Обратный ток коллектор-эмиттер при С/э = 36 В, Лэб = = 100 Ом не более при Г= 298 К

2Т920А................ I МА

2Т920Б. КТ920А............. 2 мД

2Т920В................ 5 мА

КТ920Б................ 4 МА

КТ920В, КТ920Г............. 7,5 мА

при Г = 398 К

2Т920А................ 2 МА

2Т920Б................ 4 мА

2Т920В................ 10 мА

Обратный ток эмиттера при эб = 4 В при Г = 298 К

2Т920А, 2Т920Б............. 0,25 мА

2Т920В................ 2 мА

Индуктивность выводов* при / = 1 мм 2Т920А, КТ920А

эмиттерного.............. 1,7 нГн

колтекторного.............. 2,4 нГн

базового................ 2,9 нГн

2Т920Б, КТ920Б

эмиттерного.............. 12 нГн

котлекторного.............. 2,4 нГн

базового................ 2,6 нГн

2Т920В, КТ920В, КТ920Г

эмиттерного.............. 1,0 нГн

коллекторного.............. 2,4 нГн

базового................ 2,4 иГн

Емкости электродов относительно корпуса*

эмиттер-корпус............. 1,84 пФ

коллектор-корпус............. 1,53 пФ

база-корпус............... 0,96 пФ

Предельные эксплуатациоиные данные

Постоянное напряжеиие коллектор-эмиттер при Лбэ

< 100 Ом................. 36 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток коллектора

2Т920А, КТ920А.............. 0,5 А

2Т920Б, КТ920Б.............. 1 А

2Т920В, КТ920В, КТ920Г........... ЗА

Импутьсный ток коттектора при т„ < 20 мкс, Q > 50

2Т920А, КТ920А.............. А

2Т920Б, КТ920Б.............. 2 А

2Т920В, КТ920В, КТ920Г.......... 7 А

Постоянный ток базы

2Т920А, КТ920А..............0,25 А

,т920Б, КТ920Б.............. О 5 А

КТ920В, КТ920Г.......... 1 5 А

-.ксный ток базы при т„ < 10 мкс, Q > 100

1%оА, КТ920А.............. 0,5 А

2Т920Б, КТ920Б.............. 1 А

2Т920В, КТ920В КТ920Г.......... 3,5 А

" аа пзссеиваемая мощность в динамическом режиме "СиЗК

1Т920А, КТ920А............. 5 Вт

2Т920Б, КТ920Б............. 10 Вт

2Т920В, КТ920В, КТ920Г.......... 25 Вг

при Г, = 398 К

2Т920А................ 1,25 Вт

2Т920Б................ 2,5 Вт

2Т920В................ 6,2 Вт

Тепзовое сопротив тенне переход-корпус

2Т920А, КТ920А.............. 20 К/Вт

2Т920Б, КТ920Б.............. 10 К/Вт

2Т920В, КТ920В, КТ920Г........... 4 К/Вт

Температура перехода............. 433 К

Температура окружающей срезы

2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В........... От 213 до

КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г....... От 238 30

Гк = 258 К

Примечание Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 5 мм от корпуса без передачи усилия на керамическую часть корпуса, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода

2Т920А,

ктэгоА-

100 10

f =175 МГц Окэ=12,8 В-

80 SO 40 20

° 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 Pg,BT О 0,5

Зависимость выходной мощности и КПД от входной мощности

1,75 Р,Вг

Зависимость выходной мощности и КПД от входной мощности

IS 12 8

гТ9208,

-ктэгов.

= 175 МГц 03 = 12,8 8

1к , % 100

Л к- 80

60 40

8 8 10Р,8г

Зависимость выходиой мощности и КПД от входной мощности.

2 4 6 8 10 и,,,в

Зависимость выходной мощно-сти и КПД от напряжения коллектор-эмиттер

2Т920Б, КТ920Б

5 -f =175 МГц Р(,=1,0Вт

Plbix

75 50 25

6 8 10 Off.,8

Зависимость выходной мощности и КПД от напряжения коллектор-эмиттер

Зависимость выходной мошности и КПД от напряжения коллектор-эм иттер

cj 2

12 Ю 8

<ё ч

100 120 140 160 180 200 f,МГц 100 120 140 160 180 200 f,МГц

Зависимость выходной мощности от частоты.

Зависимость выходной мощности от частоты.