ПРИ r= 213 к.............. 8-60

;;п r= 398 К, /к = 2,5 А.......... 10-180

.д„уль коэффициента передачи тока при t/кэ = О В,

/ = 1 А, /= 30 МГц не менее......... 2

Обратный ток колтектор-эмиттер при Йбэ = Ю Ом, fl, = 150 В не более

прп Г= 298 К и Г=213 К.........20 мД

при г = 398, t/K3=120 В..........40 мА

Обратный ток эмиттера при Ujj = 5 В не более ... 200 мА Выходная мощность* при t/к = 30 В, /=10 МГц в

к пассе С.................30-50 Вт

Коэффициент усиления по мощности * (Р,, < :>0 Вт) прн

/к = 30 В, /"= 10 МГц............ 10-20

Коэффициент полезного действия при t/к = 30 В, /" =

= 10 МГц (й,,„<50 Вт)........... 70-80%

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коззектор-эмиттер при Лбэ =10 Ом

при Г„ < 373 К.............. 150 В

при Г„ = 423 К............... 75 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при т„ < 1 мс,

Q> 2 .................. 200 В

Постоянное напряжение коллектор-база...... 150 В

Постоянное напряжение база-эмиттер....... 5 В

Импульсное напряжение база-эмиттер при т„ < 1 мс,

е> 2, /бэ„ 1 А.............. 8 в

Постоянный ток козлектора.......... 10 А

Импутьсный ток коллектора при !„ < 1 мс, Q>2 . . . 15 А

Постоянный ток базы............. 5 А

Импульсный ток базы при т„ < 1 мс, Q > 2..... 7 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 4 <

< 323 К.................. 50 Вт

Мгновенная рассеиваемая мощность коллектора на фронтах в режиме переключения при длительности фронтов переходных процессов 0,1-0,2 мкс, Гп < 423 К 500 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус.......2 К/Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды.........От 213 до

Гк = 398 К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Г > 323 К определяется по формуле

Кмакс = (423 - Гк)/2 Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмнттер при Гп > 373 К снижается линейно на 10 "„ через каждые 10 К

2 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора

2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920А, КТ920Б КТ920В, КТ920Г

Транзисторы кремниевые энитаксиально-нланарные п-р-п генера-торные высокочастотные

Предназначены для применения в схемах усилителей мощности в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50 - 200 МГи при напряжении питания 12 6 В

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом Обозначение тина приводится на корпусе

Масса транзистора не более 4,5 г

Электрические параметры

Выходная мощность при (7<э=12,6 В, /=175 МГц, Г, < 313 К

2Т920А, КТ920А.............. 2 Вт

2Т920Б................. 7 Вт

КТ920Б................. 5 Вт

2Т920В, КТ920В.............. 20 Вт

КТ920Г................. 15 Вт

Коэффициент усиления но мощности при t/кэ = 2,6 В, /= 175 МГц

2Т920А, КТ920А Рых = 2 Вт не менее...... 7

типовое значение ............. 12*

2Т920Б, КТ920Б Р,; = 5 Вт не менее...... 4,5

типовое значение.............. 9*

2Т920В, КТ920В Px = 20 Вт не менее..... 3

типовое значение.............. 4*

КТ920Г Рвых=15 Вт не менее........ 3

Коэффициент полезного действия коллектора

2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В не менее........ 60 °i

типовое значение.............. 70* %

КТ902А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г не менее .... 55 %

ийский коэффициент передачи тока в схеме с об-

шим эмиттером* при С/кэ = 5 В:

2Т920А при /к = 50 мА, типовое значение .... 30 2Т920Б при /к = 00 мА, типовое значение .... 40 2Т920В при /к = 250 мА, типовое значение .... 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*:

2Т920А при /к = 50 мА, 4 = 10 мА, типовое значение ................... В

2Т920Б при /к = 100 мА, /g = 20 мА, типовое

значение................. 0,4 В

2Т920В при /к = 250 мА, /g = 50 мА, типовое значение.................0,45 В

Модуль коэффициента передачи тока при / = 100 МГц,

2Т920А, КТ920А при = 0,2 А не менее .... 4

типовое значение.............. 7,5 *

2Т920Б, КТ920Б при 4 = 0,4 А не менее..... 4

типовое значение.............. 7 *

2Т920В, КТ920В при /«=1,0 А не менее .... 4

типовое значение.............. 4,5 *

КТ920Г при /к= 1,0 А не менее....... 3,5

Критический ток коллектора* при Uj=lO В, / = = 100 МГц:

2Т920А, КТ920А не менее.......... 0,8 А

типовое значение.............. 1,0 А

2Т920Б, КТ920Б не менее.......... 1,5 А

типовое значение.............. 2,0 А

2Т920В, КТ920В не менее.......... 4,5 А

типовое значение.............. 7,0 А

КТ920Г не менее.............. 4,0 А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при t/кэ = Ю В, / = 5 МГц: при /э = 30 мА 2Т920А, 2Т920Б, КТ920А,

КТ920Б не более.............. 20 пс

типовое значение.............. 7 пс

при /э= 150 мА 2Т920В, КТ920В, КТ920Г не более 20 пс

типовое значение............. 9* пс

Емкость коллекторного перехода при t/jo = Ю В, / = = 5 МГц:

2Т920А не более.............. 15 пФ

типовое значение.............. 10* пФ

2Т920Б не более.............. 25 пФ

типовое значение.............. 16* пФ

2Т920В не более.............. 75 пФ

типовое значение.............. 50* пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/бэ = 0,/= 5 МГц не более:

2Т920А................. 55 пФ

2Т920Б................. 100 пФ

2Т920В................. 410 пФ