Предельные экеплуатацнонные данные

Постоянное напряжение коллектор-база....... 30 В

остоянное Напряжение коллектор-эмиттер при

/Бэ < 100 Ом............... 30 В

пмхолная мощность при С/кэ = 8 В, /= 175 МГц, Г, <

< 313 К не менее.............. 2 Вт

V АЛициент усиления по мощности при из = 8 В, КоэфФ 2 Вт, /=175 МГц не менее

2Т929А................. 10

типовое значение.............. 11,5*

KT9J9A................. 8

Коэффициент полезного действия коллектора не

gfjee................... 55 %

типовое значение.............. 72*%

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером* при t/кэ = 5 В, = 0,7 А, не менее ... 25 типовое значение .............. 40

Модуль коэффициента передачи тока при /=175 МГц,

(/3 =8 В, /к = 0,3 А не менее........ 4

типовое значение ............. 8*

Критический ток коллектора * при t/кз = 8 В, / =

= 100 МГц, типовое значение......... 2,5 А

Постоянная времени цепи обратной связи при иэ =

= 8 В, /= 5 МГц, /к = 50 мА не более..... 25 пс

типовое значение.............. 9* пс

Емкость коллекторного перехода при t/кБ = 8 В,

/ = 5 МГц не более............. 20 пФ

типовое значение..............15* пФ

Обратный ток коллектора * при (/кб = 30 В, Г = 298 К, типовое значение..............0,5 мА

Обратный ток коллектор-эмиттер при (/кэ = 30 В, Лбэ = 100 Ом не более:

при Г = 298 К.............. 5 мА

при Г = 398 К.............. 10 мА

Обратный ток эмиттера при t/эБ = 3 В не более:

при Г= 298 К.............. 5 мА

при Г = 398 К 2Т929А и Г = 358 К КТ929А .... Ю мА

Индуктивность выводов* при /= I мм

эмиттерного............... 12 нГн

коллекторного.............. 24 нГн

базового................. 2,б нГн

ЕМКОСТИ электродов относительно корпуса*

эмиттер-корпус.............. 1,84 пФ

коллектор-корпус............. 1,53 пФ

база-корпус............... 0,96 пФ

Постоянное напряжение эмиттер-база....... 3 В

Постоянный ток коллектора.......... 0,8 д

Импульсный ток коллектора.......... 1,5 д

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме

прн Гк < 313 К.............. 6 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус.......20 К/Вт

Температура перехода............ 433

Температура окружающей среды

21929А.................От 213 до

Гк = 398 К

КТ929А.................От 233 до

Гк = 358 к

Примечания 1 При Ет < 9 В дочускается работа транзистора при Kcji < 10 при условии непревышения предетьно допустимых режимов эксплуатации При Я 9 - 12,6 В пиковое значение напряжения коллектор-эмиттер не должно превышать 50 В

2 Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от корпуса без передачи усилия на керамическую часть корпуса без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода

Чистота контактной новерхности теплоотвода должна быть не менее 1,6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотводов должна быть не более О 04 мм Для уменьшения контактного теплового сопротивтення между корпусом и теплоотводом следует применять теплоотводящие смазки

Реш,Вт

Рш,вт кт92дА,гт92дА 1,,%

о 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0Pg,8T

200 300 f,Mrn

Зависимость выходной мощности от входной мощности

0 ц 6 8 10 12Uk3,B 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5Ik,A

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер

Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора

2,5 2,0

Ь5 1,0

0,5 О

14-12 10

2 Ч- 6 В 10 Окэ,В о 40 80 120 160 2001э,мА

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер

30 20 10

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Сэ,пФ 60

10 20 30Uks,B о

3 иэБ,В