S ,,2 RsfiM 2 4 в 2 2 цт

Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмнттер

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер q-j тока коллектора

2 4 В 2 4 1ц,мА

г93 313 333 353 373 т,к

Зависимость напряжения насыщения коллектор-база от тока колтектора

Зависимость обратного тока котлектора от температуры

КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п р универсальные низкочастотные мощные

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовагетях и импульсных схемах

Бескорпусные, с гибкими выводами без кристаллодержателя, с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару Обозначение типа приводится на сопроводительной таре

Масса транзистора не более 0,02 г

Коплектор N

Эмиттер

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 100 мА, т„ < 300 мкс, 2 > 100 не менее

КТ822А-1................ 45 В

КТ822Б-1................ 60 В

КТ822В-1................ 80 В

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = 1 А,

/б = 0,1 А не более............. 0,6 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А,

4 = 0,1 А не более............. 1,5 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эминером при (7к;э=2 В, 4= А

при Г= 298 и 358 К............ 25

при Г = 233 К.............. 15

Входное сопротивчение в режиме матого сигнала* при

(/кэ= 5 В, 4= 30 мА, f= 0,8 кГц........0,15-0,36-

1 кОм

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером прн иэ =5 В, 4 = 0,05 А не менее..................3 МГц

Емкость колтекторного перехода при [/«б =5 В, / = 465 кГц не более.............115 нФ

Емкос1ь эмиттерного перехода при (7эб = 0,5 В, /= 465 кГц не более.............150 пФ

Обратный ток колтектора при t/кБ = 40 В не бо lee

при Г = 298 К..............50 мкА

Цри Г= 58 К...............100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Посгоянное напряжение коллектор-эмнттер при

бэ < 1 кОм

KT822A-I................ 45 В

КТ822Б-1................ 60 В

<Т822В-1................ 100 В

Постоянное напряжение база-эмигтер........ 5 g

Постоянный ток коллектора........... 2 А

Импутьсный ток коллектора при т„ < 20 мс, Q 100 4 \

Посюянный ток базы............. 05д

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе

гибридной схемы при Т = 233 - 298 К...... 20 Вт

Температура перехода............. 398 К

Тепловое сопротивление переход-кристалт......5 К/Вт

Температура окружающей среды.........От 233

358 К

2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д,

КТ825Е

Транзисторы Кремниевые меза-нланарные р-п-р составные у.щ BepcajTbHbie низкочастотные мощные

Предназначены для работы в усилите тях низкой частоты импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, электронных системах управления, схемах автоматики и защиты

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 20 г

Коллектор

iomS.0 4,1

Змиттер

10,3

Электрические параметры

Граничное напряжение при /э = 100 мА

2Т825А................ 80 В

2Т825Б................ 60 В

2Т825В, КТ825Д............. 45 В

КТ825Г................ 70 В

КТ825Е................ 25 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более

при /к = 10 А, /б = 40 мА........ 2 В

при /к = 20 А, /б = 200 мА........ 3* В

Напряжение насыщения база-эмиттер не более

ирн /к = 10 А, /б = 40 мА........ 3 В

при /к = 20 А, /б = 200 мА........ 4* В