70 во

: 50

-0 ч

ВО 50

213 253 293 333 37JT,,К Ofil 0,04 0,1 0,2 0,40,61 2 4 Res,Ом

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротив тения база-эмиттер

4 6 10 20 4060 100 Off3,8

Зависимость напряжения насы- Обтасть максимальных режи-

щения коллектор-эмиттер от мов

2 кэлмакс при Т„ > 373 к снижается тинейно до 40 В

3 Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора

КТ940А, КТ940Б, КТ940В

Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п высокочастотные усилительные мощные

Предназначены для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Обо-ачение типа приводится на корпусе

Электрические параметры

Граничная частота при [/«э = Ю В, /к = 15 мА не

менее...................90 МГц

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/«э = Ю В, /« = 30 мА не

менее................... 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при/к = 30 мА,

/б = 6 мА не более............. IB

Обратный ток коллектора не более

при [/кб = 250 В КТ940А..........50 нА

при [/кб = 160 в КТ940Б.......... 50 нА

при [/кб = 100 в КТ940В.......... 50 нА

Обратный ток эмиттера при [/эб = 3 В не более ... 50 нА Емкость коллекторного перехода при f/кБ = 30 В, /=

= 1 МГц не более.............5,5 пФ

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор-база

КТ940А................. 300 В

КТ940Б................. 250 В

КТ940В................. 160 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб

< 10 кОм

КТ940А................. 300 В

КТ940Б................. 250 В

КТ940В................. 160 В

Постоянное напряжение эмиттер-база........

Постоянный ток колтектора........... 100 "

Импульсный ток коллектора при t„ = 30 мкс, Q>\0 300

Постоянный ток базы.............. 50 "

Постоянная рассеиваемая мощность копектора

без тетоотвода при 4 < 298 К........ 1,2 Вт

о теплоотводом при Г,, < 318 К

при С/кэ = 100 В............. О Вт

при С/кэ = 160 В............. 7.5 Вт

при С/кэ = 250 В............. 3.5 Вт

при С/к э = 300 В............. 1 Вт

репловое сопротивленце

переход-окружающая среда.......... 104 К/Вт

переход-корпус.............. 10 К/Вт

Температура перехода........ 423 К

Темпер>1 тура окружающей среды.......... От 228 до

Г, = 358 К

Примечание Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, без теплоотвода при Т > 298 К определяется по формуле

Рк макс = (423 - Г)/104

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с тетоотводом при Гк>318 К опредетяется по формуле

Кмакс = (423 - Г„)/ 10

КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Транзисторы кремниевые меза-планарные п-р-п усилительные высокочастотные мощные

Предназначены для работы в уси-лительных импульсных схемах

Выпускаются в пластмассовом 5 корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Ё la

Масса транзистора не более 0,8 г Е

Электрические параметры

Граничное напряжение при 1 = 100 мА, не менее

КТ943А................

КТ943Б, КТ943Д.............

КТ943В, КТ943Г.............

45 В 60 В 80 В