Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 500 мА, /б = 50 мА

2Т625А-2, 2Т625АМ-2 не более........0,65 в

КТ625А, КТ625АМ не более......... 1 2 в

2Т625Б-2, 2Т625БМ-2............0 2-1о,7 в

Напряжение насыщения база-эмиттер при = 500 мА, /б = 50 мА не более

2Т625А-2, 2Т625АМ-2............ 1,2 в

2Т625Б-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ..... 15 В

Граничное напряжение при = 10 мА, /б = 0, Ти < < 30 мкс, 2 > 50 не менее

2Т625А-2, 2Т625АМ-2............ 40 В

2Т625Б-2, 2Т625БМ-2............ 30 В

Время рассасывания при /« = 500 мА, /б = 50 мА, не более

2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 .... 30 не

КТ625А, КТ625АМ............. 60 не

Модуль коэффициента передачи тока при (/э = Ю В,

/к = 50 мА, /= 100 МГц не менее........ 2

Емкость коллекторного перехода прн t/кБ =10 В не

более................... 9 пф

Емкость эмиттерного перехода при t/эБ = о не более ... 90 нФ Обратный ток коллектора при иь = 60 В не ботее ... 30 мкА Обратный ток эмиттера при (Уэб = 5 В не более .... 100 мкА Обратный ток коллектор-эмиттер при иэ = 60 В,

Лэб = о не более..............60 мкА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное наиряжение коллектор-эмиттер при

Лэб < 5 кОм................ 40 В

Постоянное напряжение коллектор-база

2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2

прн Гк < 373 К.............. 60 В

при Гк= 398 К.............. 45 В

при Гк < 358 К КТ625А, КТ625АМ...... 60 В

Постоянное наиряжение эмиттер-база....... 5 В

Постоянный ток колтектора........... А

Импульсный ток коллектора при < 5 мкс, Q > 10 . . . 1,3 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 при

Гк < 358 К и КТ625А, КТ625АМ при Гк < 343 К . . . 1 Вт

2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 при

Гк= 398 КиКТ625А, КТ625АМпри Гк= 358 К. . . 0,7 Вт

Температура перехода

2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 ... 408 К КТ625А, КТ625АМ............. 393 К

Температура окружающей среды

2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 ... От 213

доГк = 398К

КТ625А, КТ625АМ

От 223 до Г = 358 К

Примечание Монтаж транзисторов в микросхемы осущест-ся в следующем порядке место монтажа в микросхеме сма-тся флюсом ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 "пщиной 30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мм Допускается нагрев ° посхемы до температуры не выше 473 К в течение не ботее и)* с В момент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом Усилие прилагается к боковым поверхностям кристаллодержателя

40 20

0,8 0,6

10,4

500 500 700 Ik,мА 100 300 500 7001к,мА

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Ч 1 ?

45 35 \25

100 300 500 7001к,мА О 200 400 BOO 1, мА

0 100 200 300 Ii,mA

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

КТ902А

Транзистор кремниевый меза-иланарный п-р-п генераторный высокочастотный мощный.

Предназначен для применения в схемах высокочастотных усилителей мощности.

Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 25 г.

23,S

Эмиттер

Электрические параметры

Выходная мощность иа /= 10 МГц, t/кэ = 28 В не менее 20 Вт Коэффициент усиления по мощности при /=10 МГц,

Рвь«= 20 Вт, С/кэ= 28 В не менее........ 7

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /кэ =

= 2,5 А, /б = 0,4 А не более.......... 2 В