КТ908Б при Лбэ = 250 Ом, t/кэ = 60 В ... . 50 мА Г = 398 К 2Т908А при Лбэ = Ю Ом, f/кэ =

80 В.................. 50 мА

Обратный ток эмиттера при иэ = 5 В не более ... 300 мА

Предельные эксплуатациониые данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Г„ < 373 К

2Т908А, КТ908А при Лбэ =10 Ом...... 100 В

КТ908Б при Лбэ = 250 Ом.......... 60 В

Постоянное напряжение коллектор-база при Т„ < 373 К

2Т908А.................. 140 В

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В

Постоянный ток коллектора........... 10 А

Постоянный ток базы.............. 5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Гк < 323 К................ 50 Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура корпуса.............. 398 К

Температура окружающей среды.........От 213 до

Гк = 398 К

Примечания 1 Постоянное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база при Т„ = 373 - 423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк = 323 - 398 К определяется по формуле

Рк макс = (п - к)/йт п к,

тде Лт п к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов (например, при Скэ = Ю В, 4 = 5 А Лт „.к = 2 К/Вт)

Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзистора за счет паразитных связей.

2 Механические усилия на выводы транзистора не должны превышать 19,62 И в осевом и 3,43 И в перпендикулярном направлениях к оси вывода

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

о 0,4 0,8 1,2 1,SUs3,B Входные характеристики

8 6 4

2Т908А, -КТ908А, КТ908Б

О 0,5 1 1,5 2и,з,В

Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер

0,85 0,8 Z0,75

0,85 0,S

0 0,5 1 1,5 2 I„A

Зависимость напряжения насыщения котлектор-эмиттер от тока базы

1 1,4 1,8 2,2 2,61,А

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы

213 50

20 10

81„А

213 253 293 333 3731к,К

со 2,5

21J 253 293 333 373Т,„К

Зависимости напряжений насышения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от температуры корпуса.

Сн,пФ

1000

400 200

О 20 40 60 80Uks,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

Область максимальных режимов.

0,6 0,4

0,2 0,1 0,06 0,04

0,02 0.01

1 г 4 6810 20 40Uk3,B

2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п высокочастотные генераторные.

Предназначены для работы в линейных усилителях мощности на частотах 1,5 - 30 МГц при напряжении питания 27 В

Вьшускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Транзисторы поставляются с диодом, смонтированным внутри корпуса и предназначенным для контроля температуры корпуса. Разрешается поставлять транзисторы без диода. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Транзистор без диода маркируется синей точкой около диодного вывода.

Масса транзистора не более 45 г.