Обратный ток эмиттера при f/эБ = 3,5 В не более:

прп Г = 298 К............. 40 !A

при Г = 398 К.............. 120 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лэб = 0 и

(/«э = 70 В не более............ 40 ыА

Постоянное прямое напряжение диода при /„р = 1 мА 0,6 - 0,8 в

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:

при Лбэ = О............... 70 В

при Лбэ = <»............... 35 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 3,5 В

Постоянный ток коллектора.......... ю а

Импульсный ток коллектора........... 30 а

Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме:

при Гк < 348 К.............. 83,3 Вт

при Гк = 423 К.............. 33.3 Вт

Тепловое сопротивление корпус-переход....... 1,5 К/Вт

Температура перехода ............. 473 К

Температура окружающей среды......... От 213 до

Гк = 423 К

2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п высокочастотные импульсные.

Предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных мащин.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 3 г.

Место -"" наркироВки

Коллектор

Эмиттер

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база...... 60 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

бэ = О.................. 60 В

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 5 В

Постоянный ток коллектора........... 0,8 А

Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс,

е>50........ 1,2 А

Импульсная рассеиваемая мощность коллектора

при т„ < 10 мкс, Q> 50: 2Т928А, 2Т928Б-

при Г < 298 К.............. 3,6 Вт

при Г = 398 К.............. 3,2 Вт

чная частота коэффициента передачи тока в схеме ГР ""бщим эмиттером прн t/кБ = Ю В, 4 = 50 мА,

"%Т928А 2Т928Б............. 300 МГц

КТ928А, КТ928Б............. 250 МГц

тический коэффициент передачи тока в схеме с обшим эмиттером при Uke = 3 В, /3 = 150 мА:

7Т928А.................30-100

2Т98Б КТ928Б.............. 50-200

КТ928А.................20-100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 4 = 300 мА, Is = 30 мА не более:

2Т928А, 2Т928Б.............. 0,6 В

КТ928А, КТ928Б............. 1,0 В

Напряжение насыщения эмиттер-база при 4 = 300 мА,

/5= 30 мА 2Т928А, 2Т928Б не более....... 1,5 В

Емкость коллекторного перехода при (Уб = Ю В, /= 10 МГц не более:

2Т928А, 2Т928Б............. 10 пФ

КТ928А, КТ928Б............. 12 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uke = О не более:

2Т928А, 2Т928Б............. 90 пФ

КТ928А, КТ928Б.............100 пФ

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uke = Ю В, 4 = 50 мА, /= 10 МГц

КТ928А, КТ928Б не более.......... 100 не

Обратный ток коллектора при t/jcE = 60 В не более:

2Т928А, 2Т928Б.............. 1 мкА

КТ928А, КТ928Б.............. 5 мкА

Время рассасывания при 4 = 300 мА, 4 = 30 мА не более:

2Т928А, 2Т928Б.............. 225 не

КТ928А, КТ928Б............. 250 не

КТ928А-

при Г < 298 К............. 3,5 Вт

при Г = 358 К.............3 26 Вт

КТ928Б:

при Г < 298 К.............. 3,6 Вт

при Г = 358 К..............3,36 Вт

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода

2Т928А, 2Т928Б-

при Г < 298 К.............0,5 Вт

при Г = 398 К..............01 Вт

КТ928А, КТ928Б.

прн Г < 298 К.............0,5 Вг

при Г = 358 К..............0,26 Вт

Температура перехода ............. 423 К

Температура окружающей среды:

2Т928А, 2Т928Б..............От 213 до

358 К

Примечание. При Г > 298 К „акс линейно снижается на 16 мВт/К, Ркимакс на 4 мВт/К.

2Т929А, КТ929А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные высокочастотные.

Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В

Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 4,5 г.

Зми-ттер