![]() | |
НПО Системы Безопасности (499)340-94-73 График работы: ПН-ПТ: 10:00-19:00 СБ-ВС: выходной ![]() ![]() |
Главная » Периодика » Безопасность 0 ... 182183184185186187188 ... 297 == 0,7 0,6
0,5 0,4 0,3 io,2 0,1 0 KT820A тагов-) I,/Is =10 10 2 4 8,02 2 fS,o3 2 4 S ,,2 RsfiM 2 4 в 2 2 цт Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмнттер Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер q-j тока коллектора
2 4 В 2 4 1ц,мА
г93 313 333 353 373 т,к Зависимость напряжения насыщения коллектор-база от тока колтектора Зависимость обратного тока котлектора от температуры КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1 Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п р универсальные низкочастотные мощные Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразовагетях и импульсных схемах Бескорпусные, с гибкими выводами без кристаллодержателя, с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару Обозначение типа приводится на сопроводительной таре Масса транзистора не более 0,02 г ![]() Коплектор N Эмиттер Электрические параметры Граничное напряжение при /э = 100 мА, т„ < 300 мкс, 2 > 100 не менее КТ822А-1................ 45 В КТ822Б-1................ 60 В КТ822В-1................ 80 В Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /к = 1 А, /б = 0,1 А не более............. 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1 А, 4 = 0,1 А не более............. 1,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эминером при (7к;э=2 В, 4= А при Г= 298 и 358 К............ 25 при Г = 233 К.............. 15 Входное сопротивчение в режиме матого сигнала* при (/кэ= 5 В, 4= 30 мА, f= 0,8 кГц........0,15-0,36- 1 кОм Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с обшим эмиттером прн иэ =5 В, 4 = 0,05 А не менее..................3 МГц Емкость колтекторного перехода при [/«б =5 В, / = 465 кГц не более.............115 нФ Емкос1ь эмиттерного перехода при (7эб = 0,5 В, /= 465 кГц не более.............150 пФ Обратный ток колтектора при t/кБ = 40 В не бо lee при Г = 298 К..............50 мкА Цри Г= 58 К...............100 мкА Предельные эксплуатационные данные Посгоянное напряжение коллектор-эмнттер при бэ < 1 кОм KT822A-I................ 45 В КТ822Б-1................ 60 В <Т822В-1................ 100 В Постоянное напряжение база-эмигтер........ 5 g Постоянный ток коллектора........... 2 А Импутьсный ток коллектора при т„ < 20 мс, Q 100 4 \ Посюянный ток базы............. 05д Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе гибридной схемы при Т = 233 - 298 К...... 20 Вт Температура перехода............. 398 К Тепловое сопротивление переход-кристалт......5 К/Вт Температура окружающей среды.........От 233 358 К 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е Транзисторы Кремниевые меза-нланарные р-п-р составные у.щ BepcajTbHbie низкочастотные мощные Предназначены для работы в усилите тях низкой частоты импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, электронных системах управления, схемах автоматики и защиты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 20 г Коллектор iomS.0 4,1 Змиттер 10,3 ![]() Электрические параметры Граничное напряжение при /э = 100 мА 2Т825А................ 80 В 2Т825Б................ 60 В 2Т825В, КТ825Д............. 45 В КТ825Г................ 70 В КТ825Е................ 25 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при /к = 10 А, /б = 40 мА........ 2 В при /к = 20 А, /б = 200 мА........ 3* В Напряжение насыщения база-эмиттер не более ирн /к = 10 А, /б = 40 мА........ 3 В при /к = 20 А, /б = 200 мА........ 4* В 0 ... 182183184185186187188 ... 297 |