типовое значение.............. 50* пФ

ость эмиттерного перехода* при {/эб = О, / = 5 МГц, Типовое значение

7Т922А, КТ922А.............. 75 пФ

2Т922Б КТ922Б, КТ922Г........... 200 пФ

2Т922В, КТ922В, КТ922Д........... 500 пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при f/кэ = 65 В, п,- =100 Ом не более Г = 298 К

2Т922А................ 2 мА

КТ922А................ 5 мА

2Т922Б................ 10 мА

2Т922В, КТ922Б, КТ922Г.......... 20 мА

КТ922В, КТ922Д............. 40 мА

при Г = 358 К

КТ922А................ 10 мА

КТ922Б, КТ922Г............. 20 мА

КТ922В, КТ922Д............. 40 мА

при Г= 398 К

2Т922А................ 4 мА

2Т922Б................ 20 мА

2Т922В................ 40 мА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 4 В не более при Г = 298 К

2Т922А................ 0,25 мА

КТ922А................ 0,5 мА

2Т922Б................. 1,0 мА

2Т922В................ 2,5 мА

КТ922Б................ 3 мА

КТ922Г................ 4 мА

КТ922В, КТ922Д............. 6 мА

при Г= 358 К

КТ922А................ 1 мА

КТ922Б................ 10 мА

КТ922В, КТ922Д............. 12 мА

КТ922Г................ 8 мА

при Г = 398 К

2Т922А................ 0 5 мА

2Т922Б................ 2 мА

2Т922В................ 5 мА

Индуктивность выводов прн / = 1 мм

2Т922А, КТ922А

эмиттерного..............1,7 нГн

коллекторного..............2,4 нГн

базового................2 9 нГн

2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г

эмиттерного..............1,1 нГн

коллекторного..............2,4 нГн

базового................ 2,5 нГн

2Т922В, КТ922В, КТ922Д

эмиттерного.............. 0,9 нГн

коллекторного.............. 2,4 нГн

базового................ 2,4 нГн

Емкости электродов относительно корпуса*

эмиттер-корпус.............. 1,84 пф

коллектор-корпус............. 1,53 пф

база-корпус............... 0,96 пф

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

Лбэ < 100 Ом

при Г„ = 298 - 433 К............ 65 В

при Г = Гм„„............... 55 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 4 В

Постоянный ток коллектора

2Т922А, КТ922А.............. 0,8 А

2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г.......... 1,5 А

2Т922В, КТ922В, КТ922Д.......... ЗА

Импульсный ток коллектора при t„ < 20 мкс, Q > 50

2Т922А, КТ922А............. 1,5 А

2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г.......... 4 5 А

2Т922В, КТ922В, КТ922Д.......... 9 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме

при Г, < 313 К

2Т922А, КТ922А............ 8 Вт

2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г......... 20 Вт

2Т922В, КТ922В, КТ922Д......... 40 Вт

при Г, = 398 К

2Т922А................ 2.3 Вт

2Т922Б................ 5.8 Вт

2Т922В................ 1,17 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус

2Т922А, КТ922А.............. 15 К/Вт

2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г.......... 6 К/Вт

2Т922В, КТ922В, КТ922Д.......... 3 К/Вт

Температура перехода............

Температура

2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В........... От 213 до

Т, = 398 К

КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д .... От 233 до

• Г, = 358 К

Примечания 1 Допускается работа транзисторов при люоых

значениях коэффициента стоячей волны по напряжению (по модулю

ш Е J < (28 + 2,8) В при условии, что предельные эксплуа-" **нные значения Рк макс, макскэ, t/эБ (постоянные состав-та""° g> ие превышают допустимые.

ляюш рдр2щается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм о пуса без передачи усилия на керамическую часть корпуса безнарушения герметичности с сохранением обозначения коллекторного вывода.

Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не I 6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотводов должна быть не более 0,04 мм.

1ык

10 8 В 4

2Т922А КТ922А-

±

f=175 МГц Uk3 =28 8-

Р1ь,1,Вт

100 20

\80 16

ВО 12

40 8

20 4

О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5Pt,,BT О 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Р,Вт

Зависимость выходной мощности и КПД от входной мощности

Зависимость выходной мощности и КПД от входной мощности.

Р1ш , Вт 50\-

2Т922В, -КТ922В~

Р!и„Вт\ 100 5

~Г = 175МГц\ Uk3 = 288

40 30 20 10

Зависимость выходной мощно-"ти и КПД от входной мощности.

80 4

60 3

40 г

20 1

2Т922А КТ922А Я,

<ы<УЗ

Рь=0,25Вт f =175 МГц

100 80 60 40 20

2 4 6 8 10Pi„,Bt о 5 10 15 20 25 0кэ,В

Зависимость выходной мощности и КПД от напряжения коллектор-эмиттер.