имально допустимая постоянная рассеиваемая мощность опа Вт при Гк= 323 - 398 К определяется по формуле-

Р -(Т TVR

Рк MdKC - С п - Kj/fr п-к>

где из

области максимальных режимов (например, при t/кэ = О В,

- тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое

= 5 А, Лт ,

= 2 К/Вт).

При конструировании схем следует учитывать возможность возбуждения транзисторов за счет паразитных связей, е* 2 Для снижения контактного теплового сопротивления необ-мо применять смазку из невысыхающего масла или тонкую фоТьгу из мягкого материала.

Крепление транзисторов к панели осуществляется при помощи гайки. Осевое усиление на винт должно быть не более 1176 Н.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. За температуру корпуса принимается температура любой точки основания диаметром не более 13 мм со стороны опорной поверхности.

0,1 0,8 1,г 1,6 гиэ,в

Входные характеристики.

"213

50 40 J0

8 12

161,А

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Ск,пФ 1000

О 20 40 60 80Uks,B

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

гчо гоо

03 160

I 120

"1-1-г--1--

2Т926АМ026А,НТ926Б УиЮмксГ

О гоо 400 600 800 R,

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Зависимость максимально допустимой импульсной мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

л-1-1-

KT926A,KT9266

2тдгбА--

Гц = 500мкс а>50

о 30 60 90 120Uu3,B

60 50 40 30 20 10

213 253 293 333 373 L, К

10 8 6 4

¥ 0,4

0,1 0,08 0,06 0,04

0,02

0,01

/ 2 4 6810 20 40Un3,B

Зависимость максимально допустимого импульсного тока коллектора от напряжения коллектор-эмнттер.

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

КТ927А, КТ927Б, КТ927В

транзисторы кремниевые планарные п-р-п генераторные высоко-

Поедназначены для применения в линейных усилителях мощнос-частотах до 30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жесткими вы-и Внутри корпуса транзистора смонтирован диод, предназна-"нный для контроля температуры Обозначение типа приводится на

°"масса транзистора не более 10 г

1,9 2 база. Диод

LJL,

1Z,Z

11,9

Коллектор Змиттер

Электрические параметры

Выходная мощность при [/«э = 28 В, /=30 МГц 75 Вт Коэффициент усиления по мощности при [/«э = 28 В,

/= 30 МГц, = 75 Вт......... 13,4- 16

Коэффициент полезного действия транзистора при

С/кэ = 28 В, /= 30 МГц, Р,,„(„„) = 75 Вт..... 48 -52 %

Коэффициент комбинационных составляющих при

С/кэ = 28 В,/= 30 МГц, Рз,„(„о) = 75 Вт.....-(30-39) дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/кб = 6 В, /к = 5 А:

КТ927А................ 15-50

КТ927Б................ 25-75

КТ927В................ 40-100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при

4 = 10 А, /б = 2 А не более........ 0,7 В

Активная составляющая полного входного сопротивления при = 75 Вт, С/кэ = 28 В, / =

= 30 МГц............... 2,65 Ом

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при С/кэ = 28 В,

% = 1 А...............105-210 МГц

типовое значение............. 150* МГц

мкость коллекторного перехода при С/кб = 28 В не

оолее................. 190 пФ

мкость эмиттерного перехода при С/эб = 0 не °ее................. 2850 пФ