100 120 140 1S0 190 200 f, МГц О Ю 20 30 40 50 0ks,B

Чавиеимость выходной мощности от частоты

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

25 20 15 10 5

О 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1з,А

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

8 10Uk3,B

Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер

\hzb\ 10

о 0,4 0,8 1,2 1,6 21к,А

\h2l3

Зависимость модутя коэфф„ц ента передачи тока от о копектора

О г 4 6 8 101к,А

2Т921А, КТ921А, КТ921Б

Транзисторы кремниевые танарные п-р п высокочастотные гене раторные

Предназначены для работы в тинейных уситителях KB и Укв диапазонов при напряжении питания 27 В

Выпускаются в мета ьтокерамическом корпусе с жесткими вы водами и монтажным винтом Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не ботее 6,5 г

Эмиттер

Электрические параметры

Выходная мощность при /=60 МГц, = 27 В не менее 12,5 Вт Коэффициент усиления по мощности при Рвы\= 2,5 Вт, /= 60 МГц

2Т921А, KT92IA не менее.......... 8

КТ921Б не менее............. 5

Коэффициент 1Юлезного действия коллектора при Рвых= 12,5 Вт, /= 60 МГц не менее

2Т921А, КТ921А.............. 50"/

КТ921Б................. 40"/„

Коэффициент комбинационных составляющих третьего

порядка при /=30 МГц, Рвых(по) = 12,5 Вт не более -30 дБ Модуль коэффициента передачи тока на /=30 МГц

при {/кэ =10 В, /ц- = 0,4 А не менее...... 3

типовое значение.............. 7,5*

еский коэффициент передачи тока в схеме с общим

*ттером при f/кБ = Ю В, 4= 1 А не менее ... 10

типовое значение ............. 45*

янная времени цепи обратной связи на высокой

"астоте при t/кБ = Ю В, 4 = 1 А, /= 10 МГц не более 22 пс

oLTb коззекторного перехода* при С-б = 20 В 50 пФ

FMKOCTb эчшттерного перехода * при t/gg = 3 В..... 210 пФ

06Р1ТНЫ» ток э\п1ттера при t/эБ = 4 В не бозее ... 20 мА Обратный ток коззектор-эмиттер при иэ = 70 В, Лэб =

= 10 Ом не бозее.............. 10 мА

Индуктивность коззекторного вывода*...... 3 5 нГн

Индуктивность базового вывода*......... 3,5 нГн

Индуктивность эмигтерного вывода*....... 3,0 нГн

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор эмиттер при ЛэБ< 10 Ом

при Г„ < 398 К.............. 65 В

при /„ = 423 К.............. 32 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при [/ЭБ= 1,5 В

прн Г„ < 398 К.............. 80 В

при Г„ = 423 К.............. 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........ 4 В

Постоянный ток колзектора.......... 35А

Постоянный ток базы............. 1 А

Постоянная рассеиваемая мощность козлектора

при 4 < 348 К.............. 12,5 Вт

при Гк = 398 К.............. 4,2 Вт

Средняя рассеиваемая мощность колзектора в динамическом режиме при < 28 В

при Гк < 348 К............... 12,5 Вт

при Гк = 398 К.............. 4 2 Вт

Температура перехода ............. 423 К

Тепловое сопротивзенне переход-корпус....... 6 К Вт

Температура окружающей среды

2Т921А................. От 213

до Гк = 398 К

КТ921А КТ921Б.............. От 228

Гк = 398 К

Примечание Пайку выводов допускается производить на Расстоянин не менее 2 мм от корпуса транзистора Осевое усилие а винт допускается не более 250 И, на выводы транзистора не ее 5 Н, изгибающее усилие не бозее 1 Н