НПО Системы Безопасности
(499)340-94-73 График работы:
ПН-ПТ: 10:00-19:00
СБ-ВС: выходной

Главная » Периодика » Безопасность

0 ... 200201202203204205206 ... 297


f2U 70

SO 40 SO

ктэгэАгтош

r,,nc 12

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

кто 29 А

1

гтдгяА

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи напряжения коллектор-база

2Т935А, КТ935А

Транзисторы кремниевые эиитаксиальные меза-планарные п-р. переключательные высокочастотные мощные

Предназначены для работы в ключевых и импутьсных схемах

Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе Вывод эмиттера маркируется условной точкой на корпусе

Масса транзистора не более 20 г


-Условная точка.

К оллвктор Эми ттер

Электрические параметры

Граничное напряжение при /к = 1 А не менее .... 70 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при

/к= 15 а, /б = 3 а не более........ IB

типовое значение..............0,75* В

Напряжение насыщения база-эмиттер при /«=15 А,

/б = 3 А не более............. 1,7 В

типовое значение.............. 1,3* В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при из = 4 В, /к = 15 А

при Г = 298 К...............20-100



типовое значение..............

l%5\ при f/кэ = 5 В, /, = 3 А не более при Г = 398 К.............. 150

Г=213К...............10-100

включения при /к и = Ю А, /g = 2 А не Врем" ..................О 25 мкс

„Г выключения * при /к и = Ю А, /g = 2 А не

Время..................0,7 мкс

, коэффициента передачи тока при /=30 МГц,

"у = 10 В, /к= I А не менее........ 1,7

с ,«1сть коллекторного перехода при t/B =10 В,

f° 1 МГц не более............. 800 пФ

Емкость эмиттерного перехода * при С/бэ = 4 В,

f= 1 МГц не более............. 3500 пФ

Обратный ток коллектор-эмиттер при Лбэ = Ю Ом не более

при Г= 298 К и Г=213 К, С/э = 80 В . . . . 30 мА

при Г = 398 К С/кэ = 60 В.........60 мА

Обратный ток эмиттера при С/бэ = 4 В не более .... 300 мА

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лбэ = = 10 Ом, Г„ < 373 К............. 80 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Ти < :S 50 мкс, Q > 20, Тф > 15 мкс, «бэ = Ю Ом . . . . 100 В

Постоянное напряжение база-эмиттер...... . 5 В

Импульсное напряжение база-эмиттер при t„ « 50 мкс,

Q>20.................. 6 В

Постоянный ток коллектора...........20 А

Импульсный ток коллектора при т„ < I мс, 20 . . . 30 А

Постоянный ток базы.............10 А

Импульсный ток базы при х„ < 1 мс, Q > 20 . . . . 15 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

7"к < 323 К................. 60 Вт

Температура перехода............. 423 К

Температура окружающей среды

2Т935А.................От 213 до

Г„ = 398 К

КТ935А.................От 228 до

Гк = 383 К

Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Г > 323 К рассчитывается но формуле

. „ Рк макс = (423 - Г,)/Лг п к,

"7" п к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое "3 области максимальных режимов

Допускается при включении аппаратуры выброс тока коллектора

1л . в течение 1 мс, далее ток -iU А

мс, далее ток коллектора спадает до



120 100 80

W 20

КТ935А,

2Т93

%2 ОЛ

17-1

.КТ935А,

2Т935А

= 5В

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры перехода.

Входные характеристики.

120 90 60 30

43SA L

SA

Ч 8 12 1В1,А

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.


Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1 1 (

КТ935А,2Т935А

= 15 А

о 1

Ок,пФ 700

1 1 1

КТ935А,2Т935А

О 20 40 60 80Ukb>8



0 ... 200201202203204205206 ... 297