Раздел седьмой

ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ

п-р-п

КТ604А, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ

Транзисторы кремниевые меза-птанарные п-р-п универсатьные высокочастотные мощные

Предназначены для применения в схемах онерационных \си-лителей, видеоусилителей и генераторов разверток

Транзисторы КТ604А, КТ604Б выпускаются в металлостеклянном корп>се (вариант 1), а транзисторы КТ604АМ, КТ604БМ -в пластмассовом Kopiiyce с гибкими выводами (вариант 2) Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора в металлостектянном корпусе не более 5 г, в пластмассовом не более 1 г

е.

Вариант 1

Эмиттер

Ваза

Коппектор

Вариант Z

НапряАСНие насыщения котлектор-эмиттер при 4 =

20 мА, /б = 2 мА не более........ 8 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с

обшим эмиттером при Ue = 40 В, /э = 20 мА

КТ604А, КТ604АМ............ 10-40

КТ604Б, КТ604БМ............30-120

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме

с общим эмиттером при Ue = 40 В, /э = 20 мА

не менее.................40 МГц

Емкость котлекторного перехода при (Укб = 40 В,

у= 2 МГц не более............. 7 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uje = О, /= 2 МГц

не более................. 50 пФ

Обратный ток котлектор-эмиттер при t/o = 250 В не

более...................20 мкА

Обратный ток эмиттера при (Уэб = 5 В не более ... 50 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение кочлектор-база

при Г < 373 К.............. 300 В

при Г = 423 К.............. 150 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб < < 1 кОм

при Г < 373 К.............. 250 В

при Г = 423 К.............. 125 В

Постоянное напряжение эмиттер-база

при Г < 373 К............. 5 В

при Г = 423 К............... 2,5 В

Постоянный ток коллектора........... 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность без теплоотвода

при Г < 298 К..............0,8 Вт

при Г = 373 К..............0,33 Вт

с тепзоотводом

при Гк < 298 К............. 3 Вт

при Гк = 373 К..............1,25 Вт

Температура перехода ............. 423 К

Тепловое сопротивзение

переход-корпус..............40 К/Вт

переход-окружающая среда..........150 К Вт

Температура окружающей среды и корпуса......От 233 до

373 К

Примечание При монтаже допускается пайка выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса Пайку следует производить паяльником в течение не более 10 с, температура пайки не должна превышать 533 К Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки

Для транзисторов в металлостеклянном корпусе изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса с р диусом закругления не менее 3 мм, при этом должны быть при няты меры предосторожности, обеспечивающие неподвижность вы-вода между местом изгиба и стеклянным изолятором.

Для транзисторов в пластмассовом корпусе изгиб выводов допускается под углом не более 90" в плоскости, перпендикуляр, ной плоскости основания корпуса транзистора, и на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба менее 1,5 мм

100 80 60 W

40 80 1г01,,мА

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер

"21e\ 16

\f21e\ 12

О 20 40 60 80 Г,МГц

О 10 20 30 40 50Is,mA

Зависимость модуля коэффици-«!та передачи тока от частоты

Зона возможных положений зависимости модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера.