2. в

Эмиттер/ Ф15

Диод

Z2 /

Коллектор

Электрические параметры

Выходная мощность двухтонового сигнала в пике огибающей на частоте 30 МГц при Еу - П В не менее ...................

Коэффициент усиления по мощности при Рвых(по) = 70 Вт, у = 30 МГц не менее............

Коэффициент полезного действия коллектора при /вых(по) = = 70 Вт, /"=30 МГц не менее........

Коэффициент комбинационных составляющих третьего

порядка при Р,

вых(по)

= 70 Вт не более

Модуль коэффициента передачи тока при /=30 МГц,

t/o=10 В, /к = 3 А не менее........

типовое значение..............

Емкость коллекюрио! о перехода * при (/«б = 27 В не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кБ = Ю В, /к = 5 А:

2Т912А, KT9I2A..............

2Т912Б, КТ912Б..............

Обратный ток коллектор-эмиттер при Иъ = 70 В, ЛэБ 10 Ом не более:

при Г < 298 К..............

при Г= 358 К КТ912А, КТ912Б........

при Г= 398 К 2Т912А, 2Т912Б........

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 5 В не более . . . Постоянное прямое напряжение на диоде при /„р = 20 мА Постоянный обратный ток диода при f/ = 5 В не более

Предельные эксплуатациоиные даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмнттер при ЛэБ < 10 Ом: 2Т912А, 2Т912Б:

при Гп < 398 К.............

при Г„ = 428 К.............

КТ912А, КТ912Б:

при Гк < 348 К.............

при Гк= 358 К.............

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при (/эб= 1,5 В 2Т912А, 2Т912Б:

при Г„ < 398 К.............

при Гп = 428 К.............

70 Вт 10

50% -30 дБ 3

5,5* 200 пФ

10-50 20-100

50 мА 75 мА 75 мА 250 мА 0,3-1 В 1 мА

70 В 35 В

70 В 56 В

1ГТ912А, КТ912Б

при r„< 348 К............. 80 В

приГ„= 358 К.............. 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 5 В

постоянный ток коллектора........... 20 А

Постоянный ток базы............. 10 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т912А, 2Т912Б

при Гк < 213 - 373 К........... 30 Вт

при Гк= 398 К.............. 15 Вт

КТ912А, КТ912Б при < 358 К....... 30 Вт

Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме при < 28 В 2Т912А, 2Т912Б

при Гк < 358 К............. 35 Вт

при Гк= 398 К.............17,5 Вт

KT9I2A, КТ912Б при 4 < 358 К....... 35 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус......1,42 К/Вт

Температура окружающей среды

2T9I2A, 2Т912Б..............От 213 до

Гк = 398 К

КТ912А, КТ912Б..............От 223 до

Гк = 358 К

Примечание Допускается производить пайку выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса паяльником, нагретым до температуры 523 К, в течение не более 10 с Допустимый крутящий момент на монтажный винт при креплении транзистора 1,8 И м Осевое усилие на винт допускается не более 1600 И

о 1 2 3 t 5 в 1к,А

15 U,s,B

15 1к,А

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения кот 1ектор-база

Зависимость напряжения насыщения копектор-эмиттер от тока коттектора

2Т917А

Транзистор кремниевьи! меза-птанарный прп универсатьный высокочастотный мощный

Предназначен тля работы в имг!утьсных схемах, схемах vcine-ния и генерирования

Выпускается в метатлокерамическом корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Вывод эмиттера маркируется устовнон точкой на корпусе

Масса транзистора не ботее 20 г

Эми.ттер

база

Успо5ная точка.

Электрические парамегры

Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при /«; = 10 А,

/б = 2 А не бо тее............. 2 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /« = 10 А,

/б = 2 А не более.............. 2,2 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при t/кэ =5 В, /к = 7 А

при Г = 298 К.............. 10-60

20 16