250 200 1150 100 50 О

.КТ9Ш-КГ943Д

10 100 1000 10000 Rs3?0m

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коттектор-база

0,3 0,25

1 0,15

I 0,1

0.05

213 253 293 333 373Т„,К

Зависимость напряжения кот-лектор-эмитгер от сопротив тения база-эмиттер

2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, КТ945А

Транзисторы кремниевые эпитаксиатьные п-р-п переключательные высокочастотные мощные

Предназначены для работы в импульсных модуляторах Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Обозначение типа приводится на корпусе

Масса транзистора не более 20 г

База

Электрические параметры

Граничное напряжение при / = 0,1 А не менее

2Т945А................. 200 В

2Т945Б, 2Т945В.............. 150 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 4 = 15 а не более:

при /б = 3 А 2Т945А, 2Т945Б, КТ945В..... 2 5 в

при /б = 2 А 2Т945В............ 2.5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при 4 = 15 А,

при /б = 3 А 2Т945А, 2Т945Б, КТ945В..... 2 5 В

при /б = 2 А 2Т945В............ 25 в

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при t/кэ = 7 В>- 4=15 а для 2Т945А,

2Т945Б, КТ945А и 4 = 10 а для 2Т945В:

при Г = 298 К не менее.......... 10

прн Г = 228 К не менее.......... 8

при Г= 373 К K, = (,h2\3 при = 373С)/(Л2э при

Гк = 298 К) не более............ 3

Модуль коэффициента передачи тока при /=30 МГц,

[/кэ=10 в, /к=1 а не менее......... 1,7

Обратный ток коллектор-эмиттер при f/кэ = 150 В для 2Т945А, 2Т945Б, КТ945А и f/кэ = 200 В, для 2Т945В Лбэ = 10 Ом не более:............25 мА

Обратный ток эмиттера при {Убэ = 5 В не более .... 300 мА

Предельные эксплуатацнонные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Лэб = = 10 Ом:

2Т945А................. 200 В

2Т945Б, 2Т945В, КТ945А........... 150 В

Импульсное напряжение кoJIлeктop-эмиттep при Q > 50,

Ти < 20 мкс, dUij/dt < 0,36 В/нс........ 100 В

Постоянное напряжение база-эмиттер........ 5 В

Постоянный ток коллектора:

2Т945А, 2Т945Б, КТ945А.......... 15 А

2Т945В................. 10 А

Импульсный ток коллектора при t„ < 500 мкс, Q > 20:

2Т945А, 2Т945Б, КТ945А........... 25 А

2Т945В................. 20 А

Постоянный ток базы.............. 7 А

Импульсный ток базы при Q > 20, т„ < 500 мкс .... 12 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при

Гк < 323 К................. 50 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус при [/кэ = Ю В 2 К/Вт

Температура перехода:

2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В........... 448 К

КТ945А................. 423 К

Температура окружающей среды:

2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В........... От 213 до

398 К

КТ945А................. От 228 до

373 К

„мечания; 1. При Гц > 323 К постоянная рассеиваемая

-гт, коллектора, Вт, снижается в соответствии с формулой ищность

Рк макс ~ макс п-к>

р тепловое сопротивление переход-корпус, где л у п-к

При использовании транзистора при t/кэ > Ю В тепловое сопро-ление определяется из области максимальных режимов. Так, при тоянном напряжении коллектор-эмиттер, лежащем в пределах 10 до 100 В, тепловое сопротивление составляет 5,55 К/Вт

2 Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выво-ов 5 мм Прн пайке температура корпуса не должна превышать 373 К в течение не более 3 с. Крепление транзистора к панели осуществляется при помощи винта или винта с гайкой с усилием 19,6 Н

Транзистор используется только с теплоотводом Для снижения контактного теплового сопротивления необходимо применять поли-метилсилоксановую жидкость ПМО-100 ГОСТ 13032-77

За температуру корпуса принимается температура поверхности основания диаметром (20 ± 1) мм относительно центра основания со стороны внешних выводов

Запрещается даже кратковременная работа транзистора вне области максимальных режимов

При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связей.

hl3 100

4 8 12 ISIk.A

0,5 1 1,5 2 2,5Is,A

Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллекгора

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.